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120A 80V modo de mejora de canal N MOSFET de potencia DSG047n08n3 to-220C
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Product origin: Wuxi, Jiangsu, China
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Description
PARÁMETRO SÍMBOLO VALOR UNIDAD
Tensión de la unidad de transmisión a la fuente VDSS 80 V
Tensión de puerta a fuente VGSS ±20 V
Corriente de drenaje (continua) ID (T=25ºC) 120 R
(T=100ºC) 85 R
Corriente de drenaje (pulsada) ITM 480 R
Energía de Avalanche de pulso único EAS 702 MJ
Disipación total Ta=25ºC. Ptot 2 W
TC=25ºC. Ptot 208 W
Temperatura de unión TJ -55~150 ºC
Temperatura de almacenamiento Tstg -55~150 ºC
 
Características
Conmutación rápida
Baja resistencia
Carga de puerta baja
Baja capacidad de transferencia inversa
Alta corriente de avalancha
100% Prueba de Energía de Avalanche de pulso único
ΔVDS% 100 Prueba
Aplicaciones
Rectificación sincrónica en SMPS
Conmutación dura y circuito de alta velocidad
Herramientas eléctricas
UPS
Control del motor
 
Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto Tipo de paquete Marcar nombre RoHS Paquete Cantidad
DSG047N08N3
TO-220C
DSG047N08N3
Sin PB TUBO 1000/caja
 
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