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Système laser à diode (755 nm + 808 nm + 1064 nm)
Il est réalisé à l'aide de la technologie laser à diode standard or et à triple longueur d'onde améliorée (755nm+808nm+1064nm), avec une énergie pénétrant profondément dans le derme avec une puissance moyenne élevée et un taux de répétition rapide de 10 impulsions par seconde pour chauffer l'arbre et le follicule pileux, plutôt que de détruire l'organisation de l'oxygène autour du follicule pileux.
En attendant, la technologie de refroidissement de surface de contact appliquée sur la pointe à double refroidissement Sapphire peut éliminer l'effet thermique attribué à l'énergie optique, améliorant ainsi considérablement les performances de traitement et la sécurité.
| Technologie | Diode laser (755nm + 808nm + 1064nm) + IPL ou S-H-R + laser picoseconde |
| Puissance | Diode laser : 2500W; IPL:1400W; Picoseconde laser : 1000W |
| Longueur d'onde | Diode laser (755 nm + 808 nm + 1064 nm) ; IPL : 480 nm/530 nm/640 nm Laser picoseconde : 1064nm/532nm/1320nm |
| Densité d'énergie laser de diode | 1-100J/cm2 |
| Énergie IPL | 1-50J/cm2 |
| Énergie de l'impulsion laser picoseconde | ≥ 2000 mj |
| Fréquence | 1-10Hz |
| Filtres IPL | 480 nm/530 nm/640 nm |
| Taille du point | Diode laser : 13 mm*16 mm ; IPL : 15*50 mm |
| Diamètre du point | Laser picoseconde : 1-10mm |
| Barres laser | 10 barres ( Etats-Unis cohérent ) |
| Largeur d'impulsion du laser picoseconde | <10 ns |
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