Description
Description générale
OST75N65HSMF utilise la technologie brevetée Trident-Gate Bipolar transistor (TGBTTM) d'Oriental-semi pour fournir un VCE (SAT) extrêmement faible, une faible charge de grille et d'excellentes performances de commutation. Ce dispositif est adapté aux convertisseurs de fréquence de commutation moyenne à haute.
Fonctionnalités
Technologie TGBTTM avancée
Excellente perte de conduction et de commutation
Excellente stabilité et uniformité
Diode antiparallèle rapide et souple
Applications
Convertisseurs à induction
Alimentations sans coupure
Chaîne d'approvisionnement
Déclaration de produit écologique