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B5116ECMDXGJD-U DRAM Chip DDR3L SDRAM 8 Gbit 512M x 16 1,35 V. Ci FBGA 96 broches
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B5116ECMDXGJD-U DRAM Chip DDR3L SDRAM 8 Gbit 512M x 16 1,35 V. Ci FBGA 96 broches

Min.Order: 1 000
Product origin: Shenzhen, Guangdong, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ 1600-20000 $US

Description

Description

B5116ECMDXGJD-U  :  8 G bits DDR3L SDRAM 512 M mots x 16 bits) 96-ball FBGA

MFR. N° de pièce : B5116ECMDXGJD-U.

MFR. : KINGSTON

Fiche technique :  (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État RoHS :  

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN
 

 
Description Valeur
 
Largeur du bus d'adresse 16 bits
 
Largeur du bus de données 16 bits
 
Densité 8 Gbit
 
Fréquence d'horloge maximale 933 MHz
 
Courant de fonctionnement maximal 125 mA
 
Temps d'accès aléatoire maximal 20 ns
 
Nombre de banques 8
 
Nombre de bits par mot 16 bits
 
Nombre de lignes d'E/S. 16 bits
 
Tension d'alimentation de fonctionnement 2.6, 4.8 V.
 
Température de fonctionnement -40 à 85 °C.
 
Organisation 512M x 16
 
Nombre de broches 96
 
Dimensions du produit 9 x 13.5 x 0.85 mm
 
Niveau de dépistage Industriel
 
Package fournisseur FBGA
 
Type SDRAM DDR3L
 

B5116ECMDXGJD

8 Go 96 billes FBGA DDR3/3 L.

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
9x13,5x1.2 512 Mo x 16 1866 Mbit/s. 1.35V1 0 °C ~ +95 °C.
 


Caractéristiques techniques
• densité: Embouts de 8G
• Organisation 64Mmots x 16bits x 8banques
• Pack FBGA 96 billes sans plomb (conforme RoHS) et sans halogène
• alimentation : VDD 1,35 V (Typ), VDDQ = 1,283 V à 1,45 V rétrocompatible pour VDD, VDDQ = 1,5 V 0,075 V.
• débit de données 1866 Mbit/s / 1600 Mbit/s (max.)
• 2Ko taille de la page adresse de la ligne : A0 à A15 adresse de la colonne : A0 à A9
• huit banques internes pour l'exploitation simultanée
• longueurs de rupture (BL) : 8 et 4 avec rupture de boucle (BC)
• Type de salve (BT) : séquentiel (8, 4 avec BC) Interleave (8, 4 avec BC)
• latence programmable /cas (lecture) (CL)
• latence d'écriture programmable/cas (CWL)
• précharge : option de précharge automatique pour chaque accès en rafale
• résistance du conducteur : RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• actualisation : actualisation automatique, auto-actualisation


Fonctionnalités
• Architecture à double débit de données : deux transferts de données par cycle d'horloge
• le transfert de données à grande vitesse est réalisé par le 8 bits préchargement de l'architecture pipeline
• stroboscope de données différentielles bidirectionnel (DQS et /DQS) est transmis/reçu avec des données pour la capture de données au récepteur
• DQS est aligné sur les bords des données pour les lectures; centré sur les données pour les écritures
• entrées d'horloge différentielles (CK et /CK)
• DLL aligne les transitions DQ et DQS avec les transitions CK
• commandes entrées sur chaque bord positif de la CK; données et masque de données référencés sur les deux bords de la DQS
• masque de données (DM) pour les données d'écriture
• Posté /cas par latence additive programmable pour une meilleure commande et l'efficacité du bus de données
• terminaison on-Die (ODT) pour une meilleure qualité de signal ODT synchrone ODT dynamique ODT asynchrone
• Registre polyvalent (MPR) pour la lecture de la configuration prédéfinie
• étalonnage ZQ pour l'entraînement DQ et l'ODT
• Auto-actualisation automatique (ASR)
• /BROCHE DE RÉINITIALISATION pour la séquence de mise sous tension et la fonction de réinitialisation
• gamme SRT : normale/étendue
• contrôle de l'impédance du pilote de sortie programmable




 

Références et spécifications standard

D1216ECMDXGJD

2 Go 96 billes FBGA DDR3/3L

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x13,5x1.2 128Mx16 1866 Mbit/s. 1,35 V. 0 °C ~ +95 °C.

D2568ECMDPGJD

2 Go 78 billes FBGA DDR3/3L

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x10,6x1.2 256 Mx8 1866 Mbit/s. 1,35 V. 0 °C ~ +95 °C.

D2516ECMDXGJD

4 Go 96 billes FBGA DDR3/3 L.

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x13,5x1.2 256 Mx16 1866 Mbit/s. 1.35V1 0 °C ~ +95 °C.

D5128ECMDPGJD

4 Go 78 billes FBGA DDR3/3 L.

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x10,6x1.2 512 Mx8 1866 Mbit/s. 1.35V1 0 °C ~ +95 °C.

D2516ECMDXGME

4 Go 96 billes FBGA DDR3/3 L.

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x13,5x1.2 256 Mx16 2133 Mbit/s. 1.35V1 0 °C ~ +95 °C.

B5116ECMDXGJD

8 Go 96 billes FBGA DDR3/3 L.

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
9x13,5x1.2 512 Mo x 16 1866 Mbit/s. 1.35V1 0 °C ~ +95 °C.

D1216ECMDXGJDI

2 Go 96 billes FBGA DDR3/3 L I-Temp

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x13,5x1.2 128Mx16 1866 Mbit/s. 1,35 V. -40°C ~ +95°C

D2568ECMDPGJDI

2 Go 78 billes FBGA DDR3/3 L I-Temp

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x10,6x1.2 256 Mx8 1866 Mbit/s. 1,35 V. -40°C ~ +95°C

D2516ECMDXGJDI

4 Go 96 billes FBGA DDR3/3 L I-Temp

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x13,5x1.2 256 Mx16 1866 Mbit/s. 1.35V1 -40°C ~ +95°C

D5128ECMDPGJDI

4 Go 78 billes FBGA DDR3/3 L I-Temp

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x10,6x1.2 512 Mx8 1866 Mbit/s. 1.35V1 -40°C ~ +95°C

D2516ECMDXGMEI

4 Go 96 billes FBGA DDR3/3 L I-Temp

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x13,5x1.2 256 Mx16 2133 Mbit/s. 1.35V1 -40°C ~ +95°C

B5116ECMDXGJDI

8 Go 96 billes FBGA DDR3/3 L I-Temp

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
9x13,5x1.2 512 Mo x 16 1866 Mbit/s. 1.35V1 -40°C ~ +95°C

D5116AN9CXGRK

8 Go 96 billes FBGA DDR4 C-Temp

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x13x1.2 512 Mo x 16 2666 Mbit/s. 1,2V 0 °C ~ +95 °C.

D5116AN9CXGXN

8 Go 96 billes FBGA DDR4 C-Temp

Package Configuration Vitesse Mbit/s. VDD, VDDQ Température de fonctionnement
7,5x13,5x1.2 512 Mo x 16 3200 Mbit/s. 1,2V 0 °C ~ +95 °C.









 
 

















 

Pourquoi nous choisir

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