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Anhui Zhongxin Semiconductor Co., Ltd . Fue fundada en 2010 y cubre una superficie de 20000 metros cuadrados, que se encuentra en la provincia de Anhui, cerca de Shanghai. Nuestra empresa se centra en el desarrollo y producción de diodos, diodos rectificadores, mosfet, diodos schottky, diodos de recuperación rápida, rectificador de puente, oblea de silicio, etc. nuestra misión es ser el proveedor de semiconductores más valioso al lado de usted. Bienvenido a contactar con nosotros para futuras relaciones comerciales y el éxito mutuo.
| Símbolos | MB2M | MB4M | MB6M | MB8M | MB10M | Unidades | |
| Retroceso máximo de pico repetitivo voltaje | VRM | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |
| Tensión RMS máxima | VRMS | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Voltios |
| Tensión de bloqueo de CC máxima | VDC | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |
| Corriente rectificada media máxima a TA=30ºC en vidrio-epoxi P.C.B. Sobre sustrato de aluminio(Nota 1,2) | SI (AV) | 0,8 | Amperios | ||||
| Corriente de transitorios de avance pico 8,3ms onda sinusoidal media única Super impuesto sobre la carga nominal (método JEDEC) | IFSM | 30,0 | Amperios | ||||
| Tensión de avance máxima a 0,4A | FV | 1,1 | Voltios | ||||
| Corriente inversa CC máxima TA=25ºC. A tensión nominal de bloqueo de CC TA=100ºC. | IR | 5,0 100 | μA | ||||
| Capacitancia de unión típica por pierna (Nota 3) | CJ | 15,0 | PF | ||||
| Resistencia térmica típica por pierna | RθJA | 75,0 | C/W | ||||
| Rango de temperatura de funcionamiento | TJ | -55 a +150 | ºC | ||||
| Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 a +150 | ºC | ||||
