Description
Memoria flash NAND de alta resistencia a temperatura
LDMF1GA /4GA
El chip es una memoria NAND-Flash de alta temperatura, con lectura y escritura rápidas, alta fiabilidad, excelentes características de rendimiento tanto a alta como a baja temperatura. Puede operar en -45 ºC ~ 175 ºC en ambientes severos para largo plazo.
Temperatura de funcionamiento: -45ºC ~ +175ºC.
La corriente de funcionamiento más alta: 90mA
Corriente en espera: <2mA
Rango de tensión de funcionamiento (Vcc): 2,7 V ~ 3,6 V.
Nivel alto de entrada (V): 0,8Vcc ~ Vcc+0,3
Nivel bajo de entrada (V): -0,3 ~ 0,2Vcc
Salida nivel alto (V): 2,4 ~ Vcc
Salida nivel bajo (V): -0,3 ~ 0,4
Tiempo de retención de datos de alta temperatura: ≥500h
Vida útil: ≥2000h
Velocidad de lectura/escritura: 2,8 ms/página de lectura 2,15ms/página de escritura
Paquete: 16 PIN DIP PB-Free paquete
Descripción de PIN:
PIN | Descripción funcional |
IO0 ~ IO7 | Entrada / salida multiplexada La dirección de transferencia bidireccional de E/S, datos e información de comandos. Cuando el pin C(-)E(-) es alto,el I/OS es de alta impedancia. |
¿NO | Activar cierre de comando Cuando CLE es alto, el comando se bloquea en el registro de comandos a través del puerto IO en el borde ascendente de la señal. |
ALE | Activación del pestillo de dirección Cuando ALE es alto,la dirección se bloquea en el registro de direcciones a través del puerto IO en el borde ascendente de la señal. |
C(-)E(-) | Habilitar chip Activa o desactiva el chip. |
R(-)E(-) | Activar lectura Controlar la salida de datos en serie. Cuando la señal es baja, los datos se dirigan al puerto IO. Los datos son válidos después de la hora de trea en el borde descendente de R(-)E(-), y el contador de direcciones de columna interno se incrementa automáticamente. |
W(-)E(-) | Escritura activada Control la entrada de datos serie, comando, dirección y datos se bloquea en el borde ascendente W(-)E(-). |
R/B(-) | Salida preparada/ocupada Indica el estado de funcionamiento del dispositivo. Cuando está bajo, indica que la programación, borrado o operación de lectura aleatoria está en curso, cuando está alto, indica que no ha terminado ninguna operación. Se recomienda conectar una resistencia de tiro (4,7K~10K) al pasador. |
CC | Fuente de alimentación |
VSS | TIERRA |
Ciclo de direccionamiento: LDMF1GA: Direccionamiento | IO 0 | IO 1 | IO 2 | IO 3 | IO 4 | IO 5 | IO 6 | IO 7 | |
ciclo 1st | CA0 | CA1 | CA2 | CA3 | CA4 | CA5 | CA6 | CA7 | Columna Dirección 1 |
ciclo 2nd | CA8 | CA9 | CA10 | CA11 | 0 | 0 | 0 | 0 | Dirección de columna 2 |
ciclo 3rd | PA0 | PA1 | PA2 | PA3 | PA4 | PA5 | PA6 | BA7 | Dirección de hilera 1 |
ciclo 4th | BA8 | BA9 | BA10 | BA11 | BA12 | BA13 | BA14 | BA15 | Dirección de hilera 2 |
ciclo 5th | BA16 | BA17 | BA18 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | Dirección de hilera 3 |
Notas: 1. CAX = dirección de columna, pax = dirección de página, Bax = dirección de bloque, la dirección de página, dirección de bloque llamada dirección de fila. Dirección de byte de la página denominada dirección de columna
Tamaño de página x8: 8640 bytes (2048 + 64 bytes)
Tamaño del bloque: 128 páginas (1024K + 8K bytes)
Número de bloque: 4096 bloques
LDMF4GA: Direccionamiento | IO 0 | IO 1 | IO 2 | IO 3 | IO 4 | IO 5 | IO 6 | IO 7 | |
ciclo 1st | CA0 | CA1 | CA2 | CA3 | CA4 | CA5 | CA6 | CA7 | Columna Dirección 1 |
ciclo 2nd | CA8 | CA9 | CA10 | CA11 | CA12 | CA13 | 0 | 0 | Dirección de columna 2 |
ciclo 3rd | PA0 | PA1 | PA2 | PA3 | PA4 | PA5 | PA6 | BA7 | Dirección de hilera 1 |
ciclo 4th | BA8 | BA9 | BA10 | BA11 | BA12 | BA13 | BA14 | BA15 | Dirección de hilera 2 |
ciclo 5th | BA16 | BA17 | BA18 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | Dirección de hilera 3 |
Notas: 1. CAX = dirección de columna, pax = dirección de página, Bax = dirección de bloque, la dirección de página, dirección de bloque llamada dirección de fila. Dirección de byte de la página denominada dirección de columna
Tamaño de página x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
Tamaño del bloque: 128 páginas (1024K + 56K bytes)
Número de bloque: 4096 bloques
Lista de instrucciones: Función | ciclo 1st | ciclo 2nd |
Restablecer | FFH | - |
Leer | 00h | 30h |
Programa de páginas | 80h | 10h |
Borrar bloque | 60h | D0h |
Gestión de bloques no válida Todas las ubicaciones del dispositivo se borran (0xFF) excepto la ubicación de la dirección en bloque no válido cuando se envía de fábrica. El indicador de bloque no válido se encuentra en el primer byte del área de repuesto de la última página del bloque. Los datos de bloque no válidos no son 0xFF. El sistema debe establecer una administración de bloques no válida para evitar el uso de bloques no válidos. La dirección de inicio del primer bloque es 0000h, que se garantiza que es válido enviado desde la fábrica.
