Modo de mejora de transistor Mosfet de canal N A252 Osg80r650df Vds-850V ID-24A (RDS) -650milliohm Qg-12.1nc para Telecom ALIMENTACIÓN Alimentación del servidor.

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Description


 Descripción general
El     MOSFET de alta tensión GreenMOS®  utiliza la    tecnología de equilibrio de carga  para  obtener  una excelente  resistencia a la baja  y  bajar la  compuerta de  carga.  Ha sido diseñado    para  minimizar la   pérdida de la conducción, ofrecer un mejor   rendimiento de conmutación  y  sólida   capacidad de avalancha.
La  GreenMOS®    serie genérica  está  optimizado  para el      rendimiento de conmutación extrema  para  minimizar la  pérdida de conmutación.  Está    diseñado  para       aplicaciones de alta densidad de potencia  para  satisfacer  los  más altos  estándares de eficiencia.

Características
     Bajo  RDS(on) y la  FOM
     Extremadamente  baja   pérdida de conmutación
     Excelente  estabilidad  y  uniformidad

Aplicaciones
      La potencia del PC
      Iluminación LED
      El poder de telecomunicaciones
      Alimentación del servidor.
      Cargador de EV
     Solar/UPS

  Los parámetros de rendimiento clave

El parámetro Valor Unidad
VDS, min  @ Tj(máx.). 850 V
 Pulso, ID. 24 Un
RDS(on) , max  @ VGS  =10V 650
Qg 12. 1 NC


 Máximo absoluto de los  índices  en el  TJ  =25°C  a menos que   se indique lo contrario

El parámetro Símbolo Valor Unidad
Vaciado de la  tensión de fuente VDS. 800 V
Gate- tensión de la fuente VGS ±30 V
  Corriente de drenaje continuo1) , TC=25 °C
ID.
8
Un
  Corriente de drenaje continuo1) , TC=100 °C 5
Impulsos de   corriente de drenaje2) , TC=25 °C  Pulso, ID. 24 Un
 Diodo continua   corriente1) , TC=25 °C Es 8 Un
El diodo   corriente pulsada2) , TC=25 °C Es, el pulso 24 Un
 Disipación de potencia3) , TC=25 °C PD 83 W
Solo   avalancha de pulsos de  energía5). EAS 240 MJ
 Dv/dt MOSFET de  robustez, VDS  =0…480 V. Dv/dt 50 V/ns
 Diodo de retroceso  dv/dt, VDS  =0…480 V, DSIID. Dv/dt 15 V/ns
Funcionamiento  y la   temperatura de almacenamiento Tstg  , Tj -55 a 150 °C.


Las  características térmicas

El parámetro Símbolo Valor Unidad
 Resistencia térmica, en la intersección de los casos RθJC 1.5 °C/W
 Resistencia térmica, junction ambiente4). RθJA 62 °C/W


 Características eléctricas  en  Tj  =25°C  a menos que  se  especifique lo contrario

El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad  Condición de prueba
Vaciar el origen de la           tensión de ruptura
BVDSS
800   
V
VGS  =0 V, ID =250 µa
850 930  VGS  =0 V, ID =250 µa, Tj  =150 °C
 El umbral de puerta
La tensión
VGS(a) 2.0  4.0 V VDS  =VGS , ID=250 µa
Fuente de drenaje  en el estado  resistencia
RDS(on)
 0.55 0.65
Ω.
VGS  =10 V, ID=4  
 1.48  VGS  =10 V, ID=4,
Tj  =150 °C
Fuente de puerta.
 Corriente de fuga.

IGSS
  100
NA
VGS  =30 V
  - 100 VGS  =-30V
Fuente de drenaje
 Corriente de fuga.
IDSS   10 ΜA VDS  =800 V, VGS  =0 V


Nota
1) se   calcula  una  corriente continua  basada  en la  máxima  admisible de   temperatura de unión.
2)     calificación repetitivos; el  ancho de pulso  limitada  por  un máximo de  temperatura de unión.
3)   PD  se  basa  en  un máximo de  temperatura de unión, mediante el  cruce de los casos  la  resistencia térmica.
4)    El  valor  de  RθJA  se  mide  con  el  dispositivo  montado  en el 1 de 2 FR-4 junta  2oz. El cobre, en  el   aire  ambiente  con  TA=25 °C.
5)    VDD=100 V, VGS  =10 V, L=20 mH, a partir de  Tj  =25 °C.


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Paquete
Tipo
Las unidades/.
El tambor
Los tambores/     Cuadro interior Las unidades   interiores  de la caja/.  Cuadros/  caja de cartón interior  Unidades/     caja de cartón  
A252-C 2500 2 5000 5 25000


 Información del producto

Producto Paquete Pb  Free RoHS  Libre de halógenos
OSG80R650DF A252


La cadena de suministro



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