Complaint
| Le paramètre | Valeur | Unité |
| VDS, min @ Tj(max) | 700 | V |
| ID, pulse | 36 | Un |
| RDS(ON), max @ VGS=10V | 340 | MΩ |
| Qg | 9.6 | NC |
| Nom du produit | Paquet | Le marquage |
| L'OSS65R340DF | D252 | L'OSS65R340D |
| Le paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension de source de vidange | VDS | 650 | V |
| Gate-source de tension | VGS | ±30 | V |
| Courant de vidange en continu1), TC=25 °C | ID | 12 | Un |
| Courant de vidange en continu1), TC=100 °C | 7.6 | ||
| Vidanger le courant pulsé2), TC=25 °C | ID, pulse | 36 | Un |
| Diode de l'avant de courant continu1), TC=25 °C | Est | 12 | Un |
| Courant pulsé de diode2), TC=25 °C | N'EST, de pouls | 36 | Un |
| La dissipation de puissance3), TC=25 °C | PD | 83 | W |
| L'énergie pulsée unique avalanche5) | La fonction EAS | 200 | MJ |
| Le MOSFET de robustesse dv/dt, VDS=0…480 V | Dv/dt | 50 | V/ns |
| Diode de marche arrière dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | Dv/dt | 15 | V/ns |
| Fonctionnement et la température de stockage | Tstg, TJ | -55 à 150 | °C |
| Le paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
| Résistance thermique, boîtier de jonction | RθJC | 1.5 | °C/W |
| Résistance thermique, jonction ambiant4) | RθJA | 62 | °C/W |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
Tension de rupture de source de vidange | BVDSS | 650 | V | VGS=0 V, ID=250 μA | ||
| 700 | VGS=0 V, ID=250 μA, Tj=150 °C | |||||
| Tension de seuil de porte | VGS(th) | 2.9 | 3.9 | V | VDS=VGS, ID=250 μA | |
Drain-source sur- résistance de l'état | RDS(ON) | 0.30 | 0.34 | Ω | VGS=10 V, ID=6 A | |
| 0.73 | VGS=10 V, ID=6 A, Tj=150 °C | |||||
| Porte-source courant de fuite | IGSS | 100 | NA | VGS=30 V | ||
| -100 | VGS=-30 V | |||||
| Source de courant de fuite de vidange | Les IDS | 1 | Μa | VDS=650 V, VGS=0 V |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
| Capacité d'entrée | Ciss | 443.5 | PF | VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz | ||
| Capacité de sortie | Coss | 59.6 | PF | |||
| Transfert inverse de la capacité | Sir | 1.7 | PF | |||
| Temps de retard de mise sous tension | Td(le) | 22.4 | Ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG = 2 Ω, ID=6 A | ||
| Le temps de montée | Tr | 17,5 | Ns | |||
| Désactiver le temps de retard | Td(arrêt) | 40,3 | Ns | |||
| Temps de chute | Tf | 7.2 | Ns |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
| Total des frais de porte | Qg | 9.6 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A | ||
| Porte-charge source | Qgs | 2.2 | NC | |||
| Gate-frais de vidange | Qgd | 4.5 | NC | |||
| Plateau de la porte de la tension | Vplateau | 6.5 | V |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
| Diode de la tension de marche avant | VSD | 1.3 | V | Est de=12 A, VGS=0 V | ||
| Le temps de récupération de marche arrière | Les DRT | 236,5 | Ns | VR = 400 V, est de=6 A, Di/dt = 100 A/μs | ||
| Frais de récupération de marche arrière | Qrr | 2.2 | ΜC | |||
| Pic de courant de récupération de marche arrière | Irrm | 19.1 | Un |
