Description
Descripción del producto
| Tipo de silicio | El tamaño | El patrón de electrodo frontal |
| Mono-cristalino | 182*182±0.5Φ247mm | Diez barra |
| :17,3mm intervalo |
| Los elementos de parámetro | | | La especificación | La tolerancia | Unidad |
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| La superficie frontal | Un | La cantidad de dedos | 140 | - | - |
| | B | Ancho de la barra delantera | 1 | ± 0,1 | Mm |
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| | C | La distancia entre barras colectoras | 17.3 | De ±0,15 | Mm |
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| La superficie rara | Un | De nuevo ancho de la barra colectora | 1.6 | ±0,3 | Mm |
| | B | La distancia entre la parte posterior de las barras colectoras | 17.3 | De ±0,15 | Mm |
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| | C | La cantidad de dedos atrás | 160 | - | - |
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| Eff (%) | La eficiencia(%) | Pmpp(W). | Impp(A) | Umpp(V). | Isc(A) | Uoc(V). |
| 22.6 | 22.6-22.7 | 7.46 | 12.604 | 0.592 | 13.226 | 0,688 |
| 22.5 | 22.5-22.6 | 7.43 | 12.57 | 0.591 | 13.187 | 0.687 |
| 22.4 | 22.4-22.5 | 7.4 | 12.535 | 0.59 | 13.147 | 0.686 |
| 22.3 | 22.3-22.4 | 7.36 | 12.5 | 0.589 | 13.108 | 0.685 |
| 22.2 | 22.2-22.3 | 7.33 | 12.465 | 0.588 | 13.068 | 0,684 |
| 22.1 | 22.1-22.2 | 7.3 | 12.43 | 0,587 | 13.028 | 0.683 |
| 22 | 22.0-22.1 | 7.26 | 12.395 | 0.586 | 12.988 | 0.682 |
| 21 | 21.9-22.0 | 7.23 | 12.36 | 0.585 | 12.948 | 0.681 |
| Propiedades eléctricas | |
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| Cov:-0,3 %/ºC | La intensidad:1000 W/m² |
| Cai: +0.06 %/ºC | Spectrum:AM1.5G |
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El proceso de producción
Limpieza y texturas: se limpian las obleas con jabones industriales y la forma de pirámides de base cuadrada llamado también la textura. La texturization ayuda a reducir el reflejo de la luz solar.
Difusión: obleas que han sido pre-droped con boro durante el proceso de fundición se da un resultado negativo(n-type) característica de la superficie por difusión de ellos con una fuente de fósforo de alta temperatura, que a su vez creats el negativo/positivo(n-p) junction.
El grabado: el fósforo se difunde, no sólo en la oblea deseada superficie sino también en el lateral y de la superficie opuesta a la NP. Esto le da un shunt ruta entre la celda delantero y trasero. La extracción de la ruta alrededor del borde de la oblea/edge junction el aislamiento es el nombre grabado.
PECVD: por equipos, las obleas PECVD están recubiertos con tratamiento antirreflejos (ARC). Es la película de nitruro de silicion azul para reducir el reflejo y promover la absorción de luz.
Printing & Calefacción: fue aprobado por la impresión de pegar con tecnología de la pantalla para imprimir los electrodos de silicion solar, y la forma de un buen valor óhmico contacto.
Las pruebas y clasificación: significa la clasificación de las células según su eficacia probada en la simulación de la luz del sol. Perfil de empresa
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