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| Eingang | AC 100-240V~50/60HZ 1A |
| GW | 22kg |
| Produktgröße | 50*50*69mm |
Bei herkömmlichen Halbleitermaterialien führt eine hohe Schaltfrequenz zu hohen Schaltverlusten, während die geringen Dämpfungseigenschaften von GaN-Materialien die Wärmeentwicklung reduzieren können.
Durch die Erhöhung der Schaltfrequenz kann das Volumen der Transformatoren und Kondensatoren reduziert werden, was dazu beiträgt, das Volumen und das Gewicht des Ladegeräts zu reduzieren.
Da die Schnellladeleistung immer höher wird, kann man sagen, dass die Massenproduktion von GaN-Ladegeräten für den zivilen Einsatz eine Entwicklungsrichtung von Ladegeräten in der Zukunft darstellt.
Obwohl der aktuelle Preis relativ hoch ist, wird angenommen, dass in naher Zukunft, da die Technologie von GaN-Materialien reifer und beliebter wird, die Kosten für GaN-Ladegeräte immer niedriger werden.
Galliumnitrid, molekulare Formel GaN, englischer Name Galliumnitrid, ist eine Verbindung von Stickstoff und Gallium. Es ist ein direkter Bandspalt (direkter Bandspalt) Halbleiter und wird derzeit in Schnellladegeräten eingesetzt.
Die Leistung wird von den Kunden weithin anerkannt. In den nächsten 1-3 Jahren wird es einen sehr breiten Markt geben.
