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N-Typ Topcon Zellen basieren auf einem n-dotierten kristallinen Siliziumwafer.
Photovoltaikzellen unterscheiden sich in ihrer Schichtstruktur in positiv geladene P-Zellen und negativ geladene N-Zellen. Bei P-Zellen wird die Basisschicht mit Bor dotiert, das ein Elektron weniger als Silizium hat. Dadurch entsteht ein Elektronenloch und die positiven Ladungsträger überwiegen. In N-Zellen wird die Grundschicht mit Phosphor dotiert. Dieses hat ein Elektron mehr als Silizium. Dieses Doping erzeugt freie Elektronen.
Die höhere Effizienz von N-Zellen wird durch diese freien Elektronen verursacht. Sie sind auch für die extrem geringen Leistungsverluste verantwortlich und verhindern Phänomene wie PID und LID.
| Modell des Solarpanels | GSM570M10-144HC | GSM575M10-144HC | GSM580M10-144HC | GSM585M10-144HC | GSM590M10-144HC |
| Spitzenleistung Watt-Pmax (Wp)* | 570W | 575W | 580W | 585W | 590W |
| Maximale Leistungsspannung - Vmpp (V) | 42,07 | 42,22 | 42,37 | 42,52 | 42,67 |
| Maximale Stromstärke (A) | 13,55 | 13,62 | 13,69 | 13,76 | 13,83 |
| Leerlaufspannung - VOC (V) | 50,74 | 50,88 | 51,02 | 51,16 | 51,30 |
| Kurzschlussstrom-ISC(A) | 14,31 | 14,39 | 14,47 | 14,55 | 14,63 |
| Moduleffizienz (%) | 22,06 | 22,25 | 22,44 | 22,64 | 22,84 |
| Ausgangstoleranz-Pmax (W) | 0~+5 | ||||
| Temperaturkoeffizient von Pmax | -0,3%/ºC | ||||
| Temperaturkoeffizient des VOC | -0,25%/ºC | ||||
| Temperaturkoeffizient von ISC | 0,046 %/ºC | ||||
| STC | Bestrahlungsstärke 1000W/m2, Zelltemperatur 25, Luftmasse AM1,5 | ||||
2279*1134*35mm / 29,4KG
31 Stück / Palette, 620 Stück / 40HC
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