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Montones de carga rápida Extral Aux del Flyback uno topologías de interruptor de la OSG90r1K2af A251 MOSFET de potencia de alta tensión
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Product origin: Shanghai, China
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US$ 0.2

Description
Descripción general
OSG90R1K2xF GreenMOSTM utilizar la avanzada tecnología para proporcionar bajo RDS(on), bajo la puerta de carga, el cambio rápido y excelentes características de avalancha. Este dispositivo es adecuado para la corrección del factor de potencia activa y el modo de fuente de alimentación de conmutación de aplicaciones.


Características                                       Aplicaciones
  1. Bajo RDS(on) y de                                             iluminación de FOM
  2. Extremadamente baja pérdida de conmutación de                              PWM de conmutación de disco duro
  3. Excelente estabilidad y uniformidad de               suministro de alimentación del servidor.
  4. Fácil de conducir el                              cargador

Los parámetros de rendimiento clave
 
    1. Máximo absoluto de los índices en el TJ=25ºC, a menos que se indique lo contrario
 
El parámetro Símbolo Valor Unidad
Vaciar la tensión de fuente VDS. 900 V
La puerta la tensión de fuente VGS ±30 V
Corriente de drenaje continuo1), el TC=25 °C. ID. 5 Un
Corriente de drenaje continuo1), el TC=100 °C. 3.2.
Impulsos de corriente de drenaje2), el TC=25 °C. Pulso, ID. 15 Un
Disipación de potencia3) para A251 A262, el TC=25 °C. PD 83 W
Disipación de potencia3) para el A220F, TC=25 °C. 31
Solo avalancha de pulsos de energía5). EAS 211 MJ
Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V. Dv/dt 50 V/ns
Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID. Dv/dt 15 V/ns
Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento Tstg,Tj -55 a 150 °C.
 
 
  1. &Bsp; las características térmicas
 
El parámetro Símbolo Valor Unidad
A251/A262 A220F
Resistencia térmica, en la intersección de los casos RθJC 1.5 4.0 ºC/W
Resistencia térmica, junction ambiente4). RθJA 62 62.5 ºC/W
  1. Características eléctricas en TJ=25 ºC, a menos que se especifique lo contrario
 
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad Condición de prueba

Vaciar el origen de la tensión de ruptura
BVDSS 		900   
V 		VGS = 0 V, ID=250 µa
960. 1070  VGS = 0 V, ID=250 µa,
Tj=150 °C.
Tensión umbral de puerta VGS(a) 2.0  4.0 V VDS=VGS, ID=250 µa

Fuente de drenaje en el estado de la resistencia
RDS(on) 		 1.0 1.2
Ω. 		VGS=10 V, ID=2.
 2.88  VGS=10 V, ID=2,
Tj=150 °C.

Gate-fuente corriente de fuga.
IGSS 		  100
NA 		VGS=30 V
  -100 VGS=-30 V
Fuente de drenaje de corriente de fuga. IDSS   10 ΜA VDS=900 V, VGS = 0 V.
  1. Características dinámicas
 
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad Condición de prueba
La capacitancia de entrada La CISS  874.2  PF VGS = 0 V, Vds.=50 V
F=100 kHz.
La capacitancia de salida Coss  37.5  PF
La transferencia inversa la capacitancia Sir  1.7  PF
Tiempo de retardo de encendido Td(en)  33.23  Ns VGS=10 V, VDS=400 V, RG=33 Ω, ID=5
Tiempo de subida Tr  26.50  Ns
Desactivar el tiempo de retraso Td(off)  44.00  Ns
Tiempo de bajada Tf  17.63  Ns
 
 
  1. Características de carga de la puerta
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad Condición de prueba
El total de carga de la puerta Qg  12,50  NC
ID=5, VDS=400 V, VGS=10 V
Carga de la fuente de puerta. Qgs  3.75  NC
Carga de drenaje de puerta. Qgd  4.28  NC
Tensión de la meseta de puerta Vplateau  5.8  V
  1. Características Diodo cuerpo
 
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad Condición de prueba
El diodo corriente Es   5
Un
VGS<Vº
Impulsos de corriente de fuente ISP   15
El diodo tensión directa VSD   1.3 V Es=5, VGS = 0 V.
Invertir el tiempo de recuperación Trr  265.87  Ns
VR=400 V, es=5,
Di/dt=100 A/μs
Carga de la recuperación de marcha atrás Qrr  2.88  ΜC
El pico de corriente de recuperación inversa Irrm  19,51  Un
  1. Nota
 
  1. Se calcula una corriente continua basada en la máxima admisible de temperatura de unión.
  2. Calificación repetitivos; el ancho de pulso limitada por un máximo de temperatura de unión.
  3. Pd se basa en un máximo de temperatura de unión, mediante el cruce de los casos la resistencia térmica.
  4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en el 1 de 2 FR-4 junta 2oz. El cobre, en el aire ambiente con TA=25 ºC.
  5. VDD=100 V, RG=47 Ω, L=10 mH, a partir de TJ=25 ºC.
  
