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ZG 5n60 MOSFET 600V 2,8A To220f 5n60
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Min.Order: 1.000
Product origin: Taizhou, Jiangsu, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ 0.039

Description


ZG5N60 ist ein N-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET, der unter Einsatz von Zhongxin Micro-Electronics's proprietären produziert wird. Der selbstausgerichtete planare Prozess und die verbesserte Klemmentechnologie reduzieren die Leitungsverluste, verbessern die Schaltleistung und erhöhen die Lawinenenergie. Der Transistor kann in verschiedenen Leistungsschaltungen für höhere Effizienz und Systemminiaturisierung eingesetzt werden.



HAUPTMERKMALE   
 
VDSS 600 V
 ID 4,0 A
RDS(EIN) 2,0 Ω
Crs 8 PF






   ABSOLUTE HÖCHSTWERTE (TC=25ºC)                   

 

Parameter
Symbol
Wert
Einheit
-
Drain-Source-Spannung 		VDSS 600 V

Setzt Den Ablassstrom Fort 		ID TC=25ºC 4* A
TC=100ºC 2,5*
( 1)
Ablassstrom (Hinweis 1) 		IDM 16 A

Gate-zu-Source-Spannung 		VGS ±30 V
( 2)
Single Pulsed Avalanche Energy (Hinweis 2) 		EAS 218 MJ
( 1)
Lawinenstrom (Hinweis 1) 		IAR 4,0 A
( 1)
Repetitive Avalanche Energy (Hinweis 1) 		OHR 10 MJ
( 3)
Peak Diode Recovery (Hinweis 3) 		dv/dt 4,5 V/ns

Verlustleistung 		PD
TC=25ºC 		TO-251/TO-252 51 W
TO-220/TO-262 100
TO-220F 33

Verlustfaktor Der Verlustleistung 		PD (DF)
Über 25ºC 		TO-251/TO-252 0,39 W/ºC
TO-220/TO-262 0,8
TO-220F 0,26
 
Betriebstemperaturbereich und Lagertemperatur 		TJ, TSTG 150,-55~+150 ºC

Maximale Temperatur für Löten 		TL 300 ºC

  THERMISCHER CHARACTERIASTIC                                                      
 

Parameter
Symbol
Max
Einheit

Thermischer Widerstand, Abzweigung zum Gehäuse 		RTH (j-c) TO-251/TO-252 2,5 W
TO-220/TO-262 1,25
TO-220F 3,79

Thermischer Widerstand, Abzweigung zu Umgebung 		RTH (j-A) TO-251/TO-252 83 W/ºC
TO-220/TO-262 62,5
TO-220F 62,5
*
* Drain Strom durch maximale Sperrschichttemperatur begrenzt


   ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN                                                   
 
  Off-Eigenschaften

Parameter
Symbol
Testbedingungen
Min
Typ
Max
Einheit
-
Abflussquelle, Durchschlagspannung 		BVDSS ID=250ΜA, VGS=0V 600 - - V

Temperaturkoeffizient Der Durchschlagspannung  		△BVDSS/△TJ ID=250μA, referenziert auf 25ºC - 0,7 - V/ºC
 
Nullablassstrom Für Spannung 		IDSS VDS=600V,VGS=0V,  TC=25ºC - - 1 μA
VDS=480V, TC=125ºC - - 10

Leckstrom am Torgehäuse,  vorwärts 		IGSSF VDS=0V, VGS =30V - - 100 Entfällt

Leckstrom am Torgehäuse,  Rückwärtsgang 		IGSSR VDS=0V, VGS =  -30V - - -100 Entfällt


 
  Ein-Merkmale

Parameter
Symbol
Testbedingungen
Min
Typ
Max
Einheit

Gate-Schwellenspannung 		VGS(th) VDS = VGS , ID=250ΜA 2,0 - 4,0 V

Widerstand Der Statischen Entleerungsquelle  		RDS(EIN) VGS =10V , ID=2,0A - 2,0 2,5 Ω

Durchlassleitwert 		gfs VDS = 40V, ID = 2,0A (NOTE4) - 4,0 - S


 
  Dynamische Merkmale

Parameter
Symbol
Testbedingungen
Min
Typ
Max
Einheit

Eingangskapazität 		Ciss VDS=25V,  VGS =0V,  F=1,0MHZ - 510 660 PF

Ausgangskapazität 		Coss - 54 70 PF

Kapazität der Umkehrübertragung 		Crs - 8 10 PF
 
  Schalteigenschaften

Parameter
Symbol
Testbedingungen
Min
Typ
Max
Einheit
Einschaltverzögerung td(ein) VDD=300V,  ID=4A,  RG=25Ω
(Hinweis 4,5) 		- 16 42 ns
Anstiegszeit einschalten tr - 48 112 ns
Abschaltverzögerung td(aus) - 48 105 ns
Abschaltzeit tf - 38 86 ns
Gesamtladezustand Des Gate Qg VDS =480V ,  ID=4A, VGS =10V
(Hinweis 4,5) 		- 15 20 NC
-Gate-Source-Ladung Qgs - 2,8 - NC
-Gate-Drain-Ladung Qgd - 6,8 - NC
 
