252package Sic Schottky Diodo de barrera Dcd04D65g4 to-4A 650V

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Product origin: Wuxi, Jiangsu, China
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Description
25A 1700V Diodo de barrera Schottky SiC

1 Descripción
La familia de productos de la serie SIC ofrece un rendimiento de vanguardia. Está diseñado para altas
aplicaciones de frecuencia en las que se requiere alta eficiencia y alta fiabilidad.
 
Características
alta tensión
Corriente de recuperación inversa cero
Tensión de recuperación de avance cero
Coeficiente de temperatura positivo en FV
175ºC temperatura de funcionamiento de la unión
Aplicaciones
Fuentes de alimentación de modo de conmutación
Corrección del factor de potencia
Motor de accionamiento, inversor PV, central eólica
 
PARÁMETRO SÍMBOLO VALOR UNIDAD
 
Tensión inversa repetitiva pico VRRM 650 V
Tensión de marcha atrás pico de funcionamiento VRWM 650 V
Tensión de bloqueo de CC VR 650 V
 Corriente de avance (TC≤135ºC) SI 8 R
(TC≤160ºC)
4
Corriente de transitorios de avance de pico repetitiva (t=8,3ms) IFSM 32 R
Disipación de potencia Ptot 60 W
Rango de temperatura de unión de funcionamiento TJ -55~175 ºC
Rango de temperatura de almacenamiento Tstg -55~175 ºC
Temperatura de soldadura
Tsold
260
ºC
 
Especificaciones del producto y modelos de embalaje
Modelo de producto Tipo de paquete Marcar nombre
DCD04D65G4
TO-252
DCD04D65G4
 
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