Telecom Power RoHS 1/3 Kosten für Galliumnitrid (GaN) Gerät im Hochfrequenzbetrieb Super Si Oss65r340df To252 MOSFET

Min.Order: 660
Product origin: Shanghai, China
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US$ 0.2

Description
Allgemeine Beschreibung
Der GreenMOS® Hochspannungs-MOSFET nutzt Ladungsausgleich-Technologie, um einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erreichen. Es wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung und robuste Lawinenleistung zu bieten.
Die GreenMOS® SuperSi-Serie basiert auf dem einzigartigen Gerätedesign von Oriental Semiconductor, um extrem schnelle Schalteigenschaften zu erzielen. Es ist der perfekte Ersatz für das Gallium Nitride (GaN) Gerät im Hochfrequenzbetrieb mit besserer Robustheit und Kosten. Es ist darauf ausgerichtet, die aggressivsten Effizienzstandards von Stromversorgungssystemen zu erfüllen, indem sowohl Leistung als auch Leistungsdichte an extreme Grenzen gebracht werden.

Funktionen                                                                                                 
  • NIEDRIGER RDS(EIN) UND FOM
  • Extrem geringe Schaltverluste
  • Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
  • Einfache Gestaltung

Anwendungen
  • PD-Ladegerät
  • Großes Display
  • Telekommunikationsleistung
  • Serverleistung


Wichtige Leistungsparameter

 
Parameter Wert Einheit
VDS, min. @ Tj(max) 700 V
ID, Impuls 36 A
RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V 340
Qg 9,6 NC

Markierungsinformationen

 
Produktname Paket Markierung
OSS65R340DF TO252 OSS65R340D

Informationen Zu Paket Und Stift
 
    
    
 

 
 
Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Spannung der Abflussquelle VDS 650 V
Gate-Source-Spannung VGS ±30 V
Dauerablauf current1), TC = 25 Grad
ID
12
A
Dauerablauf current1), TC = 100 Grad 7,6
Gepulster Ablauf current2), TC = 25 oC ID, Impuls 36 A
Dauerdiode vorwärts current1), TC=25 Grad IST 12 A
Diode gepulst current2), TC=25 oC IS, Puls 36 A
Leistung dissipation3), TC = 25 Grad PD 83 W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5) EAS 200 MJ
MOSFET dv/dt Robustheit, VDS=0…480 V dv/dt 50 V/ns
Rückdiode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID dv/dt 15 V/ns
Betriebs- und Lagertemperatur Tstg, Tj -55 bis 150 GRAD

Thermische Eigenschaften
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse RθJC 1,5 C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4) RθJA 62 C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung

Durchschlagspannung der Abflussquelle

BVDSS
650   
V
VGS=0 V, ID=250 ΜA
700   VGS=0 V, ID=250 μA, Tj=150 Grad
Gate-Schwellenspannung VGS(th) 2,9  3,9 V VDS=VGS, ID=250 ΜA

Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand

RDS(EIN)
 0,30 0,34
Ω
VGS=10 V, ID=6 A
 0,73  VGS=10 V, ID=6 A, TJ=150 GRAD
Leckstrom der Gate-Quelle
IGSS
  100
Entfällt
VGS = 30 V
  -100 VGS = -30 V
Leckstrom der Abflussquelle IDSS   1 μA VDS = 650 V, VGS = 0 V.

Dynamische Merkmale
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Eingangskapazität Ciss  443,5  PF
VGS = 0 V, VDS = 50 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität Coss  59,6  PF
Kapazität der Umkehrübertragung Crs  1,7  PF
Einschaltverzögerung td(ein)  22,4  ns
VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 A
Anstiegszeit tr  17,5  ns
Verzögerungszeit ausschalten td(aus)  40,3  ns
Herbstzeit tf  7,2  ns

Gate-Ladeeigenschaften
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate Qg  9,6  NC

VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A
Gate-Source-Gebühr Qgs  2,2  NC
Gate-Drain-Ladung Qgd  4,5  NC
Gate-Plateauspannung Vplateau  6,5  V

Eigenschaften Der Körperdiode
Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung VSD   1,3 V IS=12 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit trr  236,5  ns
VR = 400 V, IS = 6 A,
Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung Qrr  2,2  μC
Spitzenstrom für Rücklauf Irrm  19,1  A

Hinweis
  1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
  2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
  3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
  4. Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf 1 in 2 FR-4 Platine mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25 Grad
  5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 mH, Start Tj=25 Grad


 
 





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