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Los diodos Schottky son dispositivos de metal-semiconductor hechos de metales preciosos (oro, plata, aluminio, platino, etc.) A como el ánodo y el semiconductor tipo N B como el cátodo. La barrera formada en la superficie de contacto de los dos tiene características de rectificación. Debido a que hay un gran número de electrones en los semiconductores de tipo N, y sólo hay una cantidad muy pequeña de electrones libres en los metales nobles, los electrones se difunden desde la alta concentración de B a la baja concentración de A. obviamente, no hay agujeros en el metal A, Y no hay movimiento de difusión de agujeros de A a B. a medida que los electrones continúan difundiéndose de B a A, la concentración de electrones en la superficie de B disminuye gradualmente, y la neutralidad eléctrica de la superficie es destruida, por lo que se forma una barrera potencial, Y la dirección del campo eléctrico es B→A. Pero bajo la acción de este campo eléctrico, los electrones en A también producirán un movimiento de deriva de A→B, debilitando así el campo eléctrico formado por el movimiento de difusión. Cuando se establece una región de carga espacial con un cierto ancho, el movimiento de deriva de electrones causado por el campo eléctrico y el movimiento de difusión de electrones causado por diferentes concentraciones alcanzan un equilibrio relativo, formando una barrera Schottky.
La estructura del circuito interno de un rectificador Schottky típico se basa en un semiconductor tipo N, y en él se forma una capa N-epitaxial con arsénico como dopante. El ánodo utiliza materiales como molibdeno o aluminio para hacer una capa de barrera. Utilice dióxido de silicio (SiO2) para eliminar el campo eléctrico en el área de borde y mejorar la tensión de resistencia del tubo. El sustrato tipo N tiene una pequeña resistencia en estado, y su concentración de dopaje es un 100% superior a la de la capa H. Bajo el sustrato se forma una capa de cátodo N+, cuya función es reducir la resistencia de contacto del cátodo. Al ajustar los parámetros estructurales, se forma una barrera Schottky entre el sustrato tipo N y el ánodo metálico, como se muestra en la figura. Cuando se aplica una polarización directa a ambos extremos de la barrera Schottky (el ánodo metálico se conecta al polo positivo de la fuente de alimentación, Y el sustrato de tipo N está conectado al polo negativo de la fuente de alimentación), la capa de barrera Schottky se vuelve más estrecha y su resistencia interna se hace más pequeña; Por el contrario, si cuando se aplica el sesgo inverso a ambos extremos de la barrera Schottky, la capa de barrera Schottky se vuelve más ancha y su resistencia interna se hace más grande.
En resumen, el principio de estructura del rectificador Schottky es muy diferente del rectificador de unión PN. El rectificador de unión PN se suele denominar rectificador de unión, y el rectificador de medio conductor de metal se denomina rectificador Schottky. . El diodo rectificador Schottky (SBD) es un diodo rectificador con la característica Schottky "metal semiconductor junction". Su tensión de arranque de avance es baja. Además del material de tungsteno, la capa metálica también puede estar hecha de oro, molibdeno, níquel, titanio y otros materiales. Es ampliamente utilizado por su rápida velocidad de conmutación, gran corriente rectificada, caída de tensión y bajo consumo de potencia, y es especialmente adecuado para circuitos rectificadores de alta frecuencia y circuitos rectificadores de corriente de gran tamaño.
1.Diagrama de pines :
2.Clasificaciones máximas:
3.Características térmicas:
4.Características eléctricas:
Diodo Schottky el diodo Schottky, también conocido como diodo de barrera Schottky (abreviado como SBD), es un dispositivo semiconductor de baja potencia y velocidad ultra alta. La característica más notable es que el tiempo de recuperación inversa es extremadamente corto (puede ser tan pequeño como unos pocos nanosegundos), y la caída de tensión directa es sólo de unos 0,4V. Se utiliza principalmente como diodos rectificadores de alta frecuencia, baja tensión, alta corriente, diodos de rueda libre, diodos de protección, y también útil como diodos rectificadores y diodos detectores de señal pequeña en circuitos como comunicaciones por microondas. Es más común en fuentes de alimentación de comunicación, inversores, etc. una aplicación típica es en el circuito de conmutación de un transistor bipolar BJT. Al conectar un diodo Shockley al BJT a la abrazadera, el transistor está realmente cerca del estado apagado cuando el transistor está encendido, aumentando así la velocidad de conmutación del transistor. Este método es una técnica utilizada en los circuitos internos TTL de los circuitos digitales típicos como 74LS, 74ALS y 74AS. La característica más grande de los diodos Schottky es que la caída de tensión directa VF es relativamente pequeña. En el caso de la misma corriente, su caída de tensión directa es mucho menor. Además, su tiempo de recuperación es corto. También tiene algunas deficiencias: El voltaje de resistencia es relativamente bajo, y la corriente de fuga es ligeramente mayor. Debe tenerse en cuenta al seleccionar.
• Baja tensión de avance
• pérdida de potencia baja / alta eficiencia
• Alta capacidad de sobretensiones
• temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C.
• 20 A total (10 A por pata de diodo)
• Pb−paquete libre está disponible
• Fuente de alimentación − rectificación de salida
• Administración de energía
• Instrumentación
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