El arseniuro de galio (GaAs) Wafer

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Product origin: Jiaozuo, Henan, China
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Description

El arseniuro de galio (GaAs) Wafer

 
Lo que nos puede proporcionar:

GaAs obleas:Lingotes de monocristal:2-6pulg.
OrientacióN:  (100)(111)
Tipo:Ntipo dopados silicio tipo P, dopado con Zn, Is undoped


descripcióN de producto

1.EspecificacióN detallada:

El paráMetro Los valores garantizados / real UOM
MéTodo de crecimiento:Agv  
Tipo de conducta:S-I-N  
Dopant:Undoped  
DiáMetro:50.7±0.1 Mm
OrientacióN:(100)±0,50  
De la ubicacióN/longitud:EJ  [ 0-1-1]±0.50/16±1  
Si la ubicacióN/longitud:EJ 0-1 [ 1 ]±0.50/7±1  
La resistividad:Min:1.0 E8 MáX.:2.2 E8 Ω·Cm.
Movilidad:Min:4500 Max:5482 Cm2/v.S
El EPD:Min:700 MáX.:800 / Cm2
Grosor:350±20 ΜM
Redondeo de cantos:0.25 La mmR
De marcado láSer:N/A  
Vtt/TIR:Max:10 ΜM
BOW:Max:10 ΜM
Warp:Max:10 ΜM
Partical  Recuento:<50/wafer(para la partíCula>0.3um)  
 El acabado de superficie- la parte delantera:Pulido    
El acabado de superficie ::Grabados  
Epi-Ready:

 
 
El paráMetro Los valores garantizados / real UOM
MéTodo de crecimiento:Agv  
Tipo de conducta:S-I-N  
Dopant:Undoped  
DiáMetro:76.2±0.2 Mm
OrientacióN:(100) 00±0,50  
De la ubicacióN/longitud:EJ  [ 0-1-1]±0.50/22±2  
Si la ubicacióN/longitud:EJ 0-1 [ 1 ]±0.50/11±2  
La resistividad:Min:1E8 Max:1,03E8 Ω·Cm.
Movilidad:Min:5613 Max:6000 Cm2/v.S
El EPD:Min:700 MáX.:800 Max:
Grosor:625±20 ΜM
Redondeo de cantos:0.375 La mmR
De marcado láSer:N/A  
Vtt:N/A ΜM
 El acabado de superficie- la parte delantera:Pulido    
El acabado de superficie ::Grabados  
Epi-Ready:


 
 
El paráMetro Los valores garantizados / real UOM
MéTodo de crecimiento:Agv  
Tipo de conducta:S-I-N  
Dopant:Undoped  
DiáMetro:100.0±0.2 Mm
OrientacióN:(100)±0,30  
De la ubicacióN/longitud:EJ  [ 0-1-1]±0.50/32.5±1  
Si la ubicacióN/longitud:EJ 0-1 [ 1 ]±0.50/18±1  
La resistividad:Min:1.5 E8 MáX.:2.0 E8 Ω·Cm.
Movilidad:Min:4832 Max:4979 Cm2/v.S
El EPD:Min:600 MáX.:700 / Cm2
Grosor:625±25 ΜM
Redondeo de cantos:0.375 La mmR
Vtt/TIR:Max:3 ΜM
BOW:Max:4 ΜM
Warp:Max:5 ΜM
Partical  Recuento:<100/wafer(para la partíCula>0.3um)  
 El acabado de superficie- la parte delantera:Pulido    
El acabado de superficie ::Pulido  
Epi-Ready:

 
 
El paráMetro Requisitos del cliente Los valores garantizados / real UOM
MéTodo de crecimiento:Agv Agv  
Tipo de conducta:S-C-P S-C-P  
Dopant:GaAs-Zn GaAs-Zn  
DiáMetro:50.8±0.4 50.8±0.4 Mm
OrientacióN:(100)±0,50 (100)±0,50  
De la ubicacióN/longitud:EJ  [ 0-1-1]±0.50/16±1 EJ  [ 0-1-1]±0.50/16±1  
Si la ubicacióN/longitud:EJ 0-1 [ 1 ]±0.50/7±1 EJ 0-1 [ 1 ]±0.50/7±1  
CC:Lingote Min:1 E19 Max:5 E19 Min:1.4 E19 MáX.:1.9 E19 /Cm3
La resistividad:MíN.:N/A MáX.:N/A MíN.:N/A MáX.:N/A Ω·Cm.
Movilidad:MíN.:N/A MáX.:N/A MíN.:N/A MáX.:N/A Cm2/v.S
El EPD:Max:5000 Min:600 MáX.:700 / Cm2
Grosor:350±25 350±25 ΜM
 El acabado de superficie- la parte delantera:Pulido   Pulido    
El acabado de superficie ::Grabados Grabados  
Epi-Ready:

 

ImáGenes del producto:
 







FAQ:

P:¿QuéEs la forma de envíO y el costo?

R:(1) Aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, etc.

  (2) Si usted tiene su propia cuenta express, es genial.Si no, podemos ayudarle enviarlos. 

 P:¿CóMo pagar?

R:T/T, Paypal, etc

P:¿CuáL es su MOQ?

R:  (1) Para el inventario, la MOQ es de 5 pcs.

  (2) para productos personalizados, MOQ es 10pcs-25PC.

P:¿CuáL es la hora de entrega?

R:  (1) Para los productos estáNdar

         Para el inventario:La entrega es de 5 DíAs laborables despuéS de realizar el pedido.

         Para productos personalizados:La entrega es de 2 O 3 Semanas despuéS de realizar el pedido.

    (2) Para los productos de forma especial, la entrega es de 4 O 6 Workweeks despuéS de realizar el pedido.

Q:¿Tienen los productos estáNdar?

R:Nuestros productos estáNdar en stock.

P:¿Puedo Personalizar los productos basados en mi necesidad?

R:Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y recubrimiento óPtico para sus componentes óPticos basados en sus necesidades.
 

 

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