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Las células de TOPCon tipo N se basan en una n-dopado de obleas de silicio cristalino.
Las células fotovoltaicas difieren en su estructura de capas cargadas positivamente en las células de tipo P y tipo N cargados negativamente las células. Con las células de tipo P, la capa base es dopada con boro, que tiene un electrón menos de silicio. Esto crea un agujero de electrones y los portadores de carga positiva predominan. En las células de tipo N, la capa base es dopada con fósforo. Esto tiene un electrón de más de silicio. Este el dopaje genera electrones libres.
La mayor eficacia de las células de tipo N es causado por estos electrones libres. También son responsables de la extremadamente baja pérdida de potencia y evitar que fenómenos como el PID y la tapa.
| El modelo de panel solar | GSM570M10-144HC | GSM575M10-144HC | GSM580M10-144HC | GSM585M10-144HC | GSM590M10-144HC |
| La Potencia pico Watts-Pmax(Wp)*. | 570W | 575W | 580W | 585W | 590W |
| La máxima potencia Voltage-Vmpp(V). | 42.07 | 42.22 | 42.37 | 42.52 | 42.67 |
| La máxima potencia Current-Impp(A) | 13.55 | 13.62 | 13.69 | 13.76 | 13.83 |
| Circuito abierto Voltage-Voc(V). | 50.74 | 50,88 | 51.02 | 51.16 | 51.30 |
| Cortocircuito Current-Isc(A) | 14.31 | 14.39 | 14,47 | 14.55 | 14.63 |
| La eficiencia del módulo (%) | 22.06 | 22,25 | 22.44 | 22.64 | 22.84 |
| La potencia de salida Tolerance-Pmax(W). | 0~+5 | ||||
| Coeficiente de Temperatura Pmáx. | -0.3%/ºC | ||||
| Coeficiente de temperatura de la VOC | -0,25%/ºC | ||||
| Coeficiente de temperatura de los CAI | 0.046%/ºC | ||||
| STC | La irradiancia 1000W/m2, temperatura de la celda 25, masas de aire AM1.5 | ||||
2279*1134*35mm / 29,4kg.
El 31 de piezas / palet, 620 piezas / 40HC
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