Tipo Hjt Célula Solar Monocristalina

La tecnología de unión hetero de silicio (HJT) se basa en un emisor y un campo de superficie posterior (BSF) que se producen mediante el crecimiento a baja temperatura de capas ultrafinas de silicio amorfo (a-Si:H) en ambos lados de obleas de silicio mono muy bien limpias, con un grosor inferior a 200 μm, donde se fotogeneran electrones y huecos.

El proceso de la célula se completa mediante la deposición de óxidos conductores transparentes que permiten una excelente metalización. La metalización se puede realizar mediante serigrafía estándar, ampliamente utilizada en la industria para la mayoría de las células, o con tecnologías innovadoras.

Las células solares de silicio con tecnología de unión hetero (HJT) han atraído mucha atención porque pueden lograr altas eficiencias de conversión, de hasta el 25%, mientras utilizan un procesamiento a baja temperatura, típicamente por debajo de los 250 °C para todo el proceso. La baja temperatura de procesamiento permite manipular obleas de silicio de menos de 100 μm de grosor manteniendo un alto rendimiento.

Características clave

Alta eficiencia y alto Voc
Coeficiente de temperatura bajo, ganancia de salida de energía del 5-8%
Estructuras bifaciales