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Allgemeine Beschreibung
Der GreenMOS® Hochspannungs -MOSFET nutzt Ladungsausgleich -Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate -Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren , eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS® Generic Serie ist für extreme Schaltleistung optimiert, um Schaltverluste zu minimieren . Es ist für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte ausgelegt, um höchste Effizienzstandards zu erfüllen.
Funktionen
. NIEDRIGER RDS(EIN) UND FOM
. Extrem geringe Schaltverluste
. Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
Anwendungen
. PC -Stromversorgung
. LED -Beleuchtung
. Telekommunikationsleistung
. Serverleistung
. EV -Ladegerät
. Solar/USV
Wichtige Leistungsparameter
| Parameter | Wert | Einheit |
| VDS, min . @ Tj(max) | 850 | V |
| ID, Impuls | 45 | A |
| RDS(EIN) , MAX . @ VGS=10V | 300 | MΩ |
| Qg | 23,3 | NC |
| Produktname | Paket | Markierung |
| OSG80R300JF | PDFN 8×8 | OSG80R300J |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Spannung der Abflussquelle | VDS | 800 | V |
| Gate-Source-Spannung | VGS | ±30 | V |
| Dauerablauf current1) , TC=25 Grad | ID | 15 | A |
| Dauerablauf current1) , TC=100 Grad | 9,5 | ||
| Gepulster Ablauf current2) , TC=25 oC | ID, Impuls | 45 | A |
| Dauerdiode vorwärts current1) , TC=25 Grad | IST | 15 | A |
| Diode gepulst current2) , TC=25 Grad | IS, Puls | 45 | A |
| Leistung dissipation3) , TC=25 Grad | PD | 151 | W |
| Lawinenabgang mit einem Impuls energy5) | EAS | 360 | MJ |
| MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V | dv/dt | 50 | V/ns |
| Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 15 | V/ns |
| Betriebs- und Lagertemperatur | Tstg, Tj | -55 bis 150 | GRAD |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse | RθJC | 0,83 | C/W |
| Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4) | RθJA | 62 | C/W |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Abflussquelle Durchschlagspannung | BVDSS | 800 | V | VGS=0 V, ID=250 ΜA | ||
| 850 | VGS=0 V, ID=250 μA, Tj=150 Grad | |||||
| Gate-Schwellenwert Spannung | VGS(th) | 2,9 | 3,9 | V | VDS=VGS , ID=250 ΜA | |
| Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand | RDS(EIN) | 0,24 | 0,3 | Ω | VGS=10 V, ID=7,5 A | |
| 0,64 | VGS=10 V, ID=7,5 A, TJ=150 GRAD | |||||
| Gate-Quelle Leckstrom | IGSS | 100 | Entfällt | VGS = 30 V | ||
| - 100 | VGS = -30 V | |||||
| Abflussquelle Leckstrom | IDSS | 5 | μA | VDS = 800 V, VGS = 0 V. | ||
| Gate-Widerstand | RG | 18,2 | Ω | ƒ=1 MHz, offener Drain |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Eingangskapazität | Ciss | 1552 | PF | VGS = 0 V, VDS=50 V, ƒ = 100 kHz | ||
| Ausgangskapazität | Coss | 80,1 | PF | |||
| Kapazität der Umkehrübertragung | Crs | 2,1 | PF | |||
| Einschaltverzögerung | td(ein) | 33,6 | ns | VGS = 10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=7,5 A | ||
| Anstiegszeit | tr | 20,3 | ns | |||
| Verzögerungszeit ausschalten | td(aus) | 57,9 | ns | |||
| Herbstzeit | tf | 4,5 | ns |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Gesamtgebühr für Gate | Qg | 22,7 | NC | VGS = 10 V, VDS=400 V, ID=7,5 A | ||
| Gate-Source-Gebühr | Qgs | 8,6 | NC | |||
| Gate-Drain-Ladung | Qgd | 2,3 | NC | |||
| Gate-Plateauspannung | Vplateau | 5,5 | V |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Diodenvorwärtsspannung | VSD | 1,3 | V | IST = 15 A, VGS = 0 V | ||
| Rückfahrzeit | trr | 313,7 | ns | VR = 400 V, IST = 7,5 A, Di/dt=100 A/μs | ||
| Rückfahrladung | Qrr | 4,2 | μC | |||
| Spitzenstrom für Rücklauf | Irrm | 25,2 | A |
Hinweis
1) berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur. 2) sich wiederholende Nennleistung; Impulsbreite durch max. Grenzschichttemperatur begrenzt.
3) Pd basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4) der Wert von RθJA wird mit dem Gerät auf 1 in 2 FR-4 Board mit 2oz montiert gemessen. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25 Grad
5) VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, Start Tj=25 Grad
Lieferkette
