Complaint
| La capacidad | 128/256/512GB/1TB |
| La capacidad de memoria DRAM | 4G |
| Modelo de memoria DRAM | SAMSUNG/micras/NAN/moderno |
| Modelo de controlador | SMI2258H=SMI2254G=SMI2258G |
| Las partículas de material | Nuevo samsung |
| Lectura secuencial | 560MB/seg. |
| Escritura secuencial | 510MB/seg. |
| Leer IOPS. | 82000 |
| Escritura IOPS. | 80000 |
| TBW | 300 |
| Chip | 3D V3 |
| Con la DRAM | Sí |
| De tipo NAND | TLC |
| Modelo de NAND | SAMSUNG |
| MTBF | 1000000 |
| El poder R/W/I * | DC 5V/1A |
| Las dimensiones H/W/L * | 100×69,9×7.0mm |
| * Temperatura | Los 0ºC ~ 70ºC |
| El peso | 49g |
| La garantía | 3 años |
| Certificaciones | El CIC |
