Complaint
| Le paramètre | Valeur | Unité |
| VDS | 40 | V |
| ID, pulse | 600 | Un |
| RDS(ON) max @ VGS=10V | 1.1 | MΩ |
| Qg | 118.4 | NC |
| Nom du produit | Paquet | Le marquage |
| SFS04R013UGF | PDFN5 x 6 | SFS04R013UG |
| Le paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension drain-source | VDS | 40 | V |
| Tension source de la porte | VGS | ±20 | V |
| Courant de vidange en continu1), TC=25 °C | ID | 200 | Un |
| Vidanger le courant pulsé2), TC=25 °C | ID, pulse | 600 | Un |
| Diode de l'avant de courant continu1), TC=25 °C | Est | 200 | Un |
| Courant pulsé de diode2), TC=25 °C | N'EST, de pouls | 600 | Un |
| La dissipation de puissance3), TC=25 °C | PD | 178 | W |
| L'énergie pulsée unique avalanche5) | La fonction EAS | 144 | MJ |
| Fonctionnement et la température de stockage | Tstg,tj | -55 à 175 | °C |
| Le paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
| Résistance thermique, boîtier de jonction | RθJC | 0,84 | °C/W |
| Résistance thermique, jonction ambiant4) | RθJA | 62 | °C/W |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
| Tension de rupture de source de vidange | BVDSS | 40 | V | VGS=0 V, ID=250 μA | ||
| Tension de seuil de porte | VGS(th) | 1.2 | 2.5 | V | VDS=VGS, ID=250 μA | |
| Drain-source sur- résistance de l'état | RDS(ON) | 0,9 | 1.1 | MΩ | VGS=10 V, ID=20 A | |
| Drain-source sur- résistance de l'état | RDS(ON) | 1.5 | 2.0 | MΩ | VGS=6 V, ID=20 A | |
| Porte-source courant de fuite | IGSS | 100 | NA | VGS=20 V | ||
| -100 | VGS=-20 V | |||||
| Source de courant de fuite de vidange | Les IDS | 1 | UA | VDS=40 V, VGS=0 V | ||
| Résistance de la porte | RG | 3.2 | Ω | Ƒ=1 MHz, drain ouvert |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
| Capacité d'entrée | Ciss | 5453 | PF | VGS=0 V, VDS=25 V, Ƒ=100 kHz | ||
| Capacité de sortie | Coss | 1951 | PF | |||
| Transfert inverse de la capacité | Sir | 113 | PF | |||
| Temps de retard de mise sous tension | Td(le) | 23.9 | Ns | VGS=10 V, VDS=40 V, RG = 2 Ω, ID=40 A | ||
| Le temps de montée | Tr | 16.9 | Ns | |||
| Désactiver le temps de retard | Td(arrêt) | 80.4 | Ns | |||
| Temps de chute | Tf | 97,7 | Ns |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
| Total des frais de porte | Qg | 85,6 | NC | VGS=10 V VDS=40 V, ID=40 A | ||
| Porte-charge source | Qgs | 17.6 | NC | |||
| Gate-frais de vidange | Qgd | 14.5 | NC | |||
| Plateau de la porte de la tension | Vplateau | 3.6 | V |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
| Diode de la tension de marche avant | VSD | 1.3 | V | Est de=20 A, VGS=0 V | ||
| Le temps de récupération de marche arrière | Les DRT | 71.1 | Ns | VR = 40 V, est de=40 A Di/dt = 100 A/μs | ||
| Frais de récupération de marche arrière | Qrr | 50.1 | NC | |||
| Pic de courant de récupération de marche arrière | Irrm | 1.2 | Un |
