Complaint
Descrição geral
Gsg90R1K2xF use GreenMOSTM avançada tecnologia para oferecer baixo RDS(ligado), porta de baixa carga, a comutação rápida e excelentes características de avalanches. Este equipamento é adequado para o Active Power Factor Correction e modo de comutação de alimentação de aplicativos.
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nome do produto | Package | Marcação |
| Gsg65R038HZF | A247 | Gsg65R038HZ |
| O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
| Drene a tensão da fonte | O VDS | 650 | V |
| Porta a tensão da fonte | VGS | ±30 | V |
| Drenagem contínua actuais1), Tc=25 °C | ID | 80 | Um |
| Drenagem contínua actuais1), TC=100 °C | 50 | ||
| Impulso de corrente de dreno2), Tc=25 °C | ID, pulso | 240 | Um |
| Diodo contínua corrente de avanço1), Tc=25 °C | É | 80 | Um |
| O diodo corrente pulsada2), Tc=25 °C | É, pulso | 240 | Um |
| Dissipação de energia3) ,Tc=25 °C | PD | 500 | W |
| Pulsada única energia avalanche5) | O EAS | 2900 | MJ |
| Dv MOSFET/dt robustez, VDS=0…480 V | Dv/dt | 100 | V/ns |
| Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID | Dv/dt | 50 | V/ns |
| Funcionamento e temperatura de armazenamento | Tstg, TJ | -55 a 150 | °C |
| O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
| Resistência térmica, de junção caso | RθJC | 0.25 | °C/W |
| Resistência térmica, cruzamento-ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
| O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Drene a fonte de tensão de descarga | BVDSS | 650 | V | VGS = 0 V, ID=2 mA | ||
| 700 | 770 | VGS = 0 V, ID=2 mA, tj = 150 °C | ||||
| O limiar da porta A tensão | VGS (TH) | 3.0 | 4.5 | V | O VDS=VGS, ID=2 mA | |
Drene-fonte No estado de resistência | RDS(ligado) | 0,032 | 0,038 | Ω | VGS=10 V, ID=40 | |
| 0,083 | VGS=10 V, ID=40 A, tj = 150 °C | |||||
| Gate fonte de corrente de fuga | IGSS | 100 | América do Norte | VGS=30 V | ||
| -100 | VGS = -30 V | |||||
| Drene a fonte de corrente de fuga | IDSS | 10 | ΜA | O VDS=650 V, VGS = 0 V | ||
| Resistência do Bico Valvulado | RG | 2.1 | Ω | Ƒ = 1 MHz, abra o dreno |
| O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
| Capacitância de Entrada | Os Ciss | 9276 | PF | VGS = 0 V, VDS = 50 V, Ƒ=100 kHz | ||
| A capacitância de saída | Coss | 486 | PF | |||
| Inverta a capacitância de transferência | Sir | 12.8 | PF | |||
| Saída efectiva capacitância energia relacionada | Co(ER) | 278 | PF | VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V | ||
| Saída efectiva capacitância hora relativas | Co (tr) | 1477 | PF | |||
| Ligar o tempo de atraso | Td(a) | 55,9 | Ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 | ||
| Tempo de elevação | Tr | 121,2 | Ns | |||
| Ligar e desligar o tempo de atraso | Td(Desligado) | 114,2 | Ns | |||
| Tempo de queda | Tf | 8.75 | Ns |
| O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
| Total de carga da porta | Qg | 175.0 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 | ||
| Porta de carga da fonte | O programa QGS | 40.1 | NC | |||
| Porta de carga de drenagem | Qgd | 76,1 | NC | |||
| Gate tensão do Plateau | Vplateau | 6.4 | V |
| O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
| Díodo de tensão de avanço | VSD | 1.3 | V | É=80 A, VGS = 0 V | ||
| Inverta o tempo de recuperação | Trr | 180 | Ns | É=30 A, Di/dt = 100 A/μs | ||
| Inverta a carga de recuperação | Qrr | 1.5 | A COMUNICAÇÃO UNIFICADA | |||
| Inversão do Pico de corrente de recuperação | Irrm | 15.2 | Um |