   
   
   
   

Marcar información
 
El nombre del producto Paquete El marcado
OSG65R038HZF A247 OSG65R038Hz
Máximo absoluto de los índices en el TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 
El parámetro Símbolo Valor Unidad
Vaciado de la tensión de fuente VDS. 650 V
Gate-tensión de la fuente VGS ±30 V
Corriente de drenaje continuo1), el TC=25 °C
ID. 		80
Un
Corriente de drenaje continuo1), el TC=100 °C 50
Impulsos de corriente de drenaje2), el TC=25 °C Pulso, ID. 240 Un
Diodo continua corriente1), el TC=25 °C Es 80 Un
El diodo corriente pulsada2), el TC=25 °C Es, el pulso 240 Un
 Disipación de potencia3)  ,TC=25  °C PD 500 W
Solo avalancha de pulsos de energía5). EAS 2900 MJ
Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V. Dv/dt 100 V/ns
Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID. Dv/dt 50 V/ns
Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento Tstg, TJ -55 a 150 °C.

Las características térmicas
 
El parámetro Símbolo Valor Unidad
Resistencia térmica, en la intersección de los casos RθJC 0.25 °C/W
Resistencia térmica, junction ambiente4). RθJA 62 °C/W

Características eléctricas en TJ=25°C a menos que se especifique lo contrario
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad Condición de prueba

Vaciar el origen de la tensión de ruptura
BVDSS 		650   
V 		VGS = 0 V, ID=2 mA
700 770  VGS = 0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C
El umbral de puerta
La tensión 		VGS(a) 3.0  4.5 V VDS=VGS, ID=2 mA

Fuente de drenaje
En el estado de la resistencia
RDS(on) 		 0.032 0,038
Ω. 		VGS=10 V, ID=40 A
 0,083  VGS=10 V, ID=40, TJ=150 °C
Gate-fuente corriente de fuga.
IGSS 		  100
NA 		VGS=30 V
  -100 VGS=-30 V
Fuente de drenaje de corriente de fuga. IDSS   10 ΜA VDS=650 V, VGS = 0 V.
Resistencia a la puerta RG  2.1.  Ω. Ƒ=1 MHz, drenaje abierto

Características dinámicas
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad Condición de prueba
La capacitancia de entrada La CISS  9276  PF
VGS = 0 V, Vds.=50 V
Ƒ=100 kHz.
La capacitancia de salida Coss  486.  PF
La transferencia inversa la capacitancia Sir  12.8  PF
De salida efectiva de la capacitancia, relacionados con la energía Co(er)  278  PF
VGS = 0 V, VDS=0 V-400 V
De salida efectiva de la capacitancia, relacionadas con el tiempo Co(tr)  1477  PF
Tiempo de retardo de encendido Td(en)  55.9  Ns
VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Tiempo de subida Tr  121,2  Ns
Desactivar el tiempo de retraso Td(off)  114,2  Ns
Tiempo de bajada Tf  8.75  Ns

Características de carga de la puerta
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad Condición de prueba
El total de carga de la puerta Qg  175.0  NC

VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Carga de la fuente de puerta. Qgs  40.1  NC
Carga de drenaje de puerta. Qgd  76.1  NC
Tensión de la meseta de puerta Vplateau  6.4  V

Características Diodo cuerpo
El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad Condición de prueba
El diodo tensión directa VSD   1.3 V Es de=80 A, VGS = 0 V.
Invertir el tiempo de recuperación Trr  180  Ns
Es de=30 A,
Di/dt=100 A/μs
Carga de la recuperación de marcha atrás Qrr  1.5  La uC
El pico de corriente de recuperación inversa Irrm  15.2  Un

Nota
  1. Se calcula una corriente continua basada en la máxima admisible de temperatura de unión.
  2. Calificación repetitivos; el ancho de pulso limitada por un máximo de temperatura de unión.
  3. Pd se basa en un máximo de temperatura de unión, mediante el cruce de los casos la resistencia térmica.
  4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en el 1 de 2 FR-4 junta 2oz. El cobre, en el aire ambiente con TA=25 °C.
  5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, a partir de TJ=25 °C.
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