Chargeur de voiture pour serveur RoHS Power Osg65r038hzaf TO247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET régulateur haute tension à diode de récupération rapide

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Product origin: Shanghai, China
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US$ 0.2

Description
Description générale
Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie d'équilibrage de charge pour obtenir une résistance à l'activation exceptionnelle et une charge de grille inférieure. Il est conçu pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et une capacité d'avalanche robuste.
La série Z de GreenMOS® est intégrée à une diode de récupération rapide (FRD) pour minimiser le temps de récupération inverse. Il convient aux topologies de commutation résonantes pour atteindre une efficacité supérieure, une fiabilité supérieure et un format plus petit.

Fonctionnalités
  • RDS(ON) ET FOM FAIBLES
  • Perte de commutation extrêmement faible
  • Excellente stabilité et uniformité
  • Diode corps ultra-rapide et robuste

Applications                                                                                           
  • Alimentation PC
  • Puissance de télécommunication
  • Alimentation du serveur
  • Chargeur EV
  • Pilote de moteur


Paramètres de performance clés
 
Paramètre Valeur Unité
VDS, min à TJ(max) 650 V
ID, impulsion 240 A
RDS(ON), MAX. À VGS=10 V. 30
QG 178 NF

Informations de marquage
 
Nom du produit Package Marquage
OSG60R030HZF TO247 OSG60R030HZ
Valeurs nominales maximales absolues à TJ=25 °C sauf indication contraire
 
Paramètre Symbole Valeur Unité
Tension de la source de vidange VDS 600 V
Tension de la source de grille VGS ±30 V
Courant de drain continué1), TC=25 °C.
ID
80
A
Courant de drain continué1), TC=100 °C. 50
Courant de drain pulsé 2), TC=25 °C. ID, impulsion 240 A
Diode continue en forward current1), TC=25 °C. EST 80 A
Diode pulse2), TC=25 °C. EST, impulsion 240 A
Puissance dissipe3), TC=25 °C. PD 480 W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5) EAS 2500 MJ
MOSFET dv/dt robustesse, VDS=0…480 V. dv/dt 50 V/ns
Diode inverse dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID dv/dt 50 V/ns
Température de fonctionnement et de stockage Tstg, TJ -55 à 150 °C

Caractéristiques thermiques
 
Paramètre Symbole Valeur Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction RθJC 0.26 °C/W
Résistance thermique, ambient4) RθJA 62 °C/W

Caractéristiques électriques à TJ=25°C sauf indication contraire
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Tension de claquage de la source de vidange BVDSS 600   V VGS=0 V, ID=1 MA
Tension seuil de grille VGS(TH) 3.0  4.5 V VDS=VGS, ID=2 MA,

Source de vidange
résistance à l'état on

RDS(ON)
 0.028 0.030
Ω
VGS=10 V, ID=40 A
 0.058  VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Courant de fuite de la source de grille
IGS
  100
N/a
VGS = 30 V.
  -100 VGS=-30 V.
Courant de fuite de la source de vidange IDS   10 ΜA VDS=600 V, VGS=0 V.
Résistance de la grille RG  2.1  Ω ƒ=1 MHz, drain ouvert


Caractéristiques dynamiques
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Capacité d'entrée CISS  9343  PF
VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz
Capacité de sortie COSS  708  PF
Capacité de transfert inverse FCR  15  PF
Capacité de sortie effective, liée à l'énergie Co(er)  345  PF
VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacité de sortie effective, liée au temps Co(tr)  1913  PF
Délai d'activation td(on)  52.1  ns
VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A.
Temps de montée tr  105.2  ns
Délai de mise hors tension td(désactivé)  125.7  ns
Temps de chute par  4.1  ns

Caractéristiques de charge de grille
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Charge totale de grille QG  177.9  NF

VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A.
Charge de la source d'entrée QGS  37.4  NF
Grille de charge de vidange QGD  78.4  NF
Tension de plateau de grille Plateau Vplateau  6.2  V

Caractéristiques de la diode corps
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Tension avant de diode VSD   1.4 V EST = 80 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse trr  186.6  ns
EST=40 A,
Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée Qrr  1.6  ΜC
Courant de récupération inverse de crête Irrm  15.4  A

Remarque
  1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
  2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
  3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
  4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, TJ de départ=25 °C.

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