Complaint
Les diodes Schottky sont des dispositifs semi-conducteurs métalliques en métaux précieux (or, argent, aluminium, platine, etc.) A comme anode et semi-conducteur de type N B comme cathode. La barrière formée sur la surface de contact des deux possède des caractéristiques de rectification. Comme il y a un grand nombre d'électrons dans les semi-conducteurs de type N et qu'il n'y a qu'une très petite quantité d'électrons libres dans les métaux nobles, les électrons se diffusent de la concentration élevée de B à la concentration basse de A. évidemment, il n'y a pas de trous dans le métal A, Et il n'y a pas de mouvement de diffusion des trous de A à B. comme les électrons continuent à se diffuser de B à A, la concentration d'électrons sur la surface de B diminue progressivement, et la neutralité électrique de la surface est détruite, de sorte qu'une barrière potentielle se forme, Et la direction du champ électrique est B→A. Mais sous l'action de ce champ électrique, les électrons dans A produisent également un mouvement dérivant de A→B, affaiblissant ainsi le champ électrique formé par le mouvement de diffusion. Lorsqu'une région de charge spatiale d' une certaine largeur est établie, le déplacement dérivant des électrons causé par le champ électrique et le mouvement de diffusion des électrons causé par différentes concentrations atteignent un équilibre relatif, formant une barrière Schottky.
La structure interne d'un redresseur Schottky typique est basée sur un semi-conducteur de type N, et une couche N-épitaxiale avec de l'arsenic comme dopant est formée sur celui-ci. L'anode utilise des matériaux tels que le molybdène ou l'aluminium pour créer une couche de protection. Utilisez du dioxyde de silicium (SiO2) pour éliminer le champ électrique dans la zone de bordure et améliorer la tension de tenue du tube. Le substrat de type N présente une faible résistance à l'état et sa concentration de dopage est supérieure de 100 % à celle de la couche H. Une couche de cathode N+ est formée sous le substrat et sa fonction est de réduire la résistance de contact de la cathode. En ajustant les paramètres structurels, une barrière Schottky se forme entre le substrat de type N et le métal de l'anode, comme illustré dans la figure. Lorsqu'une polarisation directe est appliquée aux deux extrémités de la barrière Schottky (le métal de l'anode est connecté au pôle positif de l'alimentation, Et le substrat de type N est connecté au pôle négatif de l'alimentation), la couche de barrière Schottky devient plus étroite et sa résistance interne devient plus petite ; Au contraire, si, lorsque le biais inverse est appliqué aux deux extrémités de la barrière Schottky, la couche de barrière Schottky devient plus large et sa résistance interne devient plus grande.
En résumé, le principe de structure du redresseur Schottky est très différent du redresseur de jonction PN. Le redresseur de jonction PN est généralement appelé redresseur de jonction, et le redresseur à demi-conducteur métallique est appelé redresseur Schottky. . La diode de redressement Schottky (SBD) est une diode de redressement avec la caractéristique Schottky « jonction de semi-conducteur métallique ». Sa tension de démarrage en marche avant est basse. Outre le tungstène, la couche métallique peut également être constituée d'or, de molybdène, de nickel, de titane et d'autres matériaux. Il est largement utilisé pour sa vitesse de commutation rapide, son courant rectifié important, sa chute de tension et sa faible consommation d'énergie, et il est particulièrement adapté aux circuits de redresseur haute fréquence et aux circuits de redresseur de courant de grande taille.
Schéma 1.broches :
Valeurs nominales maximales :
3.caractéristiques thermiques :
4.caractéristiques électriques :
Diode Schottky la diode Schottky, également appelée diode barrière Schottky (abrégée SBD), est un dispositif semi-conducteur à faible consommation et ultra-grande vitesse. La caractéristique la plus notable est que le temps de récupération inverse est extrêmement court (peut être aussi petit que quelques nanosecondes), et la chute de tension directe est seulement d'environ 0,4 V. Il est principalement utilisé comme diodes de redressement haute fréquence, basse tension, courant élevé, diodes de roue libre, diodes de protection, et également utile comme diodes de redressement et diodes de détection de petits signaux dans les circuits tels que les communications par micro-ondes. Il est plus courant dans les alimentations de communication, les inverseurs, etc. UNE application typique est dans le circuit de commutation d'un transistor bipolaire BJT. En connectant une diode Shockley au BJT pour la pince, le transistor est en fait proche de l'état d'arrêt lorsque le transistor est activé, augmentant ainsi la vitesse de commutation du transistor. Cette méthode est une technique utilisée dans les circuits internes TTL des circuits intégrés numériques typiques tels que 74LS, 74ALS et 74AS. La caractéristique la plus importante des diodes Schottky est que la chute de tension directe VF est relativement petite. Dans le cas du même courant, sa chute de tension directe est beaucoup plus faible. En outre, son temps de récupération est court. Il présente également quelques défauts : la tension de tenue est relativement faible et le courant de fuite est légèrement plus élevé. Il doit être entièrement pris en compte lors de la sélection.
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