Description
El arseniuro de galio GaAs sola varilla de cristal
Método de Crecimiento: AGV
Tipo de conductores: N
Los elementos de dopaje: Si
El diámetro: 2-4 pulgadas
La dirección: (100) 150 ± 10 off hacia 111UN
La concentración de portadora
Min: 0.2 E18
Máx.: 4.0 E18/cm3
La resistividad:
Min: 0.8 E-3
Máx.: 9.0 E-3Ohmios. Cm.
Movilidad: ≥ 1800 cm2/V. S
La Densidad de dislocaciones: ≤ 3.500/cm2
También suministramos el arseniuro de galio GaAs único cristal, GaAs polycrystal, GaAs wafer, óxido de galio con alta pureza.
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