Complaint
| Paramètre | Valeur | Unité |
| VDS, min à TJ(max) | 700 | V |
| ID, impulsion | 36 | A |
| RDS(ON), MAX. À VGS=10 V. | 340 | MΩ |
| QG | 9.6 | NF |
| Nom du produit | Package | Marquage |
| OSS65R340DF | TO252 | OSS65R340D |
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension de la source de vidange | VDS | 650 | V |
| Tension de la source de grille | VGS | ±30 | V |
| Courant de drain continué1), TC=25 °C. | ID | 12 | A |
| Courant de drain continué1), TC=100 °C. | 7.6 | ||
| Courant de drain pulsé 2), TC=25 °C. | ID, impulsion | 36 | A |
| Diode continue en forward current1), TC=25 °C. | EST | 12 | A |
| Diode pulse2), TC=25 °C. | EST, impulsion | 36 | A |
| Puissance dissipe3), TC=25 °C. | PD | 83 | W |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique5) | EAS | 200 | MJ |
| MOSFET dv/dt robustesse, VDS=0…480 V. | dv/dt | 50 | V/ns |
| Diode inverse dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 15 | V/ns |
| Température de fonctionnement et de stockage | Tstg, TJ | -55 à 150 | °C |
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
| Résistance thermique, boîtier de jonction | RθJC | 1.5 | °C/W |
| Résistance thermique, ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
| Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
Tension de claquage de la source de vidange | BVDSS | 650 | V | VGS=0 V, ID=250 ΜA | ||
| 700 | VGS=0 V, ID=250 μA, TJ=150 °C. | |||||
| Tension seuil de grille | VGS(TH) | 2.9 | 3.9 | V | VDS=VGS, ID=250 ΜA | |
Résistance à l'état on de la source de vidange | RDS(ON) | 0.30 | 0.34 | Ω | VGS=10 V, ID=6 A | |
| 0.73 | VGS=10 V, ID=6 A, TJ=150 °C. | |||||
| Courant de fuite de la source de grille | IGS | 100 | N/a | VGS = 30 V. | ||
| -100 | VGS=-30 V. | |||||
| Courant de fuite de la source de vidange | IDS | 1 | ΜA | VDS=650 V, VGS=0 V. |
| Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
| Capacité d'entrée | CISS | 443.5 | PF | VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz | ||
| Capacité de sortie | COSS | 59.6 | PF | |||
| Capacité de transfert inverse | FCR | 1.7 | PF | |||
| Délai d'activation | td(on) | 22.4 | ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 A. | ||
| Temps de montée | tr | 17.5 | ns | |||
| Délai de mise hors tension | td(désactivé) | 40.3 | ns | |||
| Temps de chute | par | 7.2 | ns |
| Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
| Charge totale de grille | QG | 9.6 | NF | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A. | ||
| Charge de la source d'entrée | QGS | 2.2 | NF | |||
| Grille de charge de vidange | QGD | 4.5 | NF | |||
| Tension de plateau de grille | Plateau Vplateau | 6.5 | V |
| Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
| Tension avant de diode | VSD | 1.3 | V | EST = 12 A, VGS = 0 V. | ||
| Temps de récupération inverse | trr | 236.5 | ns | VR=400 V, IS=6 A, Di/dt = 100 A/μs | ||
| Charge de récupération inversée | Qrr | 2.2 | ΜC | |||
| Courant de récupération inverse de crête | Irrm | 19.1 | A |
