Description
Medida de origem do gerador de pulsos do sensor do fluxômetro matererials I-V curve charateristics smu pulso de teste
Introdução A origem de pulso da série P da unidade de medição é baseado na medida da fonte digital DC metro, e dispõe de todas as funções do toque de tela,combina os recursos úteis de um multímetro digital (DMM), fonte de alimentação, verdadeira fonte de corrente de carga e gerador de impulsos, todas em um único instrumento sincronizada com firmeza em um fator de forma compacto. Tensão máx. 300V e corrente de pulso máx. 10A. Ele também suporta quatro quadrante de trabalhar.Portanto, é amplamente utilizado em ensaios de características elétricas. Ela se aplica a todos os tipos de materiais e teste de dispositivos de semicondutores moderno, nanômetro materiais semicondutores orgânicos, produtos eletrônicos e outros pequenos dispositivos de baixa energia. Características - Ecrã táctil de 8 polegadas, operação gráfica
- LIV,software de PIV testes rapidamente
- Alta precisão 0,1%,resolução atingir cinco figura e meia.
- Quatro quadrante de operação, vasta gama: min currrent 1pA e tensão máxima de 300V. Min a largura de pulso 200uS
- Vários modos de digitalização, suporte linear, exponencial e digitalização definidos pelo usuário
- Suporte de armazenamento USB e exportar
- Suporte a várias interfaces de comunicação RS-232/GPIB/LAN
Tensão e corrente precisão: (modelos diferentes têm diferentes gamas de tensão e de corrente, consulte o guia de selecção ) Faixa de tensão e corrente: A tensão
| Fonte
| Meça
|
Variedade
| Resolução de programação | Exactidão±(% rdg.+ V) | Resolução de programação | Exactidão±(% rdg.+ UMA) |
| 300 mV | 30uV | 0,1%±300LÂMPADA uV | 30uV | 0,1%±300LÂMPADA uV |
| 3V | 300 Lâmpada uV | 0,1%±500LÂMPADA uV | 300 Lâmpada uV | 0,1%±500LÂMPADA uV |
| 30V | 3mV | 0,1%±3mV | 3mV | 0,1%±3mV |
| 300V | 30mV | 0,1%±30mV | 30mV | 0,1%±30mV |
Actuais
| Fonte
| Meça
|
Variedade
| Resolução de programação | Exactidão±(% rdg.+ V) | Resolução de programação | Exactidão±(% rdg.+ UMA) |
| 100ND | 10pA | 0,1%±0.5nA | 10pA | 0,1%±0.5nA |
| 1uA | 100pA | 0,1%±3nA | 100pA | 0,1%±3nA |
| 10uA | 1ND | 0,1%±5ND | 1ND | 0,1%±5ND |
| 100uA | 10ND | 0,1%±50nA | 10ND | 0,1%±50nA |
| 1mA | 100ND | 0,1%±300ND | 100ND | 0,1%±300ND |
| 10mA | 1uA | 0,1%±5uA | 1uA | 0,1%±5uA |
| 100mA | 10uA | 0,1%±20uA | 10uA | 0,1%±20uA |
| 1A | 100uA | 0,1%±2mA | 100uA | 0,1%±2mA |
| 3A | 300uA | 0,1%±3mA | 300uA | 0,1%±3mA |
| 10A | 1mA | 0,1%±5mA | 1mA | 0,1%±5mA |
Os parâmetros técnicos de pulso: | Corrente máxima | Máx. largura de pulso | Relação de trabalho máx. |
| 100mA@300V | DC,sem limite | 100% |
| 1A@30V | DC,sem limite | 100% |
| 1A@300V | 5mS | 3% |
| 3A@100V | 10mS | 5% |
| 10A@30V | 1mS | 5% |
Suplemento: min largura de pulso programável é 200us, e a sua figura é maior em alguma parte da faixa de pulso. Resolução programável de largura de pulso é 20us, largura de pulso a precisão é de ±10nós. ". Outros parametes técnico: Gama de Fonte: em DC mod, potência de saída máxima é de 30W; no modo Pulse, a potência de saída máxima atingir300w. O modo de fonte do quadrante de quatro ou modo de hidrazina.; Ao longo intervalo: 105%, fonte e medição Capacitância de carga estável: <22nF Ruído de banda larga de 20MHz) : 3mV RMS (valor típico), <20mV Vp-p (valor típico) Tensão máxima entre FORCR HI e sentido HI é de 3V; Tensão máxima entre FORCR LO e sentido LO é3V; Tensão de protecção de cabos: Impedância de saída 1K Ω, desvio de tensão de saída < 10mV Taxa de amostragem máxima: 100.000 S/ s Gatilho: suportar IO de entrada e saída de detonação, polaridade de activação pode ser configurado; Interface de saída: interface do painel; Ficha de comunicação: RS - 232, GPIB, LAN; Energia:AC 100~240V 50/60 Hz; Ambiente de trabalho:25±10ºC; Tamanho:106 mm(alta) × 255 mm (largura) × 425mm de comprimento); Warranty:1ano; Medidor de origem de pulso P300 Diagrama do quadrante de trabalho Os pedidos - Teste de propriedades do material em nanômetros, graphene, nanowires, etc
- Teste de propriedade do material orgânico, tinta electrónica, impressão de tecnologia eletrônica, etc
- Teste de eficiência e energia: LED/, AMOLED células solares, conversores DC-DC, etc .
- Recurso de dispositivos de semicondutores discretos teste, resistor, diodo, diodos emissores de luz, diodos zener, o PIN, diodo transistor BJT, SIC MOSFET, etc
- Característica: teste do sensor de efeito Hall de resistividade, etc
A fábrica Perguntas mais frequentes sobre: 1. Q:precisão é direto de fábrica ou empresa de comércio?
Um: é preciso uma fábrica, e todos o SMU R&D são precisas equipe e fabricados de maneira precisa. 2. Q:ordem de amostra está disponível?
Um:Sim, aceitamos a ordem da amostra.
3. Q:você fornecer software para o funcionamento das PME?
Um:Sim, podemos projetar como requisito do cliente. 4. Q:whats o período de entrega?
Um:geralmente é de cerca de 30 dias, e está também relacionada com o fim qtd. 5. Q:o que é a garantia?
Um:garantia é 12 mês. 6.Q: Qual é a forma de envio?
Um:para amostra ordem, geralmente o envio pela International Express como a DHL, FEDEX, UPS, EMS e assim por diante. Se qty é mais, pelo ar é também uma boa escolha.
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