La tabla de bloques incorrecta se crea mediante el siguiente diagrama de flujo (a continuación). Pasos de funcionamiento: 1. Se ha producido un error en la página n del bloque A durante la operación de borrado o programación.copie los datos de la primera página a la (n-1) -ésima página del bloque A en la misma posición en el otro bloque vacío B.copie los datos del búfer deben guardarse en la n-ésima página Posición del bloque B.Agregue el bloque A a la tabla de bloques defectuosos. - Ciclo de bloqueo de comando
- Secuencia de ciclo de bloqueo de dirección
- Los datos de entrada se enganchan en la secuencia de ciclo
- Secuencia de ciclo de bloqueos de datos de salida
- Instrucciones del sistema
Operación de lectura: La operación de lectura se implementa escribiendo el comando 00h-30h en el registro de comandos. Primero, escriba el comando 00h, luego escriba la dirección con 5 ciclos, y por último, escriba el comando 30h. Después de la finalización, se libera el R/B(-). El usuario determina la finalización de la transmisión interna de datos detectando el estado de R/B(-). Una vez finalizada la transmisión, el usuario puede iniciar LA RE, los datos se leen continuamente.
La secuencia de operación de lectura es la siguiente. Operación de programación: Antes de programar la operación, el usuario debe borrar el bloque en primer lugar. La operación de programación se implementa escribiendo el comando 80h-10h en el registro de comandos. Primero escriba el comando 80h, luego escriba la dirección con 5 ciclos, y luego cargue los datos en el registro interno del buffer de datos, por último, escriba 10h después de completar el comando para confirmar la escritura. Después de la finalización de la programación, se libera el R/B(-).
Programación de la secuencia de operaciones Operación de borrado: El comando de operación de borrado es 60h-D0h. Primero escriba el comando 60h, luego escriba la dirección con 3 ciclos y luego escriba el comando D0h para confirmar el borrado. Después de terminar el borrado, R/B(-) se libera.
Borrar secuencia de operación
Operación de restablec. Restablecer secuencia de operación
Nota: Si la operación de escritura de datos en la página antes de completar la entrada del comando de restauración, puede causar daños en los datos, el daño no es sólo la programación de páginas, también puede afectar a las páginas adyacentes.
Instrucciones secuenciales (-45ºC~175ºC):a medida que aumenta la temperatura, la velocidad de respuesta del dispositivo después de la operación puede ralentizarse.secuencia de ejecución de programa de usuario una cierta cantidad de tolerancia, sugiere aumentar la estabilidad de alta temperatura.
Lista de parámetros de temporización(25ºC): Símbolo | MÍN | Estándar | MÁX | Unidades | Descripción |
Programa | | 0,8 | 3 | sra. | Tiempo del programa de páginas |
TBERS | | 1,5 | 10 | sra. | Bloquear tiempo de borrado |
TCLS | 15 | | | no | |
TCLH | 5 | | | no | |
TCS | 20 | | | no | |
TCH | 5 | | | no | |
TWP | 15 | | | no | |
TALS | 15 | | | no | |
ALH | 5 | | | no | |
TDS | 15 | | | no | |
TDH | 5 | | | no | |
TWC | 30 | | | no | |
TWh | 10 | | | no | |
TADL | 70 | | | no | |
TR | | | 60 | μs | |
Tar | 10 | | | no | |
TCLR | 10 | | | no | |
TRR | 20 | | | no | |
TRP | 15 | | | no | |
Balance de blancos | | | 100 | no | |
TRC | 30 | | | no | |
Trea | | | 20 | no | |
TCEA | | | 25 | no | |
TRHZ | | | 100 | no | |
TCHZ | | | 30 | no | |
TCSD | 10 | | | no | |
TRHOH | 15 | | | no | |
TRLOH | 5 | | | no | |
TCOH | 15 | | | no | |
El treh | 10 | | | no | |
TIR | 0 | | | no | |
TRHW | 100 | | | no | |
TFHR | 60 | | | no | |
Trst | | | 5/10/500 | μs | Lectura/programación/borrado |
ZITN es una empresa nacional de alta tecnología, fue fundada en 2002 por muchos ingenieros de alta tecnología que tienen una vasta experiencia en la industria microelectrónica. Con 19 años de desarrollo, ZITN se convirtió en un líder reconocido de la industria en China, y tenemos un total de 175 empleados, más del 49% de ellos son del equipo de I+D. Principalmente diseñamos, desarrollamos y fabricamos inclinómetros de alta precisión, acelerómetros basados en cuarzo, sistemas de unidades de medida inercial, productos de circuitos IF y memoria flash NAND que se utilizan ampliamente para la industria aeroespacial, perforación de petróleo y gas, campos de exploración geológica.
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