SMD 50p06 MOS Transistor de efecto de campo de canal P-50A-60V-252, componentes electrónicos, un circuito integrado

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Product origin: Yangjiang, Guangdong, China
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Description
descripción de producto


El MOS transistor de efecto de campo es un metal-óxido-semiconductor de transistor de efecto de campo, abreviado como Metal-Oxide Semiconductor de MOSFET (Field-Effect Transistor, es decir, un transistor de efecto campo de un metal-óxido-semiconductor), que pertenece al tipo de puerta aislada. Hay una capa aislante de dióxido de silicio entre la puerta de metal y el canal, por lo que tiene una alta resistencia de entrada (hasta 1015Ω). También se dividen en tubo de canal N y P-Canal Metro. Por lo general, el sustrato (sustrato) y la fuente S están conectados entre sí. Según el modo de conducción diferentes MOSFET, está dividido en tipo de mejora y el agotamiento tipo. El llamado tipo mejorado se refiere a: cuando VGS = 0, el tubo está en un estado; después de añadir el correcto VGS, la mayoría de los transportistas se sienten atraídos por la puerta, lo que "mejorar" las compañías aéreas en esta área y la formación de un canal conductor Tao. El agotamiento tipo significa que cuando VGS=0, un canal está formada, y cuando el correcto VGS es añadido, la mayoría de los operadores pueden salir de la canal, por lo tanto "agotar" las compañías aéreas y girando el tubo.


Tomando la N canal como un ejemplo, se hace sobre un sustrato de silicio tipo P con dos regiones de la difusión de origen N+ y vaciar la difusión de las regiones N+ con una alta concentración de dopaje, y luego la fuente y el drenaje D salen respectivamente. La fuente y el sustrato están conectadas internamente, y los dos mantener siempre el mismo potencial. La dirección de la potencial es desde el exterior hacia el interior, lo que significa que desde el material tipo P (sustrato) a la N-tipo canal. Cuando el drenaje conectado al polo positivo de la fuente de alimentación y la fuente está conectada al polo negativo de la fuente de alimentación y VGS=0, el canal la corriente (es decir, el drenaje de corriente) ID=0. Con el aumento gradual de VGS, atraídos por la tensión positiva de la puerta, cargadas negativamente portadores minoritarios son inducidos entre las dos regiones de difusión, formando un tipo de N-canal de drenaje a la fuente. Cuando VGS es mayor que el tubo cuando la tensión de encendido VTN (generalmente alrededor de +2V) se alcanza, el tubo de canal N comienza a realizar, formando un drenaje ID actual.

Efecto de campo mos el tubo es más "squeaky". Esto es debido a que su resistencia de entrada es muy alta, y la capacitancia entre la puerta y la fuente es muy pequeño, es muy fácil ser cobrados por el campo electromagnético externo o inducción electrostática, y una pequeña cantidad de carga puede constituir una muy alta tensión en la capacitancia entre los electrodos (U = Q/C), dañar el tubo. Por lo tanto, al salir de la fábrica, los pasadores están trenzados o instalados en la lámina de metal, de modo que el G polo y el polo S están en el mismo potencial para prevenir la acumulación de carga estática. Cuando el tubo no esté en uso, todos los candidatos deben ser cortocircuitada. Tenga mucho cuidado cuando se miden, y tomar medidas anti-estática correspondiente.

 

parametros de producto

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