Description
Resistência a alta temperatura NAND - memória flash
LDMF1GA/4GA
O chip é uma memória NAND-Flash de alta temperatura, com leitura e escrita rápidas, alta confiabilidade, excelentes características de desempenho sob temperaturas altas e baixas. Pode funcionar em -45 ºC ~ 175 ºC em ambientes adversos a longo prazo.
Temperatura de funcionamento: - 45ºC ~ 175ºC
A corrente de funcionamento mais elevada: 90 mA
Corrente de espera: < 2 ma
Gama de tensão de funcionamento (VCC): 2.7 V ~ 3.6 V
Nível de entrada elevado (V): 0,8Vcc ~ VCC 0.3
Nível baixo de entrada (V): -0,3 ~ 0,2Vcc
Nível de saída elevado (V): 2.4 ~ VCC
Nível baixo de saída (V): -0,3 ~ 0.4
Tempo de retenção de dados de temperatura elevada: ≥ 500 h.
Vida útil: ≥ 2000 h
Taxa de leitura/escrita: 2.8 ms/leitura de página 2.15ms/escrita de página
Pacote: 16 PIN DIP PB - Pacote gratuito
Descrição do PIN:
PINO | Descrição funcional |
IO0 ~ IO7 | Entrada/saída multiplexada O endereço de transferência de e/S bidirecional, dados e informações de comando. Quando o pino C(-) e(-) está alto, a impedância de e/S é alta. |
CLE | Activar o trinco de comando Quando o CLE é alto, o comando é travado no registo de comando através da porta IO na borda ascendente do sinal. |
ALE | Ativação da trava de endereço Quando ALE é alto, o endereço é travado no registo de endereço através da porta IO na borda ascendente do sinal. |
C (-) E (-) | Ativação do chip Activa ou desactiva o chip. |
R(-) E(-) | Ativação de leitura Controlar a saída de dados em série. Quando o sinal é baixo, os dados são transmitidos para a porta de e/S. Os dados são válidos após o tempo de Trea na borda descendente de R(-)e(-) e o contador de endereços de coluna interna é incrementado automaticamente. |
W (-) E (-) | Gravação ativada Controle a entrada de dados seriais, comando, endereço e dados é travada na borda ascendente W(-) e(-). |
R/B (-) | Saída pronta/ocupada Indica o estado de funcionamento do dispositivo. Quando baixa, indica que a operação de programação, apagamento ou leitura aleatória está em andamento, quando alta, indica que nenhuma operação está concluída. Recomenda-se a ligação de uma resistência de pull-up (4.7K ~ 10K) ao pino. |
VCC | Fonte de alimentação |
VSS | LIG. TERRA |
Ciclo de endereçamento: LDMF1GA: Endereçamento | IO 0 | IO 1 | E/S 2 | IO 3 | IO 4 | IO 5 | IO 6 | IO 7 | |
1º ciclo | CA0 | CA1 | CA2 | CA3 | CA4 | CA5 | CA6 | CA7 | Endereço coluna 1 |
2º ciclo | CA8 | CA9 | CA10 | CA11 | 0 | 0 | 0 | 0 | Endereço da coluna 2 |
3º ciclo | PA0 | PA1 | PA2 | PA3 | PA4 | PA5 | PA6 | BA7 | Endereço linha 1 |
4º ciclo | BA8 | BA9 | BA10 | BA11 | BA12 | BA13 | BA14 | BA15 | Endereço de linha 2 |
5º ciclo | BA16 | BA17 | BA18 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | Endereço de linha 3 |
Notas: 1. O endereço da coluna, pax, endereço da página, Bax, endereço do bloco, endereço da página, endereço do bloco chamado endereço da linha. Endereço de byte da página chamada endereço de coluna
Tamanho da página x8: 8640 bytes (2048 mais de 64 bytes)
Tamanho do bloco: 128 páginas (1024K mais 8K bytes)
Número do bloco: 4096 blocos
LDMF4GA: Endereçamento | IO 0 | IO 1 | E/S 2 | IO 3 | IO 4 | IO 5 | IO 6 | IO 7 | |
1º ciclo | CA0 | CA1 | CA2 | CA3 | CA4 | CA5 | CA6 | CA7 | Endereço coluna 1 |
2º ciclo | CA8 | CA9 | CA10 | CA11 | CA12 | CA13 | 0 | 0 | Endereço da coluna 2 |
3º ciclo | PA0 | PA1 | PA2 | PA3 | PA4 | PA5 | PA6 | BA7 | Endereço linha 1 |
4º ciclo | BA8 | BA9 | BA10 | BA11 | BA12 | BA13 | BA14 | BA15 | Endereço de linha 2 |
5º ciclo | BA16 | BA17 | BA18 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | Endereço de linha 3 |
Notas: 1. O endereço da coluna, pax, endereço da página, Bax, endereço do bloco, endereço da página, endereço do bloco chamado endereço da linha. Endereço de byte da página chamada endereço de coluna
Tamanho da página x8: 8640 bytes (8192 mais de 448 bytes)
Tamanho do bloco: 128 páginas (1024K mais 56K bytes)
Número do bloco: 4096 blocos
Lista de instruções: Função | 1º ciclo | 2º ciclo |
Repor | FFH | - |
Leia | 00h | 30 h |
Programa de páginas | 80 h | 10 horas |
Bloquear apagamento | 60 h. | D0h |
Gerenciamento de bloco inválido Todos os locais do dispositivo são apagados (0xFF), exceto o local do endereço em bloco inválido quando enviado de fábrica. O sinalizador de bloco inválido está localizado no primeiro byte da área sobressalente na última página do bloco. Os dados de bloco inválidos não são 0xFF. O sistema deve estabelecer um gerenciamento de bloco inválido para evitar o uso de bloco inválido. O endereço inicial do primeiro bloco é de 0000h, que é garantido que é válido enviado da fábrica.
