Tipo | Descripción |
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Categoría | Los productos semiconductores discretos Los transistores FETs, MOSFETs Solo FETs, MOSFETs |
Paquete | El tubo |
El estado del producto | Activo |
Tipo FET | Canal N |
La tecnología | (MOSFET de óxido metálico) |
Vaciar a la fuente de tensión (Vdss) | 500 V |
- Drenaje de corriente continua (Id) de @ a 25°C | 20A (Ta) |
La tensión de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS). | 10V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (máx.). | ±30 V |
La capacitancia de entrada (CISS) (máx.) @ Vds. | 3050 pF @ a 10 V |
Disipación de potencia (máx.). | 120W (Tc) |
La temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | A través del agujero |
El paquete del dispositivo de proveedor | A-3P |
Package / Caso | A-220-3 Full Pack |
El número de producto de la base | 2SK1518 |