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Descripción general
OST75N65HSMF utiliza la avanzada tecnología patentada Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) de Oriental-Semi para proporcionar un VCE (SAT) extremadamente bajo, una carga de compuerta baja y un excelente rendimiento de conmutación. Este dispositivo es adecuado para convertidores de frecuencia de conmutación de rango medio a alto.
Características
. Tecnología TGBTTM avanzada
. Excelente conducción y pérdida de conmutación
. Excelente estabilidad y uniformidad
. Diodo antiparalelo rápido y suave
Aplicaciones
. Convertidores de inducción
. Sistemas de alimentación ininterrumpida
Parámetros clave de rendimiento
| Parámetro | Valor | Unidad |
| VCES , mín . A 25°C. | 650 | V |
| Temperatura de unión máxima | 175 | °C |
| IC, pulso | 300 | R |
| VCE(sat), típ @ VGE=15V | 1,45 | V |
| P. | 195 | NC |
| Nombre del producto | Paquete | Marcado |
| OST75N65HSMF | TO247 | OST75N65HSM |
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje del emisor del colector | VCES | 650 | V |
| Voltaje del emisor de la puerta | VGES | ±20 | V |
| Voltaje del emisor de puerta transitoria, TP≤10µs, D<0,01 | ±30 | V | |
| Colector continuo current1) , TC=25ºC. | IC | 90 | R |
| Colector continuo current1) , TC=100ºC. | 75 | R | |
| Colector pulsado current2) , TC=25ºC. | IC, pulso | 300 | R |
| Diodo hacia adelante current1) , TC=25ºC. | SI | 90 | R |
| Diodo hacia adelante current1) , TC=100ºC. | 75 | R | |
| Diodo pulsado current2) , TC=25ºC. | SI, pulse | 300 | R |
| Potencia dissipation3) , TC=25ºC. | PD | 395 | W |
| Potencia dissipation3) , TC=100ºC. | 198 | W | |
| Temperatura de funcionamiento y almacenamiento | Tstg, TVJ | -55 a 175 | °C |
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Resistencia térmica IGBT, caja de conexiones | RθJC | 0,38 | °C/W |
| Resistencia térmica de diodo, caja de conexión | RθJC | 0,38 | °C/W |
| Resistencia térmica , empalme-ambient4) | RθJA | 40 | °C/W |
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Colector-emisor tensión de ruptura | V(BR)CES | 650 | V | VGE=0 V, IC=0,5 MA | ||
Tensión de saturación del colector-emisor | VCE (Sáb) | 1,45 | 1,7 | V | VGE=15 V, IC=75 A TVJ=25°C. | |
| 1,65 | V | VGE = 15 V, IC = 75 A, TVJ = 125°C. | ||||
| 1,75 | VGE = 15 V, IC = 75 A, TVJ = 175°C. | |||||
| Emisor de puerta tensión de umbral | VGE(TH) | 3,0 | 4,0 | 5,0 | V | VCE=VGE , ID=0,5 MA |
Diodo hacia adelante voltaje | FV | 1,6 | 1,8 | V | VGE=0 V, SI=75 A. TVJ = 25°C. | |
| 1,5 | VGE=0 V, SI=75 A, TVJ = 125°C. | |||||
| 1,4 | VGE=0 V, SI=75 A, TVJ = 175°C. | |||||
| Emisor de puerta corriente de fuga | IGES | 100 | Na | VCE = 0 V, VGE = 20 V. | ||
| Corriente del colector de tensión de puerta cero | EL CIEM | 10 | μA | VCE = 650 V, VGE = 0 V. |
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Capacitancia de entrada | Cie | 8066 | PF | VGE = 0 V, VCE = 25 V, ƒ=100 kHz | ||
| Capacitancia de salida | COE | 230 | PF | |||
| Capacitancia de transferencia inversa | Cres | 6 | PF | |||
| Tiempo de retardo de encendido | td (activado) | 68 | no | VGE = 15 V, VCC=400 V, RG=10 Ω, IC=75 A. | ||
| Tiempo de subida | tr | 107 | no | |||
| Tiempo de retardo de apagado | td (desactivado) | 265 | no | |||
| Tiempo de caída | tf | 91 | no | |||
| Energía de encendido | Eon | 2,98 | MJ | |||
| Energía de apagado | Eoff | 1,1 | MJ | |||
| Tiempo de retardo de encendido | td (activado) | 56 | no | VGE = 15 V, VCC=400 V, RG=10 Ω, IC=30 A. | ||
| Tiempo de subida | tr | 49 | no | |||
| Tiempo de retardo de apagado | td (desactivado) | 311 | no | |||
| Tiempo de caída | tf | 62 | no | |||
| Energía de encendido | Eon | 0,95 | MJ | |||
| Energía de apagado | Eoff | 0,34 | MJ |
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Carga total de la puerta | P. | 195 | NC | VGE = 15 V, VCC=520 V, IC=75 A. | ||
| Carga de emisor de puerta | Qge | 62 | NC | |||
| Cargo de colector de puerta | QGC | 54 | NC |
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Tiempo de recuperación de inversión de diodo | trr | 132 | no | VR = 400 V, SI = 75 A, Dif/dt=500 A/μs TVJ = 25°C | ||
| Carga de recuperación inversa de diodo | QRR | 1,4 | μC | |||
| Corriente de recuperación inversa de pico de diodo | Irrm | 20 | R |