A tabela de blocos danificados é criada pelo seguinte fluxograma (abaixo). Passos de funcionamento: 1. Ocorreu um erro na página n do bloco A durante a operação de apagar ou programar. Copie os dados da primeira página para a (n-1) - a página do bloco A para a mesma posição no outro bloco vazio B. Copie os dados do buffer precisam ser salvos na n-a página Posição do bloco B. Adicione o bloco A à tabela Bad block (bloco incorrecto). - Ciclo de trinco de comando
- Sequência do ciclo de trinco do endereço
- Os dados de entrada trancas a sequência de ciclo
- Os trincos dos dados de saída alternam sequence (sequência de
- Instruções do sistema
Operação de leitura: A operação de leitura é implementada escrevendo o comando 00h-30h no registo de comandos. Primeiro, escreva o comando 00h e, em seguida, escreva o endereço com 5 ciclos, por último, escreva o comando 30h. Após a conclusão, o R/B (-) é liberado. O usuário determina a conclusão da transmissão de dados interna detectando o status de R/B (-). Assim que a transmissão estiver concluída, o utilizador pode iniciar O RE, os dados são lidos continuamente.
A sequência de operação de leitura é a seguinte. Operação de inicialização: Antes de programar a operação, o utilizador deve apagar primeiro o bloco. A operação de programação é implementada escrevendo o comando 80h-10h no registo de comandos. Primeiro, escreva o comando 80h e, em seguida, escreva o endereço com 5 ciclos e, em seguida, carregue os dados no registo interno da memória intermédia de dados, por último, escreva 10h após a conclusão do comando para confirmar a escrita. Após a conclusão da programação, o R/B (-) é liberado.
Sequência de operação de programação Operação de eliminação: O comando de operação de apagamento é 60h-D0h . Primeiro, escreva o comando 60h, depois escreva o endereço com 3 ciclos e, em seguida, escreva o comando D0h para confirmar a eliminação. Após a conclusão do apagamento, R/B (-) é liberado.
Apagar sequência de operação
Repor a sequência de operação operacionReinicializar
Nota: Se os dados de gravação na página antes da operação para concluir a entrada do comando de restauração, podem causar corrupção de dados, o dano não é apenas programação de páginas, também pode afetar as páginas adjacentes.
Instruções sequenciais (-45ºC ~ 175ºC): À medida que a temperatura aumenta, a velocidade de resposta do dispositivo após a operação pode diminuir. Sequência de execução do programa do utilizador uma certa quantidade de tolerância, sugere aumentar a estabilidade a alta temperatura.
Lista de parâmetros de temporização ( 25ºC): Símbolo | MÍN | Padrão | MÁX | Unidades | Descrição |
TPROG | | 0.8 | 3 | ms | Tempo do programa da página |
O ERS | | 1.5 | 10 | ms | Bloquear o tempo de apagamento |
TCLS | 15 | | | ns | |
TCLH | 5 | | | ns | |
TCS | 20 | | | ns | |
TCH | 5 | | | ns | |
TWP | 15 | | | ns | |
Tuais | 15 | | | ns | |
TALH | 5 | | | ns | |
TDS | 15 | | | ns | |
TDH | 5 | | | ns | |
TWC | 30 | | | ns | |
TWh | 10 | | | ns | |
TADL | 70 | | | ns | |
TR | | | 60 | μs | |
Alcatrão | 10 | | | ns | |
TCLR | 10 | | | ns | |
TRR | 20 | | | ns | |
TRP | 15 | | | ns | |
TWB | | | 100 | ns | |
TRC | 30 | | | ns | |
Trea | | | 20 | ns | |
TCEA | | | 25 | ns | |
TRHZ | | | 100 | ns | |
TCHZ | | | 30 | ns | |
TCSD | 10 | | | ns | |
TRHOH | 15 | | | ns | |
TRLOH | 5 | | | ns | |
TCOH | 15 | | | ns | |
TREH | 10 | | | ns | |
TIR | 0 | | | ns | |
TRHW | 100 | | | ns | |
TWHR | 60 | | | ns | |
TRST | | | 5/10/500 | μs | Leitura/programação/eliminação |
A ZITN é uma empresa nacional de alta tecnologia, foi criada em 2002 por muitos engenheiros de alta tecnologia que têm uma vasta experiência na indústria microelectrónica. Com 19 anos de desenvolvimento, a ZITN tornou-se líder reconhecido da indústria na China, e temos um total de 175 funcionários, mais de 49% deles são da equipa de I&D. Concebemos, desenvolvemos e fabricamos principalmente inclinómetros de elevada precisão, acelerómetros baseados em quartzo, sistemas de unidades de medição inercial, PRODUTOS DE circuitos IF e memória flash Nand, amplamente utilizada para perfuração aeroespacial, de petróleo e gás, campos de exploração geológica.
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d. Mais de 49% dos funcionários são da equipa de I&D.
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Da produção do circuito servo para assmble os sensores em uma paragem.
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Entrega via Express (DHL, FedEx, TNT, UPS, etc...)
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Posso obter uma amostra para avaliação?
Sim, estamos dispostos a fornecer a amostra para avaliação e guiá-lo para quaisquer questões técnicas em todo o processo.
Quais são as opções de entrega que posso escolher?
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