-  
Eigenschaften der Diode für die Abflussquelle und maximale Nennwerte

Parameter
Symbol
Testbedingungen
Min
Typ
Max
Einheit

Maximaler Durchlassstrom Für Diode Mit Kontinuierlicher Abflussquelle 		IST - - 4 A

Maximaler Impulsstrom Für Diode  Mit Abflussquelle 		ISM - - 16 A

Durchlassspannung Der Diode Mit Ablassquelle  		VSD VGS=0V, IS=4A - - 1,4 V

Rückfahrzeit 		trr VGS=0V, IS=4A
DIF/dt=100A/μs (Hinweis 4) 		- 320 - ns

Rückfahrladung 		Qrr - 2,4 - μC
 



Hinweise:
1:Impulsbreite durch maximale Grenzschichttemperatur begrenzt
2:L=25MH, IAS=4A, VDD=50V, RG=25Ω, START TJ=25ºC
3:ISD ≤4A, di/dt ≤300A/μs, VDD≤BVDSS, Start TJ=25ºC
4:Pulstest: Pulsbreite ≤300μs, Tastgrad≤2 %
5:im Wesentlichen unabhängig von der Betriebstemperatur
 


  ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Kurven)                            
   
1.                                   2.
Abb. 1 On-State-Eigenschaften                                                          Abb. 2 Übertragungseigenschaften

            3.                     4.
Abb. 3 Spannungsabweichung vs. Temperatur         Abb. 4 Schwankungen des On-Resistance-Widerstands im Vergleich zur Temperatur
 
                     5.                                                       6.
Abb. 5 Kapazitätseigenschaften                                      Abb. 6 Gate-Ladeeigenschaften

       
7.                                 8.
Abb. 7 Maximaler Sicherer Betriebsbereich        Abb. 8 maximaler Ölwechselstrom vs. Gehäusetemperatur

9. (TO-251/TO-252)
Abb. 9 Transiente thermische Ansprechkurve (TO-251/TO-252)

     10. (TO-220/TO-262)
Abb. 10 Transiente thermische Ansprechkurve (TO-220/TO-262)

11. (TO-220F)
Abb. 11 Transiente thermische Ansprechkurve (TO-220F)

  TESTEN VON SCHALTUNGEN UND SIGNALFORMEN                                        

12.  
Fig,12 Prüfschaltung Für Resistive Schaltungen Und Signalformen


13.  
Fig,13 Gate-Ladetest, Schaltkreis Und Signalform


14.  
Fig,14 Nicht Eingespannte Induktive Schaltprüfung, Schaltkreis Und Signalformen


  TPACKAGE MECHANISCHE DATEN                                          
TO-251
ABMESSUNG MILLIMETER ABMESSUNG MILLIMETER
    
A 2,2±0,5 H 1,8±0,5
    
B 5,2±0,25 I 0,8±0,05
    
C 5,3±0,25 J 0,508±0,015
    
D 4,5±0,5 K 2,3±0,25
    
E 6,3±0,25 L 0,5±0,1
    
F 2,3±0,05 M 0,508±0,015
    
G 0,6±0,05 N 7,5±0,5
    




TO-252
ABMESSUNG MILLIMETER ABMESSUNG MILLIMETER
A 2,2±0,5 I 0,8±0,05
    
B 5,2±0,25 J 0,508±0,015
    
C 5,3±0,25 K 2,3±0,25
    
D 4,5±0,5 L 0,5±0,1
    
E 6,3±0,25 M 0,508±0,015
    
F 2,3±0,05 N 1,5±0,25
    
G 0,6±0,05 O 1,0±0,25
    
H 0,7±0,5   
    









TO-262


 
ABMESSUNG MILLIMETER ABMESSUNG MILLIMETER
    
A 4,70±0,08 E1 7,85±0,08
    
A1 2,75±0,05 E 2,54±0,05
    
C 0,38±0,03 L 14,00±0,08
    
C2 1,27±0,03 L1 1,275±0,05
    
D 8,40±0,05 L2 3,75±0,08
    
D1 6,55±0,08 b 0,80±0,05
    
E 10,15±0,08 B2 1,22±0,05
    






  Hinweis                                                                               

 
  1. Das Überschreiten der maximalen Leistung des Geräts kann zu Schäden am Gerät  führen,  auch zu einem dauerhaften Ausfall, der die Zuverlässigkeit des Geräts beeinträchtigen kann. Es wird empfohlen, unter 80 Prozent der maximalen Bewertungen des Geräts verwendet werden.
  2. Achten Sie bei der Montage des Kühlkörpers     auf das  Verdrehmoment   und die  Laufruhe des Kühlkörpers.
  3. VDMOSFETs ist das Gerät, das empfindlich auf die statische Elektrizität  ist, ist es notwendig, das Gerät vor Schäden durch die statische Elektrizität zu schützen, wenn es verwendet wird.
  4. Diese Veröffentlichung wird von Zhongxin Microelectronics erstellt und unterliegt regelmäßigen Änderungen ohne vorherige Ankündigung.
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