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| Le paramètre | Valeur | Unité |
| VDS, min @ Tj(max) | 700 | V |
| ID, pulse | 240 | Un |
| RDS(ON), max @ VGS=10V | 38 | MΩ |
| Qg | 175 | NC |
| Nom du produit | Paquet | Le marquage |
| OSG65R038HZF | D247 | OSG65R038Hz |
| Le paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension de source de vidange | VDS | 650 | V |
| Gate-source de tension | VGS | ±30 | V |
| Courant de vidange en continu1), TC=25 °C | ID | 80 | Un |
| Courant de vidange en continu1), TC=100 °C | 50 | ||
| Vidanger le courant pulsé2), TC=25 °C | ID, pulse | 240 | Un |
| Diode de l'avant de courant continu1), TC=25 °C | Est | 80 | Un |
| Courant pulsé de diode2), TC=25 °C | N'EST, de pouls | 240 | Un |
| La dissipation de puissance3) ,TC=25 °C | PD | 500 | W |
| L'énergie pulsée unique avalanche5) | La fonction EAS | 2900 | MJ |
| Le MOSFET de robustesse dv/dt, VDS=0…480 V | Dv/dt | 100 | V/ns |
| Diode de marche arrière dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | Dv/dt | 50 | V/ns |
| Fonctionnement et la température de stockage | Tstg, TJ | -55 à 150 | °C |
| Le paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
| Résistance thermique, boîtier de jonction | RθJC | 0.25 | °C/W |
| Résistance thermique, jonction ambiant4) | RθJA | 62 | °C/W |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
Tension de rupture de source de vidange | BVDSS | 650 | V | VGS=0 V, ID=2 mA | ||
| 700 | 770 | VGS=0 V, ID=2 mA, Tj=150 °C | ||||
| Seuil de porte La tension | VGS(th) | 3.0 | 4.5 | V | VDS=VGS, ID=2 mA | |
Source de vidange Résistance à l'état | RDS(ON) | 0,032 | 0,038 | Ω | VGS=10 V, ID=40 A | |
| 0,083 | VGS=10 V, ID=40 A, Tj=150 °C | |||||
| Porte-source courant de fuite | IGSS | 100 | NA | VGS=30 V | ||
| -100 | VGS=-30 V | |||||
| Source de courant de fuite de vidange | Les IDS | 10 | Μa | VDS=650 V, VGS=0 V | ||
| Résistance de la porte | RG | 2.1 | Ω | Ƒ=1 MHz, drain ouvert |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
| Capacité d'entrée | Ciss | 9276 | PF | VGS=0 V, VDS=50 V, Ƒ=100 kHz | ||
| Capacité de sortie | Coss | 486 | PF | |||
| Transfert inverse de la capacité | Sir | 12.8 | PF | |||
| Capacité de sortie efficace, l'énergie liées | Co(er) | 278 | PF | VGS=0 V, VDS=0 V-400 V | ||
| Capacité de sortie efficace, l'heure liées | Co(tr) | 1477 | PF | |||
| Temps de retard de mise sous tension | Td(le) | 55,9 | Ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG = 2 Ω, ID=40 A | ||
| Le temps de montée | Tr | 121,2 | Ns | |||
| Désactiver le temps de retard | Td(arrêt) | 114.2 | Ns | |||
| Temps de chute | Tf | 8.75 | Ns |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
| Total des frais de porte | Qg | 175,0 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A | ||
| Porte-charge source | Qgs | 40.1 | NC | |||
| Gate-frais de vidange | Qgd | 76.1 | NC | |||
| Plateau de la porte de la tension | Vplateau | 6.4 | V |
| Le paramètre | Symbole | Min. | Typ. | Max. | Unité | Condition de test |
| Diode de la tension de marche avant | VSD | 1.3 | V | Est de=80 A, VGS=0 V | ||
| Le temps de récupération de marche arrière | Les DRT | 180 | Ns | Est de=30 A, Di/dt = 100 A/μs | ||
| Frais de récupération de marche arrière | Qrr | 1.5 | UC | |||
| Pic de courant de récupération de marche arrière | Irrm | 15.2 | Un |
