Placa cerámica de carburo de silicio SIC como material refractario

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Product origin: Zhuzhou, Hunan, China
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US$ 8

Description

Placa cerámica de carburo de silicio SIC como material refractario





Rendimiento para cerámica de carburo de silicio:

 
Elemento Unidad Datos
Contenido SIC % ≥98,5
Temperatura de funcionamiento °C 1380
Densidad g/cm3 ≥3,1
Porosidad % <0,1
Resistencia a la flexión MPA 250 (20°C)
280(1200°C )
Módulo elástico GPA 330 (20°C)
300(1200°C )
Conductividad térmica W/ M· K 45(1200°C )
Coeficiente de expansión térmica K-1×10-6 4,5
La dureza de MOH  13
Propiedad de base ácida  Excelente
 



   
  
  
      





 

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