Bipolarer NPN-Transistor mit Gehäuse für Niederfrequenzverstärker, D882 to-126

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Product origin: Wuxi, Jiangsu, China
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US$ 001-15 $

Description
PARAMETER SYMBOL WERT EINHEIT
 
Kollektor-Basisspannung VCBD 40 V
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO 30 V
Emitter-Basisstrom (kontinuierlich) VEBO 5 V
Kollektorstrom IC 3 A
Impulsstrom Kollektor (TP < 5ms) ICM 6 A
Gesamtableitung TA=25ºC Ptot 1,25 W
TC=25ºC 10
Temperatur Der Verbindungsstelle Tj -55~150 ºC
Lagertemperatur Tstg -55~150 ºC
 
Funktionen
Niedriger Sättigungsdruckabfall
Hervorragende aktuelle Eigenschaften
Niedriger Leckstrom bei Rückwärtsfahrt
100 % ΔVDS-Test
Anwendungen
3W Audioverstärkerausgang
Spannungsregler
 
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell Pakettyp Markenname RoHS Paket Menge
DHD882 TO-126 D882 PB-frei Tasche 10000/Karton
DHD882 TO-252 D882 PB-frei Geflecht 3000/Karton
 
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