IC SDRAM 64MBIT W9864G6KH-6

Beschreibung

W9864G6KH-6: DRAM-Chip SDRAM 64M-Bit 4Mx16 3,3V 54-Pin TSOP-II

Paket: TSOP(II)-54

Mfr. Teil#: W9864G6KH-6

MFR.: WINBOND

Datenblatt:  (E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:  

Qualität: 100% Original

Garantie: 180 Tage
 

Der W9864G6KH ist ein SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) mit hoher Geschwindigkeit, der in 1M Wörtern x 4 Bänken x 16 Bit organisiert ist. W9864G6KH liefert eine Datenbandbreite von bis ZU 200m Worten pro Sekunde. Für verschiedene Anwendungen wird W9864G6KH in die folgenden Geschwindigkeitsklassen sortiert: -5, -6, -6I und -7. Die -5 Teile können bis zu 200MHz/CL3 laufen. Die -6 und -6I Teile können bis zu 166MHz/CL3 (die -6I Industrieklasse, die garantiert -40 bis 85 C unterstützt) laufen die -7 Teile können bis zu 143MHz/CL3 und mit TRP = 18nS laufen.

Zugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert. Auf aufeinanderfolgende Speicherorte auf einer Seite kann mit einer Burst-Länge von 1, 2, 4, 8 oder einer ganzen Seite zugegriffen werden, wenn eine Bank und eine Zeile durch einen AKTIVEN Befehl ausgewählt wird. Spaltenadressen werden automatisch vom internen SDRAM-Zähler im Burst-Betrieb generiert. Zufälliges Lesen der Spalte ist auch möglich, indem die Adresse bei jedem Takt angegeben wird.

Hauptfunktionen

• 3,3V ± 0,3V für Netzteile der Geschwindigkeitsklassen -5, -6 und -6I
• 2,7V bis 3,6V für Netzteile der Klassen -7
• 1, 048, 576 Wörter x 4 Bänke x 16 Bit Organisation
• Selbstaktualisierstrom: Standard und geringe Leistungsaufnahme
• CAS-Latenz: 2 und 3
• Burst-Länge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite
• Sequenziell und Interleave-Burst
• Bytedaten, die von LDQM, UDQM gesteuert werden
• Automatische Vorladung und kontrollierte Vorladung
• Burst-Lese-, Single-Write-Vorgang
• 4K Aktualisierungszyklen/64mS
• Schnittstelle: LVTTL
• Verpackt in TSOP II 54-polig 400 mil mit bleifreiem Materialien mit RoHS beschweren sich

Produktlinie Des Unternehmens

Zertifikate



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