Aux-Flyback-Konverter Halbleiter-Leistungs-Mosfet

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Product origin: Shanghai, China

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US$ 02 $

Description

Allgemeine Beschreibung

OSG90R1K2xF verwendet die fortschrittliche GreenMOSTM-Technologie, um einen niedrigen RDS(ON), eine geringe Gate-Ladung, schnelles Schalten und ausgezeichnete Lawineneigenschaften zu bieten. Dieses Gerät eignet sich für aktive Leistungsfaktorkorrektur und Schaltnetzteil-Anwendungen.

Funktionen Anwendungen

Niedrige RDS(ein) und FOM -Beleuchtung
Extrem niedrige Schaltverluste hartschaltender PWM
Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit Stromversorgung des Servers
Einfach zu fahren Ladegerät

Wichtige Leistungsparameter

1. Absolute Höchstwerte bei Tj=25ºC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Ablassspannung	VDS	900	V
Gate-Quellenspannung	VGS	±30	V
Kontinuierlicher Ablauf current1⁾, TC=25 ºC	ID	5	A
Kontinuierlicher Ablauf current1⁾, TC=100 ºC	ID	3,2	A
Gepulster Ablauf current2⁾, TC=25 ºC	ID, Impuls	15	A
Power dissipation3) für TO251, TO262, TC=25 ºC	PD	83	W
Power dissipation3⁾ für TO220F, TC=25 ºC	PD	31	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5)	EAS	211	MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V	dv/dt	50	V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg,Tj	-55 bis 150	ºC

&bsp; Wärmeeigenschaften

Parameter	Symbol	Wert		Einheit
Parameter	Symbol	TO251/TO262	TO220F	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	1,5	4,0	ºC/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	62,5	ºC/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 ºC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	900			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	960	1070		V	VGS=0 V, ID=250 ΜA, TJ = 150 ºC
Gate-Schwellenspannung	VGS(th)	2,0		4,0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Widerstand der Abflussquelle bei ein-Zustand	RDS(EIN)		1,0	1,2	Ω	VGS=10 V, ID=2 A
Widerstand der Abflussquelle bei ein-Zustand	RDS(EIN)		2,88		Ω	VGS=10 V, ID=2 A, TJ = 150 ºC
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 30 V
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			-100	Entfällt	VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			10	μA	VDS = 900 V, VGS = 0 V.

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		874,2		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, f = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		37,5		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		1,7		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		33,23		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=33 Ω, ID=5 A
Anstiegszeit	tr		26,50		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		44,00		ns
Herbstzeit	tf		17,63		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		12,50		NC	ID=5 A, VDS=400 V, VGS=10 V
Gate-Source-Gebühr	Qgs		3,75		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		4,28		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		5,8		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsstrom	IST			5	A	VGS<Vth
Gepulster Quellenstrom	ISP			15	A	VGS<Vth
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=5 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		265,87		ns	VR = 400 V, IS = 5 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		2,88		μC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		19,51		A

Hinweis

Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf 1 in 2 FR-4 Platine mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25 ºC.
VDD=100 V, RG=47 Ω, L=10 mH, Start Tj=25 ºC.

Markierungsinformationen

Produktname	Paket	Markierung
OSG65R038HZF	TO247	OSG65R038HZ

Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	650	V
Gate-Source-Spannung	VGS	±30	V
Dauerablauf current1⁾, TC = 25 Grad	ID	80	A
Dauerablauf current1⁾, TC = 100 Grad	ID	50	A
Gepulster Ablauf current2⁾, TC = 25 oC	ID, Impuls	240	A
Dauerdiode vorwärts current1⁾, TC=25 Grad	IST	80	A
Diode gepulst current2⁾, TC=25 oC	IS, Puls	240	A
Leistung dissipation3⁾ , TC = 25 Grad	PD	500	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5)	EAS	2900	MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V	dv/dt	100	V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tj	-55 bis 150	GRAD

Thermische Eigenschaften

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,25	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	700	770		V	VGS=0 V, ID=2 mA, Tj=150 Grad Celsius
Gate-Schwellenwert Spannung	VGS(th)	3,0		4,5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		0,032	0,038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
Abflussquelle Widerstand im Zustand „ein“	RDS(EIN)		0,083		Ω	VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 GRAD
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 30 V
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			-100	Entfällt	VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			10	μA	VDS = 650 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand	RG		2,1		Ω	ƒ=1 MHz, offener Drain

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		486		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		12,8		PF
Effektive Ausgangskapazität, energiebezogen	Co(er)		278		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Effektive Ausgangskapazität, zeitbezogen	Co(tr)		1477		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Einschaltverzögerung	td(ein)		55,9		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Anstiegszeit	tr		121,2		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		114,2		ns
Herbstzeit	tf		8,75		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		175,0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		40,1		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		76,1		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		6,4		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=80 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		180		ns	IST = 30 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		1,5		UC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		15,2		A

Hinweis

Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf 1 in 2 FR-4 Platine mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25 Grad
VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, Start Tj=25 Grad