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Custo da Telecom Power RoHS 1/3 do Nitride de gálio (GaN) Dispositivo em operações de alta frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f
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Min.Order: 660
Product origin: Shanghai, China
Infringement complaint: complaintComplaint
US$ 0.2

Description
 
Descrição Geral
O MOSFET de alta tensão GreenMOS utiliza a tecnologia de equilíbrio de carga para alcançar uma excelente resistência baixa e carga de porta mais baixa. Foi concebido para minimizar a perda de condução, proporcionar um desempenho de comutação superior e uma robusta capacidade de avalanche.
A série SuperSi da GreenMOS baseia-se no design de dispositivo exclusivo da Oriental Semiconductor para obter características de comutação extremamente rápidas. É a substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em operações de alta frequência com melhor robustez e custo. O objectivo é cumprir os padrões de eficiência mais agressivos dos sistemas de alimentação, ao empurrar o desempenho e a densidade de potência para limites extremos.

Comodidades                                                                                                 
  • RDS BAIXO (LIGADO) E FOM
  • Perda de comutação extremamente baixa
  • Excelente estabilidade e uniformidade
  • Fácil de conceber

Aplicações
  • Carregador PD
  • Ecrã grande
  • Energia de telecomunicações
  • Alimentação do servidor


Parâmetros de desempenho chave

 
Parâmetro Valor Unidade
VDS, mín. @ TJ (máx.) 700 V
ID, impulso 36 A
RDS (LIGADO), MÁX. @ VGS: 10 V. 340 MΩ
QG 9.6 NC

Informações de marcação

 
Nome do produto Pacote Marcação
OSS65R340DF TO252 OSS65R340D

 
As classificações máximas absolutas a TJ são de 25 ° C, salvo indicação em contrário
 
Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Drenagem - Tensão de origem VDS 650 V
Porta - tensão de fonte VGS ± 30 V
Corrente de purga continual1), TC 25 ° C
ID 		12
A
Corrente de purga continual1), TC 100 ° C 7.6
Corrente de purga pulsar2), TC 25 ° C ID, impulso 36 A
Corrente contínua de avanço de diodos 1), TC 25 ° C É 12 A
Corrente pulsante de diodos 2), TC 25 ° C É, impulso 36 A
Dissipação de energia3), TC 25 ° C PD 83 W
Energia de avalanche pulsada simples 5) EAS 200 MJ
Robustez MOSFET dv/dt, VDS … 0 480 V dv/dt 50 V/ns
Díodo de marcha-atrás dv/dt, VDS … 0 480 ≤ V, ISD ID dv/dt 15 V/ns
Temperatura de funcionamento e armazenamento Tstg, TJ -55 a 150 ° C

Características térmicas
 
Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Resistência térmica, caixa de junção RθJC 1.5 ° C/W
Resistência térmica, junção-ambient4) RθJA 62 ° C/W

Características eléctricas a 25 ° C, excepto especificação em contrário
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste

Drenagem - Tensão de avaria da fonte
BVDSS 		650   
V 		VGS 250 0 V, ID: ΜA
700   VGS: 0 V, ID: 250 μA, TJ: 150 ° C
Tensão limite da porta VGS (TH) 2.9  3.9 V VDS 250 VGS, ID: ΜA

Resistência de estado ligado da fonte de drenagem
RDS (LIGADO) 		 0.30 0.34
Ω 		VGS: 10 V, ID: 6 A.
 0.73  VGS: 10 V, ID: 6 A, TJ: 150 ° C
Porta - corrente de fuga da fonte
IGSS 		  100
An 		VGS: 30 V
  -100 VGS: -30 V
Corrente de fuga da fonte de drenagem IDSS   1 μA VDS: 650 V, VGS: 0 V

Características dinâmicas
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Capacidade de entrada CISS  443.5  PF
VGS: 0 V, VDS 50 ƒ V, 100 kHz
Capacidade de saída COSS  59.6  PF
Capacidade de transferência inversa CRSs  1.7  PF
Tempo de atraso de activação td (ligado)  22.4  ns
VGS: 10 V, VDS: 400 V, RG Ω 2, ID: 6 A
Tempo de subida tr  17.5  ns
Desligar o tempo de atraso td (desligado)  40.3  ns
Tempo de queda tf  7.2  ns

Características de carga da porta
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Carga total da porta QG  9.6  NC

VGS: 10 V, VDS: 400 V, ID: 6 A
Gate - carregamento da fonte QGS  2.2  NC
Porta - carga de drenagem QGD  4.5  NC
Tensão de plateau da porta Vplatô  6.5  V

Características do díodo da carroçaria
Parâmetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidade Condição de teste
Tensão de avanço do díodo VSD   1.3 V É DE 12 A, VGS: 0 V
Tempo de recuperação inverso trr  236.5  ns
400 V, 6 A,
Di/dt: 100 A/μs
Carga de recuperação inversa QRR  2.2  μC
Corrente de recuperação de pico inverso Irrm  19.1  A

Nota
  1. Corrente contínua calculada com base na temperatura máxima de junção permitida.
  2. Classificação repetitiva; largura de impulso limitada pela temperatura máx. De junção.
  3. O PD baseia-se na temperatura máx. De junção, utilizando a resistência térmica da caixa de junção.
  4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado numa placa de 1 em 2 FR-4 com 2 oz. Cobre, num ambiente de ar imóvel com Ta 25 ° C.
  5. VDD: 100 V, VGS: 10 V, L: 60 MH, arranque TJ: 25 ° C.





 





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