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B5116ECMDXGJD-HE DRAM Chip DDR3L SDRAM 8Gbit 512M x 16 1,35V 96-poliger FBGA-IC
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B5116ECMDXGJD-HE DRAM Chip DDR3L SDRAM 8Gbit 512M x 16 1,35V 96-poliger FBGA-IC

Min.Order: 1.000
Product origin: Shenzhen, Guangdong, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ 16 ~ 200

Description

Beschreibung

B5116ECMDXGJD-U  :  8G Bit DDR3L SDRAM 512 M Worte x 16 Bit) 96-Ball FBGA

Mfr. Teil#: B5116ECMDXGJD-U

MFR.: KINGSTON

Datenblatt:  (E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:  

Qualität: 100% Original

Garantie: EIN JAHR
 

 
Beschreibung Wert
 
Adressbusbreite 16 Bit
 
Datenbusbreite 16 Bit
 
Dichte 8 Gbit
 
Maximale Taktrate 933 MHz
 
Maximaler Betriebsstrom 125 mA
 
Maximale Zeit Für Den Zufälligen Zugriff 20 ns
 
Anzahl der Banken 8
 
Anzahl der Bits pro Wort 16 Bit
 
Anzahl der E/A-Leitungen 16 Bit
 
Betriebsspannung 2,6, 4,8 V
 
Betriebstemperatur -40 bis 85 Grad Celsius
 
Organisation 512M x 16
 
Pin-Anzahl 96
 
Produktabmessungen 9 x 13,5 x 0,85 mm
 
Screening-Stufe Industrie
 
Lieferantenpaket FBGA
 
Typ DDR3L SDRAM
 

B5116ECMDXGJD

8GB 96 Kugel FBGA DDR3/3L

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
9 x 13,5 x 1,2 512 Mx16 1866 Mbit/S 1,35V1 0 ~ +95 GRAD CELSIUS
 


Spezifikationen
• Dichte: 8G Bit
• Organisation 64Mwords x 16bits x 8banks
• Gehäuse 96-Ball FBGA bleifrei (RoHS-konform) und halogenfrei
• Stromversorgung: 1,35V (Typ.) VDD, VDDQ = 1,283V bis 1,45V abwärtskompatibel für VDD, VDDQ = 1,5V 0,075V
• Datenrate 1866Mbps / 1600Mbps (max.)
• 2KB page size Zeilenadresse: A0 bis A15 Spaltenadresse: A0 bis A9
• acht interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
• Berstlängen (BL): 8 und 4 mit Berstkellungen (BC)
• Burst-Typ (BT): Sequenziell (8, 4 mit BC) Interleave (8, 4 mit BC)
• Programmierbare/CAS-Latenz (Read) (CL)
• Programmierbare Schreiblatenz (CWL) /CAS
• Vorladung: automatische Vorladung Option für jeden Burst-Zugang
• Treiberstärke: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240Ω)
• Aktualisieren: automatische Aktualisierung, automatische Aktualisierung


Funktionen
• Architektur mit doppelter Datenrate: Zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
• die Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung wird durch den 8 realisiert Bits Prefetch pipelined architecture
• bidirektionaler differenzieller Datenblitz (DQS und /DQS) Wird mit Daten zur Datenerfassung am Empfänger übertragen/empfangen
• DQS ist mit Daten für Lesevorgänge an der Kante ausgerichtet; mittig mit Daten für Schreibvorgänge ausgerichtet
• Differentialtakteingänge (CK und /CK)
• DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge mit CK-Übergängen aus
• Befehle, die an jeder positiven CK-Kante eingegeben werden; Daten und Datenmaske, die auf beide Kanten von DQS verweisen
• Datenmaske (DM) für Schreibdaten
• Posted /CAS durch programmierbare additive Latenz für bessere Befehl Und Datenbuseffizienz
• On-die-Termination (ODT) für bessere Signalqualität synchroner ODT Dynamisches ODT Asynchrones ODT
• Mehrzweckregister (MPR) für vordefiniertes Auslesen des Musters
• ZQ-Kalibrierung für DQ-Antrieb und ODT
• Automatische Selbstaktualisierung (ASR)
• /RESET-Pin für die Einschaltsequenz und Reset-Funktion
• SRT-Bereich: Normal/erweitert
• Programmierbarer Ausgangstreiber Impedanz-Kontro




 

Standardteilenummern und Spezifikationen

D1216ECMDXGJD

2GB 96 Kugel FBGA DDR3/3L

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 13,5 x 1,2 128 Mx16 1866 Mbit/S 1,35V 0 ~ +95 GRAD CELSIUS

D2568ECMDPGJD

2GB 78 Kugel FBGA DDR3/3L

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 10,6 x 1,2 256 Mx8 1866 Mbit/S 1,35V 0 ~ +95 GRAD CELSIUS

D2516ECMDXGJD

4GB 96 Kugel FBGA DDR3/3L

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 13,5 x 1,2 256 Mx16 1866 Mbit/S 1,35V1 0 ~ +95 GRAD CELSIUS

D5128ECMDPGJD

4GB 78 Kugel FBGA DDR3/3L

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 10,6 x 1,2 512 Mx8 1866 Mbit/S 1,35V1 0 ~ +95 GRAD CELSIUS

D2516ECMDXGME

4GB 96 Kugel FBGA DDR3/3L

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 13,5 x 1,2 256 Mx16 2133 Mbit/S 1,35V1 0 ~ +95 GRAD CELSIUS

B5116ECMDXGJD

8GB 96 Kugel FBGA DDR3/3L

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
9 x 13,5 x 1,2 512 Mx16 1866 Mbit/S 1,35V1 0 ~ +95 GRAD CELSIUS

D1216ECMDXGJDI

2GB 96 Kugel FBGA DDR3/3L i-Temp

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 13,5 x 1,2 128 Mx16 1866 Mbit/S 1,35V -40 ~ +95 GRAD CELSIUS

D2568ECMDPGJDI

2GB 78 Kugel FBGA DDR3/3L i-Temp

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 10,6 x 1,2 256 Mx8 1866 Mbit/S 1,35V -40 ~ +95 GRAD CELSIUS

D2516ECMDXGJDI

4GB 96 Kugel FBGA DDR3/3L i-Temp

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 13,5 x 1,2 256 Mx16 1866 Mbit/S 1,35V1 -40 ~ +95 GRAD CELSIUS

D5128ECMDPGJDI

4GB 78 Kugel FBGA DDR3/3L i-Temp

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 10,6 x 1,2 512 Mx8 1866 Mbit/S 1,35V1 -40 ~ +95 GRAD CELSIUS

D2516ECMDXGMEI

4GB 96 Kugel FBGA DDR3/3L i-Temp

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 13,5 x 1,2 256 Mx16 2133 Mbit/S 1,35V1 -40 ~ +95 GRAD CELSIUS

B5116ECMDXGJDI

8GB 96 Kugel FBGA DDR3/3L i-Temp

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
9 x 13,5 x 1,2 512 Mx16 1866 Mbit/S 1,35V1 -40 ~ +95 GRAD CELSIUS

D5116AN9CXGRK

8GB 96 Kugel FBGA DDR4 C-Temp

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 13 x 1,2 512 Mx16 2666 Mbit/S 1,2V 0 ~ +95 GRAD CELSIUS

D5116AN9CXGXN

8GB 96 Kugel FBGA DDR4 C-Temp

Paket Konfiguration Geschwindigkeit Mbit/S. VDD, VDDQ Betriebstemperatur
7,5 x 13,5 x 1,2 512 Mx16 3200 Mbit/S 1,2V 0 ~ +95 GRAD CELSIUS









 
 

















 

Warum wir uns entscheiden

  • Das Hotel befindet sich in Shenzhen, dem elektronischen Marktzentrum Chinas.
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