El paráMetro | Los valores garantizados / real | UOM | |
MéTodo de crecimiento: | Agv | ||
Tipo de conducta: | S-I-N | ||
Dopant: | Undoped | ||
DiáMetro: | 50.7±0.1 | Mm | |
OrientacióN: | (100)±0,50 | ||
De la ubicacióN/longitud: | EJ [ 0-1-1]±0.50/16±1 | ||
Si la ubicacióN/longitud: | EJ 0-1 [ 1 ]±0.50/7±1 | ||
La resistividad: | Min:1.0 E8 | MáX.:2.2 E8 | Ω·Cm. |
Movilidad: | Min:4500 | Max:5482 | Cm2/v.S |
El EPD: | Min:700 | MáX.:800 | / Cm2 |
Grosor: | 350±20 | ΜM | |
Redondeo de cantos: | 0.25 | La mmR | |
De marcado láSer: | N/A | ||
Vtt/TIR: | Max:10 | ΜM | |
BOW: | Max:10 | ΜM | |
Warp: | Max:10 | ΜM | |
Partical Recuento: | <50/wafer(para la partíCula>0.3um) | ||
El acabado de superficie- la parte delantera: | Pulido | ||
El acabado de superficie :: | Grabados | ||
Epi-Ready: | Sí |
El paráMetro | Los valores garantizados / real | UOM | |
MéTodo de crecimiento: | Agv | ||
Tipo de conducta: | S-I-N | ||
Dopant: | Undoped | ||
DiáMetro: | 76.2±0.2 | Mm | |
OrientacióN: | (100) 00±0,50 | ||
De la ubicacióN/longitud: | EJ [ 0-1-1]±0.50/22±2 | ||
Si la ubicacióN/longitud: | EJ 0-1 [ 1 ]±0.50/11±2 | ||
La resistividad: | Min:1E8 | Max:1,03E8 | Ω·Cm. |
Movilidad: | Min:5613 | Max:6000 | Cm2/v.S |
El EPD: | Min:700 | MáX.:800 | Max: |
Grosor: | 625±20 | ΜM | |
Redondeo de cantos: | 0.375 | La mmR | |
De marcado láSer: | N/A | ||
Vtt: | N/A | ΜM | |
El acabado de superficie- la parte delantera: | Pulido | ||
El acabado de superficie :: | Grabados | ||
Epi-Ready: | Sí |
El paráMetro | Los valores garantizados / real | UOM | |
MéTodo de crecimiento: | Agv | ||
Tipo de conducta: | S-I-N | ||
Dopant: | Undoped | ||
DiáMetro: | 100.0±0.2 | Mm | |
OrientacióN: | (100)±0,30 | ||
De la ubicacióN/longitud: | EJ [ 0-1-1]±0.50/32.5±1 | ||
Si la ubicacióN/longitud: | EJ 0-1 [ 1 ]±0.50/18±1 | ||
La resistividad: | Min:1.5 E8 | MáX.:2.0 E8 | Ω·Cm. |
Movilidad: | Min:4832 | Max:4979 | Cm2/v.S |
El EPD: | Min:600 | MáX.:700 | / Cm2 |
Grosor: | 625±25 | ΜM | |
Redondeo de cantos: | 0.375 | La mmR | |
Vtt/TIR: | Max:3 | ΜM | |
BOW: | Max:4 | ΜM | |
Warp: | Max:5 | ΜM | |
Partical Recuento: | <100/wafer(para la partíCula>0.3um) | ||
El acabado de superficie- la parte delantera: | Pulido | ||
El acabado de superficie :: | Pulido | ||
Epi-Ready: | Sí |
El paráMetro | Requisitos del cliente | Los valores garantizados / real | UOM | ||
MéTodo de crecimiento: | Agv | Agv | |||
Tipo de conducta: | S-C-P | S-C-P | |||
Dopant: | GaAs-Zn | GaAs-Zn | |||
DiáMetro: | 50.8±0.4 | 50.8±0.4 | Mm | ||
OrientacióN: | (100)±0,50 | (100)±0,50 | |||
De la ubicacióN/longitud: | EJ [ 0-1-1]±0.50/16±1 | EJ [ 0-1-1]±0.50/16±1 | |||
Si la ubicacióN/longitud: | EJ 0-1 [ 1 ]±0.50/7±1 | EJ 0-1 [ 1 ]±0.50/7±1 | |||
CC:Lingote | Min:1 E19 | Max:5 E19 | Min:1.4 E19 | MáX.:1.9 E19 | /Cm3 |
La resistividad: | MíN.:N/A | MáX.:N/A | MíN.:N/A | MáX.:N/A | Ω·Cm. |
Movilidad: | MíN.:N/A | MáX.:N/A | MíN.:N/A | MáX.:N/A | Cm2/v.S |
El EPD: | Max:5000 | Min:600 | MáX.:700 | / Cm2 | |
Grosor: | 350±25 | 350±25 | ΜM | ||
El acabado de superficie- la parte delantera: | Pulido | Pulido | |||
El acabado de superficie :: | Grabados | Grabados | |||
Epi-Ready: | Sí | Sí |
ImáGenes del producto:
P:¿QuéEs la forma de envíO y el costo?
R:(1) Aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, etc.
(2) Si usted tiene su propia cuenta express, es genial.Si no, podemos ayudarle enviarlos.
P:¿CóMo pagar?
R:T/T, Paypal, etc
P:¿CuáL es su MOQ?
R: (1) Para el inventario, la MOQ es de 5 pcs.
(2) para productos personalizados, MOQ es 10pcs-25PC.
P:¿CuáL es la hora de entrega?
R: (1) Para los productos estáNdar
Para el inventario:La entrega es de 5 DíAs laborables despuéS de realizar el pedido.
Para productos personalizados:La entrega es de 2 O 3 Semanas despuéS de realizar el pedido.
(2) Para los productos de forma especial, la entrega es de 4 O 6 Workweeks despuéS de realizar el pedido.
Q:¿Tienen los productos estáNdar?
R:Nuestros productos estáNdar en stock.
P:¿Puedo Personalizar los productos basados en mi necesidad?
R:Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y recubrimiento óPtico para sus componentes óPticos basados en sus necesidades.