680V/12A 0.8mΩ Zg12N65 N Canales MOSFET de potencia avanzada

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Product origin: Taizhou, Jiangsu, China

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Description

ZG12N65 es un modo de mejora de canal N MOSFET, que es producido utilizando Zhongxin de propiedad de la microelectrónica. La auto-alineados proceso planar y mejora de la tecnología de la terminal de reducir la pérdida de la conducción, mejorar el rendimiento de conmutación y mejorar la avalancha de energía. El transistor puede utilizarse en diversas en el circuito de conmutación de potencia para una mayor eficacia y el sistema de la miniaturización.

VDSS	650	V
ID.	11.5	Un
RDS₍_on₎	0.65	Ω.
Sir	18	PF

El parámetro	Símbolo		Valor	Unidad
- Tensión Drain-Source	VDSS		650	V
Corriente de drenaje continúa	ID.	Tc=25ºC	11,5*	Un
		Tc=100ºC	6.8*
( 1) Drenaje Plused corriente (nota 1)	IDM		46	Un
Gate-Tensión de la fuente	VGS		±30	V
( 2) Solo avalancha de pulsos de energía (nota 2)	EAS		590	MJ
( 1) Avalancha de corriente (nota 1)	IAR		11	Un
( 1) Avalancha repetitiva de la Energía (nota 1)	EAR		20	MJ
( 3) Diodo de pico de la recuperación (nota 3)	Dv/dt		4.5	V/ns
Disipación de potencia	PD Tc=25ºC	A-220	240	W
		A-220F	50
Factor de disminución de disipación de potencia	PD_(DF) Por encima de 25ºC	A-220	2.0	W/ºC
		A-220F	0.4
Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento	TJ,TSTG		150,-55~+150	°C.
Temperatura máxima para la soldadura.	TL		300	°C.

El parámetro	Símbolo		Máx.	Unidad
Resistencia térmica, el cruce con el caso	Rth j-c).	A-220/A-262	0,52	W
		A-220F	2.5
Resistencia térmica,Empalme a temperatura ambiente	Rth j-A)	A-220	62.5	W/ºC
		A-220F	62.5

Off-Characteristics
El parámetro	Símbolo	Las condiciones de las pruebas	Min	Tipo	Máx.	Unidad
- La tensión de ruptura Drain-Source	BVDSS	ID=250 µa, VGS=0V	600	-	-	V
La tensión de ruptura de Coeficiente de Temperatura	△BVDSS/△TJ	ID=250 µa, con referencia a 25ºC	-	0.7	-	V/ºC
El voltaje de corriente de drenaje de la puerta cero	IDSS	VDS=650V,VGS=0V, TC=25ºC	-	-	1	ΜA
El voltaje de corriente de drenaje de la puerta cero	IDSS	VDS=520V, TC=125ºC	-	-	10	ΜA
Gate-cuerpo hacia delante, corriente de fuga.	IGSSF	VDS=0V, VGS =30V	-	-	100	NA
Gate-cuerpo la corriente de fuga, marcha atrás	IGSSR	VDS=0V, VGS = -30V	-	-	-100	NA

On-Characteristics
El parámetro	Símbolo	Las condiciones de las pruebas	Min	Tipo	Máx.	Unidad
Tensión umbral de puerta	VGS_(a)	VDS = VGS , ID=250 µa	2.0	-	4.0	V
Drain-Source On-Resistance estática	RDS_(on)	VGS =10V , ID=6,0 A	-	0.65	0.75	Ω.
Adelante Transconductancia	Gfs	VDS = 40V, ID=6,0 A(nota4).	-	10	-	S

Características dinámicas
El parámetro	Símbolo	Las condiciones de las pruebas	Min	Tipo	Máx.	Unidad
La capacitancia de entrada	La CISS	VDS=25V, VGS =0V, f=1,0 MHZ	-	1887	2507	PF
La capacitancia de salida	Coss		-	188	243	PF
La transferencia inversa la capacitancia	Sir		-	18	28	PF

Superior a la máxima calificación de el dispositivo en el rendimiento puede dañar el dispositivo , incluso el fallo permanente, que pueden afectar a la fiabilidad de la máquina. Se sugiere que se utiliza en el 80 por ciento de las máximas calificaciones del dispositivo.
Al instalar el disipador de calor , por favor, preste atención al momento de torsión y la suavidad del disipador de calor.
VDMOSFETs es el dispositivo que es sensible a la electricidad estática , es necesario para proteger el dispositivo de ser dañados por la electricidad estática al utilizarlo.
Esta publicación es realizada por Zhongxin microelectrónica y regulares sujetos a cambios sin previo aviso.