Parameter | Wert | Einheit |
VCES, min . @ 25 Grad | 650 | V |
Maximale Temperatur der Verbindung | 175 | GRAD |
IC, Impuls | 200 | A |
VCE(Sat), Typ . @ VGE=15 V. | 1,6 | V |
Qg | 1 11 | NC |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
Kollektoremitterspannung | VCES | 650 | V |
Gate -Emitter -Spannung | VGES | ±20 | V |
Transiente Gate -Emitter -Spannung, TP≤10 µs, D<0,01 | ±30 | V | |
Dauerkollektor current1), TC=25 Grad | IC | 80 | A |
Dauerkollektor current1), TC=100 Grad | 50 | A | |
Gepulster Kollektor current2), TC=25 Grad | IC, Impuls | 200 | A |
Diode vorwärts current1), TC=25 Grad | WENN | 30 | A |
Diode vorwärts current1), TC=100 Grad | 20 | A | |
Diode gepulst current2), TC=25 Grad | WENN, Puls | 200 | A |
Leistung dissipation3), TC=25 Grad | PD | 375 | W |
Leistung dissipation3), TC=100 Grad | 150 | W | |
Betriebs - und Lagertemperatur | Tstg, Tvj | -55 bis 175 | GRAD |
Kurzschlussfestigkeit VGE =15 V, VCC≤400 V Zulässige Anzahl von Kurzschlüssen <1000 Zeit zwischen Kurzschlüssen :≥1,0 S TVJ = 150 Grad | SC | 10 | μs |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
IGBT -Wärmewiderstand , Anschlussgehäuse | RθJC | 0,4 | C/W |
Thermowiderstand der Diode , Anschlussgehäuse | RθJC | 1,29 | C/W |
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4) | RθJA | 40 | C/W |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Durchschlagspannung Kollektor-Emitter | V(BR)CES | 650 | V | VGE =0 V, IC =0,5 MA | ||
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter | VCE (Sat) | 1,6 | 1,85 | V | VGE = 15 V, IC = 50 A TVJ = 25 Grad | |
1,8 | V | VGE =15 V, IC=50 A, TVJ = 125 Grad | ||||
1,9 | VGE =15 V, IC=50 A, TVJ = 175 Grad | |||||
Gate-Emitter -Schwellenspannung | VGE(th) | 3,5 | 4,5 | 5,5 | V | VCE =VGE , ID =0,5 MA |
Diode vorwärts Spannung | VF | 2,2 | V | VGE =0 V, WENN =25 A TVJ = 25 Grad | ||
2,6 | VGE =0 V, WENN =25 A, TVJ = 125 Grad | |||||
2,9 | VGE =0 V, WENN =25 A, TVJ = 175 Grad | |||||
Gate-Sender Leckstrom | IGES | 100 | Entfällt | VCE =0 V, VGE=20 V. | ||
Nullabgleich -Spannung Kollektorstrom | ICES | 50 | μA | VCE =650 V, VGE =0 V. |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Gesamtgebühr für Gate | Qg | 111 | NC | VGE = 15 V, VCC = 520 V, IC = 50 A | ||
Gate-Emitter-Ladung | Qge | 52 | NC | |||
Gate-Collector-Ladung | Qgc | 22 | NC |
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
Rücklaufzeit der Diode | trr | 38 | ns | VR = 400 V, WENN = 50 A, DIF/dt=500 A/μs TVJ =25 C. | ||
Rücklaufladung der Diode | Qrr | 100 | NC | |||
Diode Spitzenwert Rückkehrstrom | Irrm | 5,4 | A |
Paket Typ | Einheiten/ Rohr | Schläuche/ Innenbox | Einheiten/ Innenbox | Innenboxen / Karton | Einheiten/ Karton |
TO247-J | 30 | 20 | 600 | 5 | 3000 |
Produkt | Paket | Pb -Frei | RoHS | Halogenfrei |
OST50N65HEWF | TO247 | ja | ja | ja |