Complaint
| Parameter | Wert | Einheit |
| VDS, min. @ Tj(max) | 650 | V |
| ID, Impuls | 240 | A |
| RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V | 30 | MΩ |
| Qg | 178 | NC |
| Produktname | Paket | Markierung |
| OSG60R030HZF | TO247 | OSG60R030HZ |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Spannung der Abflussquelle | VDS | 600 | V |
| Gate-Source-Spannung | VGS | ±30 | V |
| Dauerablauf current1), TC = 25 Grad | ID | 80 | A |
| Dauerablauf current1), TC = 100 Grad | 50 | ||
| Gepulster Ablauf current2), TC = 25 oC | ID, Impuls | 240 | A |
| Dauerdiode vorwärts current1), TC=25 Grad | IST | 80 | A |
| Diode gepulst current2), TC=25 oC | IS, Puls | 240 | A |
| Leistung dissipation3), TC = 25 Grad | PD | 480 | W |
| Lawinenabgang mit einem Impuls energy5) | EAS | 2500 | MJ |
| MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V | dv/dt | 50 | V/ns |
| Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 50 | V/ns |
| Betriebs- und Lagertemperatur | Tstg, Tj | -55 bis 150 | GRAD |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse | RθJC | 0,26 | C/W |
| Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4) | RθJA | 62 | C/W |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Durchschlagspannung der Abflussquelle | BVDSS | 600 | V | VGS=0 V, ID=1 MA | ||
| Gate-Schwellenspannung | VGS(th) | 3,0 | 4,5 | V | VDS=VGS, ID=2 MA, | |
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“ | RDS(EIN) | 0,028 | 0,030 | Ω | VGS=10 V, ID=40 A | |
| 0,058 | VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 GRAD | |||||
| Leckstrom der Gate-Quelle | IGSS | 100 | Entfällt | VGS = 30 V | ||
| -100 | VGS = -30 V | |||||
| Leckstrom der Abflussquelle | IDSS | 10 | μA | VDS = 600 V, VGS = 0 V. | ||
| Gate-Widerstand | RG | 2,1 | Ω | ƒ=1 MHz, offener Drain |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Eingangskapazität | Ciss | 9343 | PF | VGS = 0 V, VDS = 50 V, ƒ = 100 kHz | ||
| Ausgangskapazität | Coss | 708 | PF | |||
| Kapazität der Umkehrübertragung | Crs | 15 | PF | |||
| Effektive Ausgangskapazität, energiebezogen | Co(er) | 345 | PF | VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V | ||
| Effektive Ausgangskapazität, zeitbezogen | Co(tr) | 1913 | PF | |||
| Einschaltverzögerung | td(ein) | 52,1 | ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A | ||
| Anstiegszeit | tr | 105,2 | ns | |||
| Verzögerungszeit ausschalten | td(aus) | 125,7 | ns | |||
| Herbstzeit | tf | 4,1 | ns |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Gesamtgebühr für Gate | Qg | 177,9 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A | ||
| Gate-Source-Gebühr | Qgs | 37,4 | NC | |||
| Gate-Drain-Ladung | Qgd | 78,4 | NC | |||
| Gate-Plateauspannung | Vplateau | 6,2 | V |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Diodenvorwärtsspannung | VSD | 1,4 | V | IS=80 A, VGS=0 V | ||
| Rückfahrzeit | trr | 186,6 | ns | IST = 40 A, Di/dt=100 A/μs | ||
| Rückfahrladung | Qrr | 1,6 | μC | |||
| Spitzenstrom für Rücklauf | Irrm | 15,4 | A |
