Telecom RoHS d'alimentation 1/3 du coût de l'(GaN) Nitrure de Gallium appareil dans les opérations de haute fréquence Super si l'oss65R340df252 le MOSFET

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Product origin: Shanghai, China

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Complaint

US$ 0.2

Description

Description générale
Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie de l'équilibre de charge pour obtenir d'excellents faible résistance et de charge inférieur de porte. Elle est conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieure et une solide capacité d'avalanche.
L'SuperSi GreenMOS® série est basée sur l'Oriental Semiconductor Design de périphérique unique pour atteindre les caractéristiques de commutation extrêmement rapide. Il est le parfait remplacement pour le nitrure de gallium (GaN) appareil dans les opérations de haute fréquence avec une meilleure robustesse et coût. Il est destiné à répondre aux normes les plus agressifs de l'efficacité des systèmes d'alimentation électrique en poussant les performances et la densité de puissance à l'extrême limite.

Fonctionnalités

Faible RDS(ON) & FOM
Extrêmement faibles pertes de commutation
Excellente stabilité et de l'homogénéité
Facile à concevoir dans

Les applications

Chargeur de PD
Grand écran
Telecom power
Alimentation du serveur

Les paramètres de performance clés

Le paramètre	Valeur	Unité
VDS, min @ Tj(max)	700	V
ID, pulse	36	Un
RDS(ON), max @ VGS=10V	340	MΩ
Qg	9.6	NC

Marquage des informations

Nom du produit	Paquet	Le marquage
L'OSS65R340DF	D252	L'OSS65R340D

Paquet & informations PIN

Cotes de maximum absolu Tj=25°C sauf indication contraire

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de source de vidange	VDS	650	V
Gate-source de tension	VGS	±30	V
Courant de vidange en continu¹⁾, TC=25 °C	ID	12	Un
Courant de vidange en continu¹⁾, TC=100 °C	ID	7.6	Un
Vidanger le courant pulsé²⁾, TC=25 °C	ID, pulse	36	Un
Diode de l'avant de courant continu¹⁾, TC=25 °C	Est	12	Un
Courant pulsé de diode²⁾, TC=25 °C	N'EST, de pouls	36	Un
La dissipation de puissance³⁾, TC=25 °C	PD	83	W
L'énergie pulsée unique avalanche5)	La fonction EAS	200	MJ
Le MOSFET de robustesse dv/dt, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Diode de marche arrière dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Fonctionnement et la température de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

Les caractéristiques thermiques

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	1.5	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à Tj=25°C sauf indication contraire

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=250 μA
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	700			V	VGS=0 V, ID=250 μA, Tj=150 °C
Tension de seuil de porte	VGS(th)	2.9		3.9	V	VDS=VGS, ID=250 μA
Drain-source sur- résistance de l'état	RDS(ON)		0.30	0.34	Ω	VGS=10 V, ID=6 A
Drain-source sur- résistance de l'état	RDS(ON)		0.73		Ω	VGS=10 V, ID=6 A, Tj=150 °C
Porte-source courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS=30 V
Porte-source courant de fuite	IGSS			-100	NA	VGS=-30 V
Source de courant de fuite de vidange	Les IDS			1	Μa	VDS=650 V, VGS=0 V

Les caractéristiques dynamiques

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	Ciss		443.5		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz
Capacité de sortie	Coss		59.6		PF
Transfert inverse de la capacité	Sir		1.7		PF
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		22.4		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG = 2 Ω, ID=6 A
Le temps de montée	Tr		17,5		Ns
Désactiver le temps de retard	Td(arrêt)		40,3		Ns
Temps de chute	Tf		7.2		Ns

Caractéristiques de charge de la porte

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des frais de porte	Qg		9.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A
Porte-charge source	Qgs		2.2		NC
Gate-frais de vidange	Qgd		4.5		NC
Plateau de la porte de la tension	Vplateau		6.5		V

Caractéristiques de la diode du corps

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Diode de la tension de marche avant	VSD			1.3	V	Est de=12 A, VGS=0 V
Le temps de récupération de marche arrière	Les DRT		236,5		Ns	VR = 400 V, est de=6 A, Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière	Qrr		2.2		ΜC
Pic de courant de récupération de marche arrière	Irrm		19.1		Un

Remarque :

Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction-résistance thermique de cas.
La valeur de RθJA est mesurée avec le périphérique monté sur 1 en 2 FR-4 carte avec 2oz. Le cuivre, dans un environnement de l'air encore avec TA=25 °C.
La DMV=100 V, VGS=10 V, L=60 mH, démarrage Tj=25 °C.

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