175 le degré de haute résistance à la température du module de mémoire Flash NAND pour outils de forage

 

 

La broche Description :

La broche	Description fonctionnelle
IO0 ~ IO7	Entrée / sortie multiplexé Le transfert bidirectionnel de l'adresse I/Os, données et informations de commande. Lorsque C(-)E(-) de la broche est élevée,l'I/Os est une impédance élevée.
CLE	Loquet de la commande enable Lors de la CLE est élevé, la commande est verrouillé dans le registre de commande par le biais de l'IO port sur le front montant du signal.
ALE	Adresse d'activation du loquet Lorsque l'ALE est élevée,l'adresse est verrouillé dans le registre des adresses par le biais de l'IO port sur le front montant du signal.
C(-)E(-)	Activation par puce Active ou désactive la puce.
R(-)E(-)	Lire activer Contrôle de la sortie de données série. Lorsque le signal est faible, les données est entraînée à la port e/s. Les données sont valides après tREA temps sur le front descendant de la R(-)E(-), et de l'intérieur de la colonne adresse compteur est incrémenté automatiquement.
W(-)E(-)	Activation d'écriture Contrôler l'entrée de données série,commande, adresse et les données est verrouillée sur le W(-)E(-) Rising Edge.
R/B(-)	Ready/BUSY OUTPUT Indique que le périphérique état de fonctionnement. Lorsque de faibles, indique que la programmation, effacer ou opération de lecture aléatoire est en cours, lorsque la haute, indique qu'aucune opération ou opération est terminée. Il est recommandé de connecter une résistance de pull-up (4.7K~10K) à l'axe.
Scr	L'alimentation
Vss	GND

Cycle d'adressage :

LDMF1GA :

L'adressage	IO 0	IO 1	IO 2	IO 3	IO 4	IO 5	IO 6	IO 7
1er cycle	CA0	CA1	Le CA2	CA3	CA4	CA5	CA6	CA7	La colonne Adresse 1
2e cycle	CA8	CA9	CA10	CA11	0	0	0	0	La colonne Adresse 2
3e cycle	PA0	PA1	PA2	PA3	PA4	PA5	PA6	BA7	Adresse ligne 1
4e cycle	BA8	BA9	BA10	BA11	BA12	BA13	BA14	BA15	Adresse ligne 2
5e cycle	BA16	BA17	BA18	0	0	0	0	0	Adresse ligne 3

Notes : 1. CAx = colonne adresse, adresse de page PAx =, BAx = adresse de bloc ,la page adresse, adresse de bloc appelé la ligne adresse. Octet Adresse de page appelée la colonne adresse
La taille de page x8 : 8640 octets (2048 + 64 octets)
Taille de bloc : 128 pages (1024K + 8K octets)
Numéro de bloc : 4096 bloque

LDMF4GA :

L'adressage	IO 0	IO 1	IO 2	IO 3	IO 4	IO 5	IO 6	IO 7
1er cycle	CA0	CA1	Le CA2	CA3	CA4	CA5	CA6	CA7	La colonne Adresse 1
2e cycle	CA8	CA9	CA10	CA11	CA12	CA13	0	0	La colonne Adresse 2
3e cycle	PA0	PA1	PA2	PA3	PA4	PA5	PA6	BA7	Adresse ligne 1
4e cycle	BA8	BA9	BA10	BA11	BA12	BA13	BA14	BA15	Adresse ligne 2
5e cycle	BA16	BA17	BA18	0	0	0	0	0	Adresse ligne 3

Notes : 1. CAx = colonne adresse, adresse de page PAx =, BAx = adresse de bloc ,la page adresse, adresse de bloc appelé la ligne adresse. Octet Adresse de page appelée la colonne adresse
Taille de page : 8640 octets x8 (8192 + 448 octets)
Taille de bloc : 128 pages (1024K + 56K octets)
Numéro de bloc : 4096 bloque

Liste d'instructions :

Fonction	1er cycle	2e cycle
Réinitialiser	FFh	-
Lire	00h	30h
Programme de la page	80h	10h
Effacer bloc	60h	D0h

Gestion de bloc non valide
Tous les emplacements de l'appareil sont effacés (0xFF) sauf que l'adresse emplacement dans le bloc non valide lors de la livraison de l'usine. Le drapeau de bloc non valide est situé sur le premier octet de la zone de rechange à la dernière page du bloc. Bloc de données non valide est non-0xFF. Le système doit établir la gestion de bloc non valide pour éviter l'aide de bloc non valide. L'adresse de début du premier bloc est 0000h, qui est garanti pour être valide expédiés de l'usine.
Le tableau des blocs défectueux est créé par l'organigramme suivant (ci-dessous).

Étapes de fonctionnement :
1. Une erreur est survenue sur la page n de bloc d'un ou de la programmation au cours de l'effacement de l'opération.Copier les données de la première page à l'(n-1) -e à la page du bloc d'un à la même position dans l'autre bloc vide B.Copier les données en mémoire tampon doivent être enregistrées à la position de page n-th du bloc B.ajouter un bloc à la table des blocs défectueux.

1. Cycle de verrouillage de commande
2. Loquet de la séquence du cycle de l'adresse
3. Les loquets de données d'entrée de séquence du cycle
4. Loquets de séquence du cycle de données de sortie
5. Les instructions du système

Opération de lecture :
Opération de lecture est mis en oeuvre par l'écriture 00h-30h commande pour la commande REGISTER. D'abord, écrivez à 00h commande, puis, écrivez à l'adresse avec 5 cycles, de la dernière commande, écrivez à 30h. Après la fin, le R/B(-) est relâché. l'utilisateur de déterminer l'achèvement de la transmission de données interne en détectant le statut de R/B(-). Une fois l'achèvement de la transmission, l'utilisateur peut démarrer le RE, les données lues en permanence.
Lire la séquence des opérations est comme suit.

Opération de programmation :
Avant d'opération de programmation, l'utilisateur doit effacer le bloc d'abord. Opération de programmation est mise en oeuvre par l'écriture 80h-10h commande pour la commande REGISTER. D'abord écrire 80h commande, puis, écrivez à l'adresse avec 5 cycles, puis charger les données dans le registre de mémoire tampon de données internes, de la dernière, écrivez à 10h après la fin de la commande pour confirmer l'écriture. Après la programmation de l'achèvement, le R/B(-) est relâché.
Séquence des opérations de programmation

Opération de suppression :
L'effacement de la commande est 60H-D0h. D'abord écrire 60h commande, puis écrivez l'adresse avec 3 cycles de roulage , et ensuite écrire D0h commande pour confirmer la suppression. Après la fin de l'effacement, R/B(-) est relâché.

Effacer la séquence de fonctionnement

Opération operationReset séquence de réinitialisation

Remarque : si l'écriture de données à la page avant de l'opération de restauration complète d'entrée de commande, peut entraîner la corruption de données, le dommage est non seulement est à la page de programmation, peut également affecter les pages adjacentes.

Instructions séquentielles(-45ºC~175ºC):en tant que la température augmente, la vitesse de réponse de l'appareil après l'opération peut ralentir.Séquence d'exécution du programme utilisateur une certaine quantité de l'indemnité, suggèrent pour augmenter la température élevée de la stabilité.

Liste de paramètres de distribution(25ºC) :

Symbole	MIN	Standard	MAX	Les unités	Dscription
TPROG		0,8	3	Mme	Durée du programme de la page
TBERS		1.5	10	Mme	Bloc de temps d'effacement
TCLS	15			Ns
TCLH	5			Ns
TCS	20			Ns
TCH	5			Ns
TWP	15			Ns
TALS	15			Ns
TALH	5			Ns
TDS	15			Ns
TDH	5			Ns
TWC	30			Ns
TWH	10			Ns
TADL	70			Ns
TR			60	Μs
TAR	10			Ns
TCLR	10			Ns
Les DRT	20			Ns
Le tRP	15			Ns
TWB			100	Ns
TRC	30			Ns
TREA			20	Ns
TCEA			25	Ns
TRHZ			100	Ns
TCHZ			30	Ns
TCSD	10			Ns
TRHOH	15			Ns
TRLOH	5			Ns
Le tCOH	15			Ns
TREH	10			Ns
Commission de contrôle tIR	0			Ns
TRHW	100			Ns
TWHR	60			Ns
TRST			5/10/500	Μs	Lecture/effacement/programmation

 

ZITN est un programme national de l'entreprise high-tech, il a été créé en 2002 par de nombreux ingénieurs de haute technologie qui ont une vaste expérience dans l'industrie de la microélectronique. Avec 19 ans de développement, ZITN est devenu un leader reconnu du secteur en Chine, et nous avons total 175 employés, plus de 49 % d'entre eux sont originaires de la R&D'ÉQUIPE. Nous avons principalement concevoir, développer et de la fabrication de haute précision basé sur l'inclinomètre, le quartz accéléromètres, systèmes d'unité de mesure inertielle, si le circuit de produits et de mémoire flash NAND qui largement utilisé pour l'aérospatiale, forage pétrolier et gazier, l'exploration géologique de champs.

 

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