4N60 original de la calidad de los transistores Mosfet220/220F/252/263

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Product origin: Taizhou, Jiangsu, China

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Description

ZG4N60N,,,,,,,.

ZG4N60 es un modo de mejora de canal N MOSFET, que se produce usingZhongxinMicro-propiedad de la electrónica. La auto-alineados proceso planar y mejora de la tecnología de la terminal de reducir la pérdida de la conducción, mejorar el rendimiento de conmutación y mejorar la avalancha de energía. El transistor puede utilizarse en diversas en el circuito de conmutación de potencia para una mayor eficacia y el sistema de la miniaturización.

Características principales

VDSS	600	V
ID.	4.0	Un
RDS₍_on₎	2.0	Ω.
Sir	8	PF

Máxima clasificación (Tc=25ºC)

El parámetro	Símbolo		Valor	Unidad
- Tensión Drain-Source	VDSS		600	V
Corriente de drenaje continúa	ID.	Tc=25ºC	4*	Un
Corriente de drenaje continúa	ID.	Tc=100ºC	2,5*	Un
( 1) Drenaje Plused corriente (nota 1)	IDM		16	Un
Gate-Tensión de la fuente	VGS		±30	V
( 2) Solo avalancha de pulsos de energía (nota 2)	EAS		218	MJ
( 1) Avalancha de corriente (nota 1)	IAR		4.0	Un
( 1) Avalancha repetitiva de la Energía (nota 1)	EAR		10	MJ
( 3) Diodo de pico de la recuperación (nota 3)	Dv/dt		4.5	V/ns
Disipación de potencia	PD Tc=25ºC	A-251/A-252	51	W
		A-220/A-262	100
		A-220F	33
Factor de disminución de disipación de potencia	PD_(DF) Por encima de 25ºC	A-251/A-252	0.39	W/ºC
		A-220/A-262	0.8
		A-220F	0.26
Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento	TJ,TSTG		150,-55~+150	°C.
Temperatura máxima para la soldadura.	TL		300	°C.

CHARACTERIASTIC TÉRMICA

El parámetro	Símbolo		Máx.	Unidad
Resistencia térmica, el cruce con el caso	Rth j-c).	A-251/A-252	2.5	W
		A-220/A-262	1.25
		A-220F	3.79
Resistencia térmica,Empalme a temperatura ambiente	Rth j-A)	A-251/A-252	83	W/ºC
		A-220/A-262	62.5
		A-220F	62.5

*
* Vaciar de corriente limitada por la máxima temperatura de unión

Características eléctricas

Off-Characteristics
El parámetro	Símbolo	Las condiciones de las pruebas	Min	Tipo	Máx.	Unidad
- La tensión de ruptura Drain-Source	BVDSS	ID=250 µa, VGS=0V	600	-	-	V
La tensión de ruptura de Coeficiente de Temperatura	△BVDSS/△TJ	ID=250 µa, con referencia a 25ºC	-	0.7	-	V/ºC
El voltaje de corriente de drenaje de la puerta cero	IDSS	VDS=600V,VGS=0V, TC=25ºC	-	-	1	ΜA
El voltaje de corriente de drenaje de la puerta cero	IDSS	VDS=480V, TC=125ºC	-	-	10	ΜA
Gate-cuerpo hacia delante, corriente de fuga.	IGSSF	VDS=0V, VGS =30V	-	-	100	NA
Gate-cuerpo la corriente de fuga, marcha atrás	IGSSR	VDS=0V, VGS = -30V	-	-	-100	NA

On-Characteristics
El parámetro	Símbolo	Las condiciones de las pruebas	Min	Tipo	Máx.	Unidad
Tensión umbral de puerta	VGS_(a)	VDS = VGS , ID=250 µa	2.0	-	4.0	V
Drain-Source On-Resistance estática	RDS_(on)	VGS =10V , ID=2.0A	-	2.0	2.5	Ω.
Adelante Transconductancia	Gfs	VDS = 40V, ID=2.0A (nota4).	-	4.0	-	S

Características dinámicas
El parámetro	Símbolo	Las condiciones de las pruebas	Min	Tipo	Máx.	Unidad
La capacitancia de entrada	La CISS	VDS=25V, VGS =0V, f=1,0 MHZ	-	510	660.	PF
La capacitancia de salida	Coss		-	54	70	PF
La transferencia inversa la capacitancia	Sir		-	8	10	PF

Características de conmutación
El parámetro	Símbolo	Las condiciones de las pruebas	Min	Tipo	Máx.	Unidad
Tiempo de retardo Turn-On	Td(en)	VDD=300V, ID=4A, RG=25Ω. (Nota 4,5)	-	16	42	Ns
Tiempo de subida Turn-On	Tr		-	48	112	Ns
Tiempo de retardo Turn-Off	Td(off)		-	48	105	Ns
Tiempo de Caída Turn-Off	Tf		-	38	86	Ns
El total de carga de la puerta	Qg	VDS =480V , ID=4A, VGS =10V (Nota 4,5)	-	15	20	NC
-Carga Gate-Source	Qgs		-	2.8	-	NC
-Carga Gate-Drain	Qgd		-	6.8	-	NC

- Diodo Drain-Source Características y velocidades máximas
El parámetro	Símbolo	Las condiciones de las pruebas	Min	Tipo	Máx.	Unidad
Diodo Drain-Source continua máxima corriente	Es		-	-	4	Un
La máxima Drain-Source pulsos de corriente directa de diodo	ISM		-	-	16	Un
Diodo Drain-Source tensión directa	VSD	VGS=0V, es=4A.	-	-	1.4	V
Invertir el tiempo de recuperación	Trr	VGS=0V, es=4A. El dIF/dt=100A/μs (nota 4)	-	320	-	Ns
Carga de la recuperación de marcha atrás	Qrr	VGS=0V, es=4A. El dIF/dt=100A/μs (nota 4)	-	2.4	-	ΜC

:
1:
2:L=25mH, IAS=4A, VDD=50V, RG=25 Ω, TJ=25ºC
3:DSI ≤4A, di/dt ≤300A/μs, VDD≤BVDSS, TJ=25ºC
4 :: ¤300μs,≤2%
5.

Notas:
1:limitado ancho de pulso por la máxima temperatura de unión
2:L=25mH, IAS=4A, VDD=50V, RG=25Ω, a partir de TJ=25ºC
3:DSI ≤4A, di/dt ≤300A/μs, VDD≤BVDSS, a partir de TJ=25ºC
4:Prueba de pulso: El ancho de pulso ≤ 300 μs, Ciclo de trabajo≤2%
5:básicamente independiente de la temperatura de funcionamiento

Características eléctricas (curvas)

1.                                   2.
Fig. 1 Características On-State                                                          Fig. Características de transferencia 2

            3.                    4.
Fig. 3 Variación de tensión de ruptura frente a la temperatura         Fig. 4 On-Resistance variación de temperatura vs

                     5.                                                       6.
Fig. 5 Características de la capacitancia de la                                      Fig. Características carga de la puerta 6


7.                                 8.
Fig. 7 Área Operativa de seguridad máxima de la        Fig. 8 La máxima corriente de drenaje de temperatura de la caja vs

9. (A-251/A-252)
Fig. Transitorio 9 respuesta térmica curva (A-251/A-252)

     10. (A-220/A-262)
Fig. Transitorio 10 Curva de respuesta térmica(A-220/A-262)

11. (A-220F)
Fig. Transitorio 11 Curva de respuesta térmica(A-220F)

Circuitos de prueba y formas de onda

12.
Fig.12 Probar el circuito de conmutación resistiva y formas de onda

13.
Fig.13 La puerta del circuito de prueba de carga y la forma de onda

14.
Fig.14 Unclamped conmutación inductiva probar el circuito y formas de onda

Datos mecánicos TPACKAGE
A-251

DIM	Milímetros.	DIM	Milímetros.

Un	2.2±0.5	H	1.8±0.5

B	5.2±0.25	I	0.8±0.05

C	5.3±0.25	J	0,508±0,015

D	4.5±0.5	K	2.3±0.25

E	6.3±0.25	L	0.5±0.1

F	2.3±0.05	M	0,508±0,015

G	0.6±0.05	N	7.5±0.5

A-252

DIM	Milímetros.	DIM	Milímetros.
Un	2.2±0.5	I	0.8±0.05

B	5.2±0.25	J	0,508±0,015

C	5.3±0.25	K	2.3±0.25

D	4.5±0.5	L	0.5±0.1

E	6.3±0.25	M	0,508±0,015

F	2.3±0.05	N	1.5±0.25

G	0.6±0.05	O.	1.0±0.25

H	0,7±0,5

A-262

DIM	Milímetros.	DIM	Milímetros.

Un	4,70±0,08	E1	De 7,85±0,08

A1	2,75±0,05	E	2,54±0,05

C	0,38±0,03	L	14,00±0,08

C2	1,27±0,03	L1	1.275±0,05

D	8.40±0.05	L2	3,75±0,08

D1	6.55±0.08	B	0,80±0,05

E	10,15±0,08	B2	1,22±0,05

Nota

Superior a la máxima calificación de el dispositivo en el rendimiento puede dañar el dispositivo , incluso el fallo permanente, que pueden afectar a la fiabilidad de la máquina. Se sugiere que se utiliza en el 80 por ciento de las máximas calificaciones del dispositivo.
Al instalar el disipador de calor , por favor, preste atención al momento de torsión y la suavidad del disipador de calor.
VDMOSFETs es el dispositivo que es sensible a la electricidad estática , es necesario para proteger el dispositivo de ser dañados por la electricidad estática al utilizarlo.
Esta publicación es realizada por Zhongxin microelectrónica y regulares sujetos a cambios sin previo aviso.

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