Fornecedor de bolachas de GaAs de alta qualidade

Min.Order: 10
Product origin: Jiaozuo, Henan, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ 1 ~ 10

Description

Fornecedor de bolachas de GaAs de alta qualidade

O que podemos fornecer:

GaAs wafers:Lingotes de monocristal:2-6 pol.
OrientaçãO:  (100)(111)
Tipo:Ntipo silíCio impurificado dopé, P, Zn, Si undoped dopadas


descriçãO do Produto

1.EspecificaçãO detalhada:

O parâMetro Os valores reais / garantida UOM
MéTodo de crescimento:VGF  
Tipo de conduta:S-I-N  
Dopant:Undoped  
DiâMetro:50,7±0,1 Mm
OrientaçãO:(100)±0,50  
Da localizaçãO/comprimento:EJ  [ 0-1-1]±0.50/16±1  
Se o local/comprimento:EJ [ 0-1 1 ]±0.50/7±1  
Resistividade superficial:Min:1,0 E8 Max:2.2 E8 Ω·Cm
Mobilidade:Min:4500 Max:5482 Cm2/v.S
Dfe:Min:700 Max:800 / Cm2
Espessura:350±20 ΜM
Arredondamento:0.25 O mmR
MarcaçãO a laser:N/A  
TTV/TIR:Max:10 ΜM
Arco:Max:10 ΜM
Warp:Max:10 ΜM
  Contagem Partical:<50/wafer(para>0.3Um partíCulas)  
 Acabamento de superfíCie- frente:Polidos    
Acabamento da superfíCie -volta:Gravado  
Epi-Ready:

Sim

 
 
O parâMetro Os valores reais / garantida UOM
MéTodo de crescimento:VGF  
Tipo de conduta:S-I-N  
Dopant:Undoped  
DiâMetro:76,2±0,2 Mm
OrientaçãO:(100) 00±0,50  
Da localizaçãO/comprimento:EJ  [ 0-1-1]±0.50/22±2  
Se o local/comprimento:EJ [ 0-1 1 ]±0.50/11±2  
Resistividade superficial:Min:1E8 Max:1.03E8 Ω·Cm
Mobilidade:Min:5613 Max:6000 Cm2/v.S
Dfe:Min:700 Max:800 Max:
Espessura:625±20 ΜM
Arredondamento:0,375 O mmR
MarcaçãO a laser:N/A  
TTV:N/A ΜM
 Acabamento de superfíCie- frente:Polidos    
Acabamento da superfíCie -volta:Gravado  
Epi-Ready:

Sim


 
 
O parâMetro Os valores reais / garantida UOM
MéTodo de crescimento:VGF  
Tipo de conduta:S-I-N  
Dopant:Undoped  
DiâMetro:100,0±0,2 Mm
OrientaçãO:(100)±0,30  
Da localizaçãO/comprimento:EJ  [ 0-1-1]±0.50/32.5±1  
Se o local/comprimento:EJ [ 0-1 1 ]±0.50/18±1  
Resistividade superficial:Min:1,5 E8 Max:2,0 E8 Ω·Cm
Mobilidade:Min:4832 Max:4979 Cm2/v.S
Dfe:Min:600 Max:700 / Cm2
Espessura:625±25 ΜM
Arredondamento:0,375 O mmR
TTV/TIR:Max:3 ΜM
Arco:Max:4 ΜM
Warp:Max:5 ΜM
  Contagem Partical:<100/wafer(para>0.3Um partíCulas)  
 Acabamento de superfíCie- frente:Polidos    
Acabamento da superfíCie -volta:Polidos  
Epi-Ready:

Sim

 
 
O parâMetro Requisitos do cliente Os valores reais / garantida UOM
MéTodo de crescimento:VGF VGF  
Tipo de conduta:S-C-P S-C-P  
Dopant:GaAs-Zn GaAs-Zn  
DiâMetro:50,8±0,4 50,8±0,4 Mm
OrientaçãO:(100)±0,50 (100)±0,50  
Da localizaçãO/comprimento:EJ  [ 0-1-1]±0.50/16±1 EJ  [ 0-1-1]±0.50/16±1  
Se o local/comprimento:EJ [ 0-1 1 ]±0.50/7±1 EJ [ 0-1 1 ]±0.50/7±1  
Lingotes CC:Min:1 E19 Max:5 E19 Min:1.4 E19 Max:1,9 E19 /Cm3
Resistividade superficial:Min:N/A Max:N/A Min:N/A Max:N/A Ω·Cm
Mobilidade:Min:N/A Max:N/A Min:N/A Max:N/A Cm2/v.S
Dfe:Max:5000 Min:600 Max:700 / Cm2
Espessura:350±25 350±25 ΜM
 Acabamento de superfíCie- frente:Polidos   Polidos    
Acabamento da superfíCie -volta:Gravado Gravado  
Epi-Ready:

Sim

Sim

 

Fotos do produto:
 







Perguntas mais frequentes sobre:

P:Qual éO caminho de navegaçãO e o custo?

A:(1) aceitamos a DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS...

  (2) Se vocêTiver seu próPrio express conta, éGrande.Se nãO,poderíAmos ajudar vocêNavio-los. 

 Q:Como pagar?

Um:T/T, Paypal, etc

P:Qual éA sua quantidade míNima?

A:  (1) Para o inventáRio, a quantidade míNima éDe 5 pcs.

  (2) Para produtos personalizados, a quantidade míNima éDe 10 pcs-25PCS.

P:Qual éO tempo de entrega?

A:  (1) Para os produtos padrãO

         Para o inventáRio:A entrega éDe 5 Dias úTeis apóS o fim.

         Para produtos personalizados:A entrega é2 Ou 3 Semanas depois que vocêColoque o fim.

    (2) Para os produtos de forma especial, a entrega é4 Ou 6 Workweeks depois que vocêColoque o fim.

P:VocêTem produtos padrãO?

R:Os nossos produtos em estoque.

Q:Posso Personalizar os produtos com base em minha necessidade?

R:Sim, nóS podemos personalizar o material, especificaçõEs e revestimento óPtico para seus componentes óPticos baseados em suas necessidades.
 

 

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