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| Parameter | Wert | Einheit |
| VCES, min. @ 25 Grad | 1200 | V |
| Maximale Temperatur der Verbindung | 175 | GRAD |
| IC, Impuls | 160 | A |
| VCE(Sat), Typ. @ VGE=15V | 1,45 | V |
| Qg | 214 | NC |
| Produktname | Paket | Markierung |
| OST40N120HMF | TO247 | OST40N120HM |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Kollektoremitterspannung | VCES | 1200 | V |
| Gate-Emitter-Spannung | VGES | ±20 | V |
| Transiente Gate-Emitter-Spannung, TP≤0.5µs, D<0,001 | ±25 | V | |
| Dauerkollektor current1), TC=25ºC | IC | 56 | A |
| Dauerkollektor current1), TC=100ºC | 40 | A | |
| Gepulster Kollektor current2), TC=25ºC | IC, Impuls | 160 | A |
| Diode vorwärts current1), TC=25ºC | WENN | 56 | A |
| Diode vorwärts current1), TC=100ºC | 40 | A | |
| Diode gepulst current2), TC=25ºC | WENN, Puls | 160 | A |
| Leistung dissipation3), TC=25ºC | PD | 357 | W |
| Leistung dissipation3), TC=100ºC | 179 | W | |
| Betriebs- und Lagertemperatur | Tstg, Tvj | -55 bis 175 | GRAD |
| Kurzschlussfestigkeit VGE=15 V, VCC≤600 V Zulässige Anzahl von Kurzschlüssen<1000 Zeit zwischen Kurzschlüssen:≥1,0 S TVJ = 150 Grad | TSC | 10 | μs |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| IGBT-Wärmewiderstand, Anschlussgehäuse | RθJC | 0,42 | C/W |
| Thermowiderstand der Diode, Anschlussgehäuse | RθJC | 0,75 | C/W |
| Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4) | RθJA | 40 | C/W |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Durchschlagspannung Kollektor-Emitter | V(BR)CES | 1200 | V | VGE = 0 V, IC = 0,5 MA | ||
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter | VCE (Sat) | 1,45 | 1,8 | V | VGE=15 V, IC=40 A TVJ=25 GRAD | |
| 1,65 | V | VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =125 GRAD | ||||
| 1,8 | VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =175 GRAD | |||||
| Gate-Sender Schwellenspannung | VGE(th) | 4,8 | 5,8 | 6,8 | V | VCE=VGE, ID=0,5 MA |
Diodenvorwärtsspannung | VF | 1,9 | 2,1 | V | VGE=0 V, WENN=40 A TVJ =25 GRAD | |
| 1,6 | VGE=0 V, WENN=40 A, TVJ =125 OC | |||||
| 1,5 | VGE=0 V, WENN=40 A, TVJ =175 OC | |||||
| Gate-Sender Leckstrom | IGES | 100 | Entfällt | VCE = 0 V, VGE = 20 V. | ||
| Nullabgleich-Spannung Kollektorstrom | ICES | 10 | μA | VCE=1200V, VGE=0 V. |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Eingangskapazität | Cies | 11270 | PF | VGE=0 V, VCE=25 V, ƒ = 100 kHz | ||
| Ausgangskapazität | Coes | 242 | PF | |||
| Kapazität der Umkehrübertragung | Cres | 10 | PF | |||
| Einschaltverzögerung | td(ein) | 120 | ns | VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=40 A | ||
| Anstiegszeit | tr | 88 | ns | |||
| Verzögerungszeit ausschalten | td(aus) | 246 | ns | |||
| Herbstzeit | tf | 160 | ns | |||
| Energie einschalten | Aeon | 3,14 | MJ | |||
| Energie ausschalten | Eoff | 1,02 | MJ | |||
| Einschaltverzögerung | td(ein) | 112 | ns | VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=20 A | ||
| Anstiegszeit | tr | 51 | ns | |||
| Verzögerungszeit ausschalten | td(aus) | 284 | ns | |||
| Herbstzeit | tf | 148 | ns | |||
| Energie einschalten | Aeon | 1,32 | MJ | |||
| Energie ausschalten | Eoff | 0,53 | MJ |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Gesamtgebühr für Gate | Qg | 214 | NC | VGE=15 V, VCC=960 V, IC=40 A | ||
| Gate-Emitter-Ladung | Qge | 103 | NC | |||
| Gate-Collector-Ladung | Qgc | 40 | NC |
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Einheit | Testbedingung |
| Rücklaufzeit der Diode | trr | 293 | ns | VR = 600 V, WENN = 40 A, DIF/dt=500 A/μs TVJ = 25 C. | ||
| Rücklaufladung der Diode | Qrr | 2,7 | μC | |||
| Diode Spitzenwert Rückkehrstrom | Irrm | 25 | A |
| Pakettyp | Einheiten/Rohr | Schläuche/Innenbox | Einheiten/Innenbox | Innenboxen/Karton | Einheiten/Karton |
| TO247-P | 30 | 11 | 330 | 6 | 1980 |
| Produkt | Paket | Pb-Frei | RoHS | Halogenfrei |
| OST40N120HMF | TO247 | ja | ja | ja |
