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Topologie de PFC de Vienne de la consommation d'alimentation électronique SFS04R013ugf Pdfn5 X 6 et de commutation rapide Récupération soft faible Rds (ON) 1.1mΩ , le MOSFET
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Min.Order: 660
Product origin: Shanghai, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ 0.2

Description
Description générale
MOSFET FSMOS® est basé sur l'Oriental Semiconductor Design de périphérique unique pour atteindre un faible RDS(ON), une faible charge de grille, une commutation rapide et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. Le faible Vth série est spécialement optimisée pour les systèmes de rectification synchrone avec la conduite basse tension.


Fonctionnalités
  • Faible RDS(ON) & FOM (figure de mérite)
  • Extrêmement faibles pertes de commutation                                                                
  • Une excellente fiabilité et l'uniformité
  • Commutation rapide et de récupération soft
  • AEC-Q101 qualifiés pour les applications automobiles

Les applications
  • La consommation d'alimentation électronique
  • Commande de moteur
  • Rectification synchrone
  • Convertisseur DC/DC isolés
  • Onduleurs


Les paramètres de performance clés

 
Le paramètre Valeur Unité
VDS 40 V
ID, pulse 600 Un
RDS(ON) max @ VGS=10V 1.1 MΩ
Qg 118.4 NC

Marquage des informations

 
Nom du produit Paquet Le marquage
SFS04R013UGF PDFN5 x 6 SFS04R013UG

 
 
Cotes de maximum absolu Tj=25°C sauf indication contraire
 
Le paramètre Symbole Valeur Unité
Tension drain-source VDS 40 V
Tension source de la porte VGS ±20 V
Courant de vidange en continu1), TC=25 °C ID 200 Un
Vidanger le courant pulsé2), TC=25 °C ID, pulse 600 Un
Diode de l'avant de courant continu1), TC=25 °C Est 200 Un
Courant pulsé de diode2), TC=25 °C N'EST, de pouls 600 Un
La dissipation de puissance3), TC=25 °C PD 178 W
L'énergie pulsée unique avalanche5) La fonction EAS 144 MJ
Fonctionnement et la température de stockage Tstg,tj -55 à 175 °C

Les caractéristiques thermiques
 
Le paramètre Symbole Valeur Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction RθJC 0,84 °C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4) RθJA 62 °C/W

Caractéristiques électriques à Tj=25°C sauf indication contraire
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Tension de rupture de source de vidange BVDSS 40   V VGS=0 V, ID=250 μA
Tension de seuil de porte VGS(th) 1.2  2.5 V VDS=VGS, ID=250 μA
Drain-source sur- résistance de l'état RDS(ON)  0,9 1.1 MΩ VGS=10 V, ID=20 A
Drain-source sur- résistance de l'état RDS(ON)  1.5 2.0 MΩ VGS=6 V, ID=20 A
Porte-source courant de fuite
IGSS 		  100
NA 		VGS=20 V
  -100 VGS=-20 V
Source de courant de fuite de vidange Les IDS   1 UA VDS=40 V, VGS=0 V
Résistance de la porte RG  3.2  Ω Ƒ=1 MHz, drain ouvert

Les caractéristiques dynamiques
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Capacité d'entrée Ciss  5453  PF
VGS=0 V, VDS=25 V,
Ƒ=100 kHz
Capacité de sortie Coss  1951  PF
Transfert inverse de la capacité Sir  113  PF
Temps de retard de mise sous tension Td(le)  23.9  Ns
VGS=10 V, VDS=40 V, RG = 2 Ω, ID=40 A
Le temps de montée Tr  16.9  Ns
Désactiver le temps de retard Td(arrêt)  80.4  Ns
Temps de chute Tf  97,7  Ns

Caractéristiques de charge de la porte
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Total des frais de porte Qg  85,6  NC

VGS=10 V VDS=40 V, ID=40 A
Porte-charge source Qgs  17.6  NC
Gate-frais de vidange Qgd  14.5  NC
Plateau de la porte de la tension Vplateau  3.6  V

Caractéristiques de la diode du corps
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Diode de la tension de marche avant VSD   1.3 V Est de=20 A, VGS=0 V
Le temps de récupération de marche arrière Les DRT  71.1  Ns
VR = 40 V, est de=40 A
Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière Qrr  50.1  NC
Pic de courant de récupération de marche arrière Irrm  1.2  Un

Remarque :
  1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
  2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
  3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction-résistance thermique de cas.
  4. La valeur de RθJA est mesurée avec le périphérique monté sur 1 en2 FR-4 carte avec 2oz. Le cuivre, dans un environnement de l'air encore avec TA=25 °C.
La DMV=30 V,VG=10 V, L = 0,3 mH, démarrage Tj=25 °C.


 
 





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