Description
Descrição do produto
| Tipo de silício | tamanho | Padrão do elétrodo dianteiro |
| Mono-cristalino | 182 * 182 ± 0.5Φ247mm | dez bares e bares |
| intervalo: 17,3 mm |
| Itens de parâmetro | | | Especificação | Tolerância | Unidade |
|
| Superfície dianteira | A | Quantidade de dedos | 140 | - | - |
| | B | Largura da barra condutora dianteira | 1 | ± 0.1 | mm |
|
| | C | Distância entre as barras condutoras | 17.3 | ± 0.15 | mm |
|
| Superfície rara | a | Largura da barra condutora traseira | 1.6 | ± 0.3 | mm |
| | b | Distância entre as barras condutoras traseiras | 17.3 | ± 0.15 | mm |
|
| | c | Quantidade de dedos traseiros | 160 | - | - |
|
| Eficiência (%) | Eficiência (%) | Pmpp (W) | Impacto (A) | Umpp (V) | ISC (A) | Uoc (V) |
| 22.6 | 22.6-22.7 | 7.46 | 12.604 | 0.592 | 13.226 | 0.688 |
| 22.5 | 22.5-22.6 | 7.43 | 12.57 | 0.591 | 13.187 | 0.687 |
| 22.4 | 22.4-22.5 | 7.4 | 12.535 | 0.59 | 13.147 | 0.686 |
| 22.3 | 22.3-22.4 | 7.36 | 12.5 | 0.589 | 13.108 | 0.685 |
| 22.2 | 22.2-22.3 | 7.33 | 12.465 | 0.588 | 13.068 | 0.684 |
| 22.1 | 22.1-22.2 | 7.3 | 12.43 | 0.587 | 13.028 | 0.683 |
| 22 | 22.0-22.1 | 7.26 | 12.395 | 0.586 | 12.988 | 0.682 |
| 21 | 21.9-22.0 | 7.23 | 12.36 | 0.585 | 12.948 | 0.681 |
| Propriedades elétricas | |
|
| VOC: -0,3%/ºC | Intensidade: 1000 W/m² |
| ISC: 0,06%/ºC | Espectro: AM1.5G |
|
Processo de produção
Limpeza e texturização: As placas são limpas com sabões industriais e pirâmides de base quadrada também chamadas textura. A texturização ajuda a reduzir o reflexo da luz solar.
Difusão: As bolachas que foram pré-reduzidas com boro durante o processo de fundição recebem uma característica de superfície negativa (tipo n), difundindo-as com uma fonte de fósforo a alta temperatura, o que, por sua vez, retalha a junção negativa/positiva (n-p).
Etching: O fósforo difunde-se não somente na superfície desejada do wafers mas também na superfície lateral e oposta para formar PN. Isto proporciona um percurso de derivação entre a parte dianteira e traseira da célula. A remoção do caminho em torno do isolamento de junção borda/borda da placa é denominada gravação.
PECVD: Por equipamento PECVD, as wafers são revestidas com revestimento anti-reflexo (ARC). É a película de nitreto de silício azul para reduzir o reflexo e promover a absorção da luz.
Impressão e aquecimento: Foi adotado imprimindo pasta com tecnologia de tela para imprimir os eletrodos de energia solar silicion, e formar um bom contacto óhmico.
Teste & classificação: Significa classificar as células de acordo com sua eficiência testada sob a luz solar simulada. Perfil da empresa
Porquê escolher-nos
Certificações
Embalagem e envio
PERGUNTAS FREQUENTES
Complaint
