Complaint
| Parameter | Wert | Einheit |
| VDS, min. @ Tj(max) | 700 | V |
| ID, Impuls | 36 | A |
| RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V | 340 | MΩ |
| Qg | 9,6 | NC |
| Produktname | Paket | Markierung |
| OSS65R340DF | TO252 | OSS65R340D |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Spannung der Abflussquelle | VDS | 650 | V |
| Gate-Source-Spannung | VGS | ±30 | V |
| Dauerablauf current1), TC = 25 Grad | ID | 12 | A |
| Dauerablauf current1), TC = 100 Grad | 7,6 | ||
| Gepulster Ablauf current2), TC = 25 oC | ID, Impuls | 36 | A |
| Dauerdiode vorwärts current1), TC=25 Grad | IST | 12 | A |
| Diode gepulst current2), TC=25 oC | IS, Puls | 36 | A |
| Leistung dissipation3), TC = 25 Grad | PD | 83 | W |
| Lawinenabgang mit einem Impuls energy5) | EAS | 200 | MJ |
| MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V | dv/dt | 50 | V/ns |
| Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 15 | V/ns |
| Betriebs- und Lagertemperatur | Tstg, Tj | -55 bis 150 | GRAD |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse | RθJC | 1,5 | C/W |
| Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4) | RθJA | 62 | C/W |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Durchschlagspannung der Abflussquelle | BVDSS | 650 | V | VGS=0 V, ID=250 ΜA | ||
| 700 | VGS=0 V, ID=250 μA, Tj=150 Grad | |||||
| Gate-Schwellenspannung | VGS(th) | 2,9 | 3,9 | V | VDS=VGS, ID=250 ΜA | |
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand | RDS(EIN) | 0,30 | 0,34 | Ω | VGS=10 V, ID=6 A | |
| 0,73 | VGS=10 V, ID=6 A, TJ=150 GRAD | |||||
| Leckstrom der Gate-Quelle | IGSS | 100 | Entfällt | VGS = 30 V | ||
| -100 | VGS = -30 V | |||||
| Leckstrom der Abflussquelle | IDSS | 1 | μA | VDS = 650 V, VGS = 0 V. |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Eingangskapazität | Ciss | 443,5 | PF | VGS = 0 V, VDS = 50 V, ƒ = 100 kHz | ||
| Ausgangskapazität | Coss | 59,6 | PF | |||
| Kapazität der Umkehrübertragung | Crs | 1,7 | PF | |||
| Einschaltverzögerung | td(ein) | 22,4 | ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 A | ||
| Anstiegszeit | tr | 17,5 | ns | |||
| Verzögerungszeit ausschalten | td(aus) | 40,3 | ns | |||
| Herbstzeit | tf | 7,2 | ns |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Gesamtgebühr für Gate | Qg | 9,6 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A | ||
| Gate-Source-Gebühr | Qgs | 2,2 | NC | |||
| Gate-Drain-Ladung | Qgd | 4,5 | NC | |||
| Gate-Plateauspannung | Vplateau | 6,5 | V |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Diodenvorwärtsspannung | VSD | 1,3 | V | IS=12 A, VGS=0 V | ||
| Rückfahrzeit | trr | 236,5 | ns | VR = 400 V, IS = 6 A, Di/dt=100 A/μs | ||
| Rückfahrladung | Qrr | 2,2 | μC | |||
| Spitzenstrom für Rücklauf | Irrm | 19,1 | A |
