GaAs (Galliumarsenid)-Wafer

Min.Order: 10
Product origin: Jiaozuo, Henan, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ 1 ~ 10

Description

GaAs (Galliumarsenid) Wafer

 
Was wir liefern können:

GaAs-Wafer: Monokristallale Ingots:2-6inch
Ausrichtung:  (100)(111)
Typ: Ntype dotiertes Silizium, P-Typ, dotiert Zn, Si ungedotiert


Produktbeschreibung

1. Detaillierte Spezifikation:

Parameter Garantierte / Istwerte MASSEINHEIT
Wachstumsmethode: VGF  
Art Des Verhaltens: S-I-N  
Dopant: Ungeschöpft  
Durchmesser: 50,7± 0,1 Mm
Ausrichtung: (100)± 0,50  
VON Standort/Länge: EJ  [ 0-1-1]± 0,50/16±1  
BEI Standort/Länge: EJ [ 0-1 1 ]± 0,50/7±1  
Widerstand: Min. 1,0 E8 Max. 2,2 E8 Ω·cm
Mobilität: Min. 4500 Max. 5482 cm2/v.s.
EPD: Min. 700 Max. 800 / cm2
Dicke: 350± 20 µm
Kantenrundung: 0,25 MMR
Laserbeschriftung: K. A.  
TTV/TIR: Max. 10 µm
BOGEN: Max. 10 µm
Verzug: Max. 10 µm
Anzahl Der Teildaten  : <50/Wafer (für Partikel > 0,3um)  
Oberflächengüte  – Vorderseite: Poliert    
Oberflächenbeschaffenheit - Rückseite: Geätzt  
Epi-Fähig:

Ja

 
 
Parameter Garantierte / Istwerte MASSEINHEIT
Wachstumsmethode: VGF  
Art Des Verhaltens: S-I-N  
Dopant: Ungeschöpft  
Durchmesser: 76,2± 0,2 Mm
Ausrichtung: (100) 00± 0,50  
VON Standort/Länge: EJ  [ 0-1-1]± 0,50/22±2  
BEI Standort/Länge: EJ [ 0-1 1 ]± 0,50/11±2  
Widerstand: Min. 1E8 Max. 1,03E8 Ω·cm
Mobilität: Min. 5613 Max. 6000 cm2/v.s.
EPD: Min. 700 Max. 800 Max.:
Dicke: 625±20 µm
Kantenrundung: 0,375 MMR
Laserbeschriftung: K. A.  
TTV: K. A. µm
Oberflächengüte  – Vorderseite: Poliert    
Oberflächenbeschaffenheit - Rückseite: Geätzt  
Epi-Fähig:

Ja


 
 
Parameter Garantierte / Istwerte MASSEINHEIT
Wachstumsmethode: VGF  
Art Des Verhaltens: S-I-N  
Dopant: Ungeschöpft  
Durchmesser: 100,0± 0,2 Mm
Ausrichtung: (100)± 0,30  
VON Standort/Länge: EJ  [ 0-1-1]± 0,50/32,5±1  
BEI Standort/Länge: EJ [ 0-1 1 ]± 0,50/18±1  
Widerstand: Min. 1,5 E8 Max. 2,0 E8 Ω·cm
Mobilität: Min. 4832 Max. 4979 cm2/v.s.
EPD: Min. 600 Max. 700 / cm2
Dicke: 625± 25 µm
Kantenrundung: 0,375 MMR
TTV/TIR: Max. 3 µm
BOGEN: Max. 4 µm
Verzug: Max. 5 µm
Anzahl Der Teildaten  : <100/Wafer (für Partikel > 0,3um)  
Oberflächengüte  – Vorderseite: Poliert    
Oberflächenbeschaffenheit - Rückseite: Poliert  
Epi-Fähig:

Ja

 
 
Parameter Anforderungen des Kunden Garantierte / Istwerte MASSEINHEIT
Wachstumsmethode: VGF VGF  
Art Des Verhaltens: S-C-P S-C-P  
Dopant: GaAs-Zn GaAs-Zn  
Durchmesser: 50,8± 0,4 50,8± 0,4 Mm
Ausrichtung: (100)± 0,50 (100)± 0,50  
VON Standort/Länge: EJ  [ 0-1-1]± 0,50/16±1 EJ  [ 0-1-1]± 0,50/16±1  
BEI Standort/Länge: EJ [ 0-1 1 ]± 0,50/7±1 EJ [ 0-1 1 ]± 0,50/7±1  
Barren: Min. 1 E19 Max. 5 E19 Min. 1,4 E19 Max. 1,9 E19 /cm3
Widerstand: Min.: N. Z. Max.: K. A. Min.: N. Z. Max.: K. A. Ω·cm
Mobilität: Min.: N. Z. Max.: K. A. Min.: N. Z. Max.: K. A. cm2/v.s.
EPD: Max. 5000 Min. 600 Max. 700 / cm2
Dicke: 350±25 350±25 µm
Oberflächengüte  – Vorderseite: Poliert   Poliert    
Oberflächenbeschaffenheit - Rückseite: Geätzt Geätzt  
Epi-Fähig:

Ja

Ja

 

Produktbilder:
 







FAQ:

F: Wie ist der Versand und die Kosten?

A: (1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS etc.

  (2) Wenn Sie Ihre eigenen Express-Konto haben, ist es great.If nicht, könnten wir Ihnen helfen, sie zu versenden.  

 F: Wie bezahlen?

A: T / T, Paypal, etc

F: Was ist Ihr MOQ?

A:  (1) für die Bestandsaufnahme ist die MOQ 5pcs.

  (2) für kundenspezifische Produkte ist der MOQ 10pcs-25pcs.

F: Wie lange ist die Lieferzeit?

A:  (1) für die Standardprodukte

         Zur Warenannahme: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Ihrer Bestellung.

         Für kundenspezifische Produkte: Die Lieferung ist 2 oder 3 Wochen nach der Bestellung.

    (2) bei den Sonderformen beträgt die Lieferung 4 oder 6 Arbeitswochen nach der Bestellung.

F: Haben Sie Standardprodukte?

A: Unsere Standardprodukte auf Lager.

F: Kann ich die Produkte auf meine Bedürfnisse anpassen?

A: Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihre optischen Komponenten auf Ihre Bedürfnisse anpassen.
 

 

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