Transistorverbesserung sic Diode TO247 Ost50n65hewf Vces-650V maximale Anschlussstelle Temperature175, IC, Pulse-200A VCE (Sat) -1,6V QG-111nc N-Kanal Power IGBT

Min.Order: 600

Product origin: Shanghai, China

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US$ 03-13 $

Description

Allgemeine Beschreibung
OST50N65HEWF nutzt die patentierte Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) Technologie von Oriental-Semi , um extrem   niedrige VCE(Sat), niedrige Gate -Ladung und ausgezeichnete Schaltleistung zu bieten. Dieses Gerät ist für Schaltfrequenz       -Wandler im mittleren bis hohen Bereich geeignet.

Funktionen
     Fortschrittliche TGBTTM -Technologie
     Ausgezeichnete Leitungs - und Schaltverluste
     Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
     Schnelle und weiche antiparallele SiC -Diode

Anwendungen
     Induktionswandler
     Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Wichtige Leistungsparameter

Parameter	Wert	Einheit
VCES, min . @ 25 Grad	650	V
Maximale Temperatur der Verbindung	175	GRAD
IC, Impuls	200	A
VCE(Sat), Typ . @ VGE=15 V.	1,6	V
Qg	1 11	NC

Absolute Höchstwerte bei TVJ=25 Grad, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Kollektoremitterspannung	VCES	650	V
Gate -Emitter -Spannung	VGES	±20	V
Transiente Gate -Emitter -Spannung, TP≤10 µs, D<0,01	VGES	±30	V
Dauerkollektor current1), TC=25 Grad	IC	80	A
Dauerkollektor current1), TC=100 Grad	IC	50	A
Gepulster Kollektor current2), TC=25 Grad	IC, Impuls	200	A
Diode vorwärts current1), TC=25 Grad	WENN	30	A
Diode vorwärts current1), TC=100 Grad	WENN	20	A
Diode gepulst current2), TC=25 Grad	WENN, Puls	200	A
Leistung dissipation3), TC=25 Grad	PD	375	W
Leistung dissipation3), TC=100 Grad	PD	150	W
Betriebs - und Lagertemperatur	Tstg, Tvj	-55 bis 175	GRAD
Kurzschlussfestigkeit VGE =15 V, VCC≤400 V Zulässige Anzahl von Kurzschlüssen <1000 Zeit zwischen Kurzschlüssen :≥1,0 S TVJ = 150 Grad	SC	10	μs

Thermische Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
IGBT -Wärmewiderstand , Anschlussgehäuse	RθJC	0,4	C/W
Thermowiderstand der Diode , Anschlussgehäuse	RθJC	1,29	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	40	C/W

Elektrische Eigenschaften bei TVJ=25 Grad, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung Kollektor-Emitter	V(BR)CES	650			V	VGE =0 V, IC =0,5 MA
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter	VCE (Sat)		1,6	1,85	V	VGE = 15 V, IC = 50 A TVJ = 25 Grad
			1,8		V	VGE =15 V, IC=50 A, TVJ = 125 Grad
			1,9			VGE =15 V, IC=50 A, TVJ = 175 Grad
Gate-Emitter -Schwellenspannung	VGE(th)	3,5	4,5	5,5	V	VCE =VGE , ID =0,5 MA
Diode vorwärts Spannung	VF		2,2		V	VGE =0 V, WENN =25 A TVJ = 25 Grad
			2,6			VGE =0 V, WENN =25 A, TVJ = 125 Grad
			2,9			VGE =0 V, WENN =25 A, TVJ = 175 Grad
Gate-Sender Leckstrom	IGES			100	Entfällt	VCE =0 V, VGE=20 V.
Nullabgleich -Spannung Kollektorstrom	ICES			50	μA	VCE =650 V, VGE =0 V.

Gate -Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		111		NC	VGE = 15 V, VCC = 520 V, IC = 50 A
Gate-Emitter-Ladung	Qge		52		NC
Gate-Collector-Ladung	Qgc		22		NC

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Rücklaufzeit der Diode	trr		38		ns	VR = 400 V, WENN = 50 A, DIF/dt=500 A/μs TVJ =25 C.
Rücklaufladung der Diode	Qrr		100		NC
Diode Spitzenwert Rückkehrstrom	Irrm		5,4		A

Hinweis
1) berechneter Dauerstrom   auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur .
2) sich wiederholende Nennleistung; Impulsbreite   durch   max. Grenzschichttemperatur begrenzt.
3) Pd basiert   auf der max. Grenzschichttemperatur , unter Verwendung des thermischen   Widerstands des Grenzschichtgehäuses.
4) der Wert   von RθJA wird   mit dem Gerät auf  1 in quadratischen FR-4 Platine mit 2oz montiert gemessen. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung   mit Ta=25 Grad

Bestellinformationen

Paket Typ	Einheiten/ Rohr	Schläuche/ Innenbox	Einheiten/ Innenbox	Innenboxen / Karton	Einheiten/ Karton
TO247-J	30	20	600	5	3000

Produktinformationen

Produkt	Paket	Pb -Frei	RoHS	Halogenfrei
OST50N65HEWF	TO247	ja	ja	ja

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Umweltfreundliche Produktdeklaration